【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程（Ｓ２）と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程（Ｓ３）と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程（Ｓ４）と、前記判定工程（Ｓ４）にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程（Ｓ９，Ｓ１２）と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングする際のパターン寸法が比較的大きい箇所と微細寸法箇所との掘り込み量の差であるＲＩＥラグを低減させることを目的とする。
【解決手段】順に、開口領域を形成した遮光膜を透明基板上に有する基板を準備する工程と、前記基板にポジ型レジストを塗布する工程と、レジスト塗布後、遮光膜の開口領域のうち位相シフタ形成領域をレジストから開口させる描画工程と、現像工程と、現像工程後、開口させた位相シフタ形成領域を、ドライエッチングにて透明基板を掘り込むエッチング工程と、残存したレジストを除去する工程とを備え、前記描画工程は、レジストが位相シフタ形成領域に重ならないように所定のマージンを持つように描画するものであり、前記所定のマージンは、前記ドライエッチングによる掘り込み量の位相シフタ形成領域の寸法による不均一を緩和するように、位相シフタ形成領域の寸法に応じて設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロムが入っていない位相変位リソグラフィを用いて微細フィーチャの形成を容易にする方法を提供する。
【解決手段】細長い、クロムが入っていない架橋フィーチャ１０４は、フォトリソグラフィマスクを通るエネルギに対して１８０度を超える公称位相差を引起すエッチング深さを有して、フォトリソグラフィマスク上に形成される。対応するフォトレジストフィーチャは架橋フィーチャ１０４を用いて形成される。位相差は、対応するフォトレジストフィーチャの寸法的変動を最小にするよう選択される。 （もっと読む）

【課題】製品の精度向上と製作時間の短縮が可能な、位相シフトマスクを用いた非対称パターンの形成技術、さらには回折格子、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相シフトマスク３０（遮光部と透過部（位相シフトがない第１の透過部、位相シフトがある第２の透過部）が周期的に配置）を用いた回折格子の製造方法において、照明光源１０から放出された光を、位相シフトマスク３０を透過させ、この位相シフトマスク３０を透過させることにより生じる０次光と＋１次光とをＳｉウエハ５０の表面で干渉させて、このＳｉウエハ５０の表面のフォトレジスト６０を露光し、Ｓｉウエハ５０上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。 （もっと読む）

【課題】位相シフト効果を生じさせるために遮光部に所定の光透過性を持たせた多階調フォトマスクにおいて、遮光部内での透光部や半透光部との境界から離れた領域にて、被加工体上のレジスト膜の感光を抑制する。
【解決手段】透明基板上に成膜された光学膜をパターニングすることにより形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備え、被加工体上に、複数の異なる残膜値をもつレジストパターンを形成する多階調フォトマスクにおいて、光学膜は、多階調フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の位相を略１８０度シフトさせる作用をもつとともに、代表波長の光に対して３％〜５０％の透過率を有し、透光部と半透光部においては、透明基板表面の一部が露出し、遮光部は、多階調フォトマスクの露光条件において解像しない線幅の微細透過パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクの製造方法は、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターン面を含むパターン面を基板に形成する工程（Ｓ１）を含む。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う（Ｓ３）。この工程（Ｓ３）において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記マスクパターンの前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。 （もっと読む）

【課題】支持基板を任意の深さまで掘り込んだシフターを有するフォトマスクの作製において、透過部の透過性を損なわずに、より安定したシフターの加工を実現できるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】石英からなる支持基板１１と第１の遮光膜１２とを有するフォトマスクブランクにおいて、支持基板１１の一方の面に、支持基板１１のドライエッチング処理時に実質的にエッチングされないエッチングストップ膜１３を形成する。エッチングストップ膜１３の支持基板１１と反対の面に支持基板１１と同じ材質からなる透過層１４を形成する。第１の遮光膜１２を透過層１４のエッチングストップ膜１３と反対の面に形成する。 （もっと読む）

【課題】位相シフトマスクを製造する際のアンダーカット形成時のウェットエッチング工程において、非シフタ透光部に生じるダメージを軽減する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜と第１レジスト層が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし第１遮光膜パターンを形成する工程と、第１遮光膜パターンまたは第１レジストパターンをマスクとして遮光膜の下層をエッチングにより除去しシフタ透光部を形成する工程と、透明基板上全面に第２レジスト層を形成する工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、非シフタ透光部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造において、上面が平坦な終端構造とリセス状のアライメントマークとを少ないマスク数で形成すると共に、アライメントマークのリセスの深さを最適化する。
【解決手段】ハーフトーン露光法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル層２に達する第１の開口部１２ａとＳｉＣエピタキシャル層２に達しない第２の開口部とを有するレジストパターン１１を、ＳｉＣエピタキシャル層２上に形成する。エッチングにより、第１の開口部１２ａに露出したＳｉＣエピタキシャル層２にリセス状のアライメントマーク９を形成すると同時に第２の開口部１２ｂをＳｉＣエピタキシャル層２に到達させる。その後、イオン注入により、第２の開口部１２ｂに露出したＳｉＣエピタキシャル層２に、終端領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】被露光物の移動開始位置に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１０は、照明光学系１１と、照明光学系１１からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスク２０と、位相変調マスク２０と被露光物１４との間の距離を制御する制御手段１８と、を備えている。位相変調マスク２０は、位相変調マスク２０により位相変調された光の回折光のうち０次の回折光を除く回折光によって被露光物が露光されるよう構成されている。制御手段１８は、干渉パターンの変動周期のｓ倍（ｓ≧１の整数）に対応する距離にわたって位相変調マスク２０と被露光物１４との間の距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる位相変調マスクを提供する。
【解決手段】照明光学系１１からの光は、位相変調マスク２０によって、所定の周期的な変調パターンで位相変調される。被露光物１４は、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して所定の露光パターンで露光される。ここで位相変調マスク２０は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイの製造に利用されるブランクマスク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】 透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。これにより、等倍露光装置を利用してフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）デバイスを製造するに当って高い解像度を表すことができ、特に、複数の露光光を利用する等倍露光装置に好適である。 （もっと読む）

【課題】露光領域の縁における形状の歪みを改善する。
【解決手段】チェッカーボードアレイ及びこれを囲むサブレゾリューション・アシスト位相パターンを備える位相シフトマスクである。このチェッカーボードアレイは、１８０度の位相差を有する交互位相シフト領域Ｒを有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域Ｒ’は、対応する位相シフト領域Ｒの隣に配設されているとともに、当該位相シフト領域Ｒとの間で１８０度の位相差を有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域Ｒ‘は、フォトリソグラフによるフォトレジスト加工の際の、不所望なエッジ効果を軽減するために形成される。 （もっと読む）

【課題】高さが数ｎｍ、大きさが５μｍ〜２０μｍ程度の凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する洗浄工程を有すると共に、前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽内、または前記純水槽の純水循環経路に、紫外線を照射する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの表面に成長性欠陥が発生することを抑制するフォトマスク及びフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のフォトマスクでは、露光光を透過する透明基板を持つ。前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜が、前記透明基板上に周期的に設けられる。前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜が設けられる。前記露光光が前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記保護膜にトラップされる。 （もっと読む）

【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理して得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写する。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の遮光膜パターンを有する基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するのに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランク１００であって、透光性基板１上に、遮光膜８と、エッチングマスク膜５とが順に積層された構造である。ここで、遮光膜８は透光性基板１に接して形成され、タンタルを主成分とし、酸素を実質的に含有しない材料からなる。エッチングマスク膜５は、クロムの含有量が４５原子%以上であり、かつ酸素の含有量が３０原子％以下の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】現状のクロムレス位相シフトマスクでは、所望の位相差を得るための透明基板の掘り込み量が大きく、寸法の細いパターンはアスペクト比（高さ／寸法）が大きくなり、マスク洗浄の際にパターンが倒れることが問題であった。
【解決手段】本発明に係る位相シフトマスクブランク１１では、透明基板１２よりも屈折率の大きな位相シフト膜１３により所望の位相差を得るための膜厚を透明基板１２の掘り込み量よりも小さくし、パターン倒れを抑制することが可能となる。また、本発明の位相シフト膜１３は、露光波長での消衰係数ｋを０．１以下にすることで、露光波長での透過率を７０％以上に調整可能である。したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 （もっと読む）