マスクの製造方法
【課題】歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクの製造方法は、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターン面を含むパターン面を基板に形成する工程（Ｓ１）を含む。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う（Ｓ３）。この工程（Ｓ３）において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記マスクパターンの前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。
【解決手段】実施形態のマスクの製造方法は、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターン面を含むパターン面を基板に形成する工程（Ｓ１）を含む。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う（Ｓ３）。この工程（Ｓ３）において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記マスクパターンの前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造に使用されるマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のリソグラフィ工程で使用するフォトマスクは、パターン寸法、透過率等の物理パラメータの精度を管理する必要がある。フォトマスクを用いて一定の領域上にパターンを転写するためには、これらの物理パラメータは当該領域内で所定の均一性を保つ必要がある。
【０００３】
フォトマスクの作製が完了した後、フォトマスクの出荷検査の段階で物理パラメータの分布は測定される。この分布が所定の均一性に達していないフォトマスクは、被転写基板上のパターンの均一性に影響を及ぼすために廃棄される。
【０００４】
半導体素子の微細化がすすむと、物理パラメータの分布が満たすべき均一性の値は厳しくなるため、マスクの製造歩留まりが低下する。製造歩留まりの低下はフォトマスクのコスト上昇につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９５８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のマスクの製造方法は以下を含む。被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う。この工程において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２は、第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図３】図３は、図２に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図４】図４は、図３に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図５】図５は、図４に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図６】図６は、図５に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図７】図７は、図６に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図８】図８は、図７に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図９】図９は、図８に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１０】図１０は、図９に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１１】図１１は、図１０に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１２】図１２は、実施形態で使用する洗浄用のノズルを模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、ノズル圧力とマスクパターンの寸法変化量／ｓｅｃとの関係の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、第２の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１５】図１５は、第３の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１７は、第４の実施形態のマスクの製造方法が適用されるマスクの一例を示す図である。
【図１８】図１８は、第５の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
光リソグラフィで使用される透過型マスクおよびＥＵＶリソグラフィで使用される反射型マスクのさまざまな物理パラメータ（例えば、マスク寸法、位相シフト量、透過率、ギャップ層膜厚、反射率）は、洗浄工程で変化を生じる。そのため、洗浄回数には上限が設けられている。本実施形態は、上記の洗浄工程で光学パラメータが変化する現象（従来は不都合であると考えられている現象）をマスク修正（パターン面の被処理基板（例えば、ウエハ）上への転写特性の均一性向上）に積極的に利用する。
【００１１】
以下はフォトマスク（透過型マスク）を想定した説明であるが、ＥＵＶマスク等の反射型マスクの場合も同様に実施できることは当業者であれば明らかであろう。
【００１２】
図１は、本実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。図２−図１１は、本実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中（出荷前）のマスクを上から見た図である。実施形態のマスクは例えば２Ｘｎｍ世代以降のデバイス（例えばＮＡＮＤフラッシュメモリ）の製造に使用される。
【００１３】
［図２、ステップＳ１］
周知の方法により、透明基板１上に、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面２を形成する。以下、パターン面２が形成された透明基板１をマスクという。
【００１４】
パターン面２を形成する工程は、例えば、透明基板１上に遮光膜を形成する工程と、遮光膜上にレジスト膜を形成する工程と、電子線ビーム（ＥＢ露光）を用いてレジスト膜にパターン（上記マスクパターンに対応するパターン）を描画する工程と、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクにして遮光膜をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）プロセスによりエッチングする工程とを含む。
【００１５】
本実施形態では、パターン面２の形状は矩形とし、パターン面２上の位置はＸ−Ｙ直交座標で特定されるとする。Ｘ軸はパターン面２の横辺に平行な軸であり、Ｙ軸はパターン面２の縦辺に平行な軸である。なお、パターン面２の形状は矩形には限定されず、また、座標系はパターン面２の形状に合わせて適宜変更しても構わない。
【００１６】
［図３、ステップＳ２］
周知の方法（装置）を用いて、パターン面２内のマスク寸法（パターン面に係る物理パラメータ）としてＣＤ（Critical Dimension）値の分布を取得する（面内分布測定）。本実施形態では、ＣＤ値が規定値（許容値）からずれている領域（修正領域）３が、パターン面２の中央部の破線で囲まれた領域として説明する。規定値は、例えば、２０ｎｍである。修正領域３のＣＤ値は、例えば、２１ｎｍである。
【００１７】
本実施形態では、図１２に示すように、薬液１０を吐出できるノズル１１を用いて洗浄および寸法修正を行う。ノズル１１は薬液１０が吐出される吐出口を具備する。本実施形態はノズル数が１の場合であるが、複数のノズルを用いても構わない。
【００１８】
パターン面２（マスク）とノズル１１との相対的な位置をずらしながら、パターン面２に向けてノズル１１から薬液１０を吐出することにより、洗浄および寸法修正は行われる。マスクを載置するＸ−Ｙステージを動かすことにより、ノズル１１を図示しない装置を動かすことにより、または、それらの両方を動かすことにより、マスクとノズル１１との相対的な位置はずらすことができる。以下の説明では、ノズル１１を動かすとする。
【００１９】
吐出口のサイズ（例えば直径で規定される）は、修正領域３の大きさ（例えば面積で規定される）によって決まる。一般には、修正領域３が小さいほど吐出口のサイズも小さくなる。
【００２０】
［図４−図１２、ステップＳ３］
ステップＳ３は、パターン面２に対して薬液処理（洗浄、修正）を行う工程である。
【００２１】
図４−図６は、パターン面２のうち、修正領域３よりも下の領域で、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在しない領域（非修正領域）に対して薬液処理（洗浄）を行う様子を示している。この非修正領域内のＣＤ値は規定値内に収まっているので、非修正領域の薬液処理は洗浄を目的とする処理である。
【００２２】
非修正領域の薬液処理（洗浄）は、予め取得しておいた処理シーケンス１に基づいて行われる。処理シーケンス１は、言い換えれば、ノズル１１が非修正領域上に位置する時の処理条件であって、使用する薬液（洗浄液）、ノズル１１から吐出される薬液の圧力（ノズル圧力）、ノズル１１のスキャンなどを規定している。
【００２３】
ノズル１１のスキャンは、例えば、図４−図６に示す通りである。まず、図４に示すように、矩形のパターン面２の左隅下から、Ｘ軸に沿って左から右にノズル１１をスキャンする（右方向スキャン）。ノズル１１が右端に到達したら、図５に示すように、ノズル１１を上の方向（Ｙ方向）に一定量だけシフト（上シフト）させ、その後、Ｘ軸に沿って右から左にノズル１１をスキャンさせる（左方向スキャン）。以下、同様に、図６に示すように、修正領域３に達する直前まで、上シフト、右方向スキャン、上シフト、左方向スキャン・・・を繰り返す。ノズル１１をスキャンしている最中、ノズル１１からは薬液（例えば、アンモニア液）がパターン面２に向かって吐出している。
【００２４】
図１３は、ノズル圧力と、マスクパターンの寸法変化量（ΔＣＤ）／ｓｅｃとの関係を示す図である。図１３に示すように、ノズル圧力の増加に伴い単位時間当たりの寸法変化量は大きくなる。非修正領域の洗浄工程中に、非修正領域のＣＤ値が規定値を超えては困る。したがって、図１３に示す関係を予め取得し、非修正領域を洗浄するときに、非修正領域のＣＤ値が規定値内に収まるノズル圧力を予め決定しておく。
【００２５】
図７−図１０は、パターン面２のうち、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在する領域であり、ノズル１１の吐出口の位置が、非修正領域（図７）の上、修正領域３（図８）の上、非修正領域（図９）の上の順で変化する領域（修正／非修正領域）に対して薬液処理（洗浄、修正）を行う様子を示している。
【００２６】
なお、ノズル１１が、非修正領域と修正領域３との境界近くにある場合、ノズル１１の吐出口は、非修正領域と修正領域３とにオーバーラップする。この場合、例えば、オーバーラップする領域の面積が大きい方をノズル１１の吐出口の位置とする。
【００２７】
非修正領域（図７）に対しての薬液処理（洗浄）は、図４−図６の場合と同様に、処理シーケンス１に基づいて行われる。
【００２８】
非修正領域（図７）に対しての薬液処理（洗浄）の終了後、修正領域３（図８）に対しての薬液処理（修正、洗浄）が行われる。修正領域３内のＣＤ値は規定値外なので、非修正領域の薬液処理は、主としてＣＤ値（パターン寸法）を修正するための処理となるが、洗浄が全く行われない訳ではない。
【００２９】
修正領域３の薬液処理は、予め取得しておいた処理シーケンス２に基づいて行われる。処理シーケンス２は処理シーケンス１とは異なる。処理シーケンス１は洗浄に適した条件を有するが、処理シーケンス２は修正に適した条件を有する。
【００３０】
処理シーケンス２は、言い換えれば、ノズル１１が修正領域３上に位置する時の処理条件であって、使用する薬液（修正液）、ノズル１１から吐出される薬液の圧力（ノズル圧力）、ノズル１１のスキャンなどを規定している。
【００３１】
処理シーケンス２におけるノズル１１のスキャンは、例えば、図８に示すように、右方向スキャンである。
【００３２】
処理シーケンス２におけるノズル圧力は、規定のＣＤ値（ＣＤ０）と修正領域３のＣＤ値（ＣＤ１）との差（ΔＣＤ＝ＣＤ１−ＣＤ０）、および、図１３に示したグラフに基づいて予め決定されている。図１３には数値は示されてないが、例えば、ＣＤ０＝２０ｎｍ、ＣＤ１＝２１ｎｍの場合、ノズル圧力は１ＭＰａとなる。
【００３３】
ノズル１１から吐出される薬液は、例えば、アンモニア液である。本実施形態では、非修正領域の薬液処理と同じ薬液を修正領域の薬液処理で使用するが、両者は異なっていても構わない。薬液としては、アンモニアの他に、硫酸、過酸化水素、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などが使用可能である。
【００３４】
修正領域３の後にＸ方向に続く非修正領域（図９）の薬液処理（洗浄）は、図７の非修正領域の薬液処理（洗浄）と同様に処理シーケンス１に基づいて行われる。
【００３５】
ノズル１１が右端に到達したら、図１０に示すように、ノズル１１を上シフトさせ、その後、ノズル１１を左方向スキャンさせる。修正領域３に達する直前までは図７と同様に処理シーケンス１に基づいて薬液処理（洗浄）が行われ、修正領域３をスキャンする時は図８と同様に処理シーケンス２に基づいて薬液処理（修正）が行われ、そして、修正領域３を通過した後は図９と同様に処理シーケンス１に基づいて薬液処理（洗浄）が行われる。以下、同様に、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在する間は、処理シーケンス１に基づいた薬液処理（洗浄）と処理シーケンス２に基づいた薬液処理（修正）とが交互に繰り返される。
【００３６】
［ステップＳ４］
薬液処理後、パターン面２内のＣＤ値の分布が再び取得される（再面内分布測定）。
【００３７】
［ステップＳ５］
取得された面内のＣＤ値が仕様を満たすか否かが判断される。
【００３８】
［ステップＳ６］
ステップＳ５の判断の結果、仕様を満たさない場合（Ｎｏ）には、そのマスクは破棄されか、または、ステップＳ３の薬液処理による修正が再び行われる（再修正）。
【００３９】
［ステップＳ７］
ステップＳ５の判断の結果、仕様を満たす場合（Ｙｅｓ）には、そのマスクは出荷される。
【００４０】
かくして本実施形態によれば、ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の圧力（ノズル圧力）を変えるという処理シーケンスを採用することにより、パターン面の洗浄工程時に、寸法修正工程（寸法の均一性の向上）を同時に行えるようになるので、工程数の増加を招かずに、マスクの製造歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を実現できるようになる。また、本実施形態の修正工程は薬液を用いたものなので、ＦＩＢ（Focus Ion Beam）等の物理的な方法を用いた場合に比べてスループットが高い。
【００４１】
なお、本実施形態では、ノズルの位置に応じてノズル圧力を変えるという処理シーケンスを採用したが、ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の流量を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。
【００４２】
ノズル１１から吐出される薬液の量流については、例えば、ノズル圧力の場合と同様に、流量と単位時間当たりの寸法変化量との関係を予め取得し、処理シーケンス１の流量を決める。この場合、使用する薬液を考慮して処理シーケンス１の流量を決めても構わない。より洗浄力の強い薬液を使用すれば、一般には、流量は小さくて済むからである（流量以外のノズル圧力等の条件は同じ）。
【００４３】
さらに、ノズルの位置に応じてノズル圧力および流量を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。この場合、より細かな修正が可能となる。
【００４４】
さらに、ノズルの位置に応じて薬液の種類を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。例えば、ノズルの位置が修正領域上の場合にアンモニア水、ノズルの位置が非修正領域上の場合に純水とする。
【００４５】
さらに、ノズルの位置に応じてノズル圧力、流量および薬液の少なくとも一つを変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。
【００４６】
さらに、複数のノズルを用いる場合には、一本のノズルを用いる場合と同様に、各ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の圧力（ノズル圧力）等を変えるという処理シーケンスを採用することにより、ノズル数が１の場合と同様に実施できる。
【００４７】
また、本実施形態では、マスクの転写特性に影響を及ぼすパターン面における物理パラメータとしてパターン寸法を例にあげて説明したが、上記物理パラメータは、透過率、反射率、遮光率または位相シフト量でも構わない。これらの物理パラメータの場合もパターン寸法の場合と同様に、面内分布を予め取得しておき、その面内分布に応じてノズルから突出される薬液の種類、圧力および流量の少なくとも一つを変えればよい。さらに、パターン寸法、透過率、反射率、遮光率および位相シフト量の少なくとも二つでも構わない。
【００４８】
（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４９】
第１の実施形態は修正領域３内のＣＤ値は全て同じ値（例えば２１ｎｍ）という例であったが、本実施形態は、修正領域３内のＣＤ値に分布がある例である。
【００５０】
具体的には、修正領域３の中央部の円形領域（第１の修正領域）３１のＣＤ値と、その外側の輪帯領域領域（第２の修正領域）３２のＣＤ値と、最外周の輪帯領域領域（第３の修正領域）３３のＣＤ値とが異なっている例である。
【００５１】
この場合、第１の修正領域３１の薬液処理の条件と、第２の修正領域３２の薬液処理の条件と、第３の修正領域３３の薬液処理の条件と、修正領域の薬液処理の条件とは互いに異なる。言い換えれば、ノズルの位置が、第１の修正領域３１、第２の修正領域３２、第３の修正領域３３または非修正領域かによって、処理シーケンスが異なる。
【００５２】
第１の修正領域３１のＣＤ値をＣＤ１、第２の修正領域３２ＣＤ値をＣＤ２、第３の修正領域３３ＣＤ値をＣＤ３とし、ＣＤ１＞ＣＤ２＞ＣＤ３の場合であれば、例えば、第１の修正領域３１のノズル圧力が一番大きく、第２の修正領域３２のノズル圧力が二番目に大きく、そして、第３の修正領域３３のノズル圧力が一番小さくなる。非修正領域のノズル圧力は例えば第１の実施形態と同じである。
【００５３】
薬液の流量の違いで修正の程度を制御する場合も同様である。すなわち、第１の修正領域３１の流量が一番多く、第２の修正領域３２の流量が二番目に多く、そして、第３の修正領域３３の流量が一番少ない。
【００５４】
第１−第３の修正領域３１−３３のＣＤ値は幅を持っていても構わない。例えば、第１の修正領域３１のＣＤ値はＣＤ１ａ〜ＣＤ１ｂの範囲、第２の修正領域３２のＣＤ値はＣＤ２ａ〜ＣＤ２ｂの範囲、第３の修正領域３３のＣＤ値はＣＤ３ａ〜ＣＤ３ｂの範囲である。大小関係は、ＣＤａ＜ＣＤ１ｂ＜ＣＤ２ａ＜ＣＤ２ｂ＜ＣＤ３ａ＜ＣＤ３ｂである。
【００５５】
本実施形態では、修正領域３が三つの分布を有する場合について説明したが、四つ以上の分布を有する場合も同様である。
【００５６】
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【００５７】
本実施形態が第１および第２の実施形態と異なる点は、液体４１（第２の液体）中で、ステップＳ３（薬液処理（洗浄、修正））を行うことにある。液体４１は、例えば、純水である。図１５において、４２は液体４１を入れる容器を示している。
【００５８】
ノズル１１の吐出口から吐出された薬液１０は、吐出口の直下のパターン面２ａに供給される。薬液１０（第１の液体）は、パターン面２ａの近傍で飛散したり、パターン面２ａから流出する可能性がある。そのため、薬液１０は、さらに、吐出口の周辺のパターン面２ｂ（所定領域以外の領域）に供給される可能性がある。これは洗浄や修正に影響を与える。
【００５９】
そこで、本実施形態では、液体４１中で、ステップＳ３（薬液処理（洗浄、修正））を行う。液体４１の存在により、薬液１０の飛散や流出は起こりにくくなる。また、薬液１０の飛散や流出が起こっても、パターン面２ｂ上の薬液１０は液体４１で薄まるので、所定領域以外の領域に供給される薬液１０の影響は軽減される。
【００６０】
なお、液体４１にマスクを浸してマスク全体を洗浄した後（洗浄工程後）に、ノズル１１から薬液を突出させて修正工程だけを行っても構わない。
【００６１】
（第４の実施形態）
図１６は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【００６２】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、容器内４２内に薬液１０を入れ、ノズルから液体４１を吐出させて、洗浄および修正を行うことにある。
【００６３】
図１７は、このような洗浄および修正が有効なマスクの一例を示す。このマスクの場合、中央が非修正領域、それ以外が修正領域３となっている。なお、非修正領域の位置は中央には限定されず、パターン面２内のどこにあっても構わない。
【００６４】
本実施形態によれば、ノズルから吐出された液体４１（例えば純水）により非修正領域を洗浄すると同時に、容器内４２内の薬液１０により修正領域３の全体を一度に修正できるので、洗浄および修正に要する時間を短縮できるようになる。
【００６５】
（第５の実施形態）
図１８は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００６６】
第１の実施形態では、パターン面２のＣＤ値の面内分布（マスク面内分布）を取得し、そのマスク面内分布を許容値（ターゲット値）と照らし合わせて、ノズル１１下の領域が修正領域または非修正領域であるかを判断した。
【００６７】
本実施形態では、作成したマスク（ステップＳ１）を用いて、被処理基板の露光を行い（ステップＳ１２）、測定により被処理基板上に形成されたパターンの寸法の分布（被処理基板の面内分布）を取得し（ステップＳ２’）、その被処理基板の面内分布の結果に基づいて、パターン面を修正領域と非修正領域とに分けて異なる条件の薬液処理を行う（ステップＳ３）。ステップＳ３の後は、被処理基板の面内分布を再度取得する（ステップ４２’）。その後のステップＳ６，Ｓ７は第１の実施形態と同じである。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
１…透明基板、２，２ａ，２ｂ…パターン面、３…修正領域、１０…薬液（第１の液体）、１１…ノズル、３１…第１の修正領域、３２…第２の修正領域、３３…第３の修正領域、４１…液体（第２の液体）、４２…容器。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造に使用されるマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のリソグラフィ工程で使用するフォトマスクは、パターン寸法、透過率等の物理パラメータの精度を管理する必要がある。フォトマスクを用いて一定の領域上にパターンを転写するためには、これらの物理パラメータは当該領域内で所定の均一性を保つ必要がある。
【０００３】
フォトマスクの作製が完了した後、フォトマスクの出荷検査の段階で物理パラメータの分布は測定される。この分布が所定の均一性に達していないフォトマスクは、被転写基板上のパターンの均一性に影響を及ぼすために廃棄される。
【０００４】
半導体素子の微細化がすすむと、物理パラメータの分布が満たすべき均一性の値は厳しくなるため、マスクの製造歩留まりが低下する。製造歩留まりの低下はフォトマスクのコスト上昇につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９５８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のマスクの製造方法は以下を含む。被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う。この工程において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２は、第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図３】図３は、図２に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図４】図４は、図３に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図５】図５は、図４に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図６】図６は、図５に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図７】図７は、図６に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図８】図８は、図７に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図９】図９は、図８に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１０】図１０は、図９に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１１】図１１は、図１０に続く第１の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１２】図１２は、実施形態で使用する洗浄用のノズルを模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、ノズル圧力とマスクパターンの寸法変化量／ｓｅｃとの関係の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、第２の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。
【図１５】図１５は、第３の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１７は、第４の実施形態のマスクの製造方法が適用されるマスクの一例を示す図である。
【図１８】図１８は、第５の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
光リソグラフィで使用される透過型マスクおよびＥＵＶリソグラフィで使用される反射型マスクのさまざまな物理パラメータ（例えば、マスク寸法、位相シフト量、透過率、ギャップ層膜厚、反射率）は、洗浄工程で変化を生じる。そのため、洗浄回数には上限が設けられている。本実施形態は、上記の洗浄工程で光学パラメータが変化する現象（従来は不都合であると考えられている現象）をマスク修正（パターン面の被処理基板（例えば、ウエハ）上への転写特性の均一性向上）に積極的に利用する。
【００１１】
以下はフォトマスク（透過型マスク）を想定した説明であるが、ＥＵＶマスク等の反射型マスクの場合も同様に実施できることは当業者であれば明らかであろう。
【００１２】
図１は、本実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。図２−図１１は、本実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中（出荷前）のマスクを上から見た図である。実施形態のマスクは例えば２Ｘｎｍ世代以降のデバイス（例えばＮＡＮＤフラッシュメモリ）の製造に使用される。
【００１３】
［図２、ステップＳ１］
周知の方法により、透明基板１上に、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面２を形成する。以下、パターン面２が形成された透明基板１をマスクという。
【００１４】
パターン面２を形成する工程は、例えば、透明基板１上に遮光膜を形成する工程と、遮光膜上にレジスト膜を形成する工程と、電子線ビーム（ＥＢ露光）を用いてレジスト膜にパターン（上記マスクパターンに対応するパターン）を描画する工程と、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクにして遮光膜をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）プロセスによりエッチングする工程とを含む。
【００１５】
本実施形態では、パターン面２の形状は矩形とし、パターン面２上の位置はＸ−Ｙ直交座標で特定されるとする。Ｘ軸はパターン面２の横辺に平行な軸であり、Ｙ軸はパターン面２の縦辺に平行な軸である。なお、パターン面２の形状は矩形には限定されず、また、座標系はパターン面２の形状に合わせて適宜変更しても構わない。
【００１６】
［図３、ステップＳ２］
周知の方法（装置）を用いて、パターン面２内のマスク寸法（パターン面に係る物理パラメータ）としてＣＤ（Critical Dimension）値の分布を取得する（面内分布測定）。本実施形態では、ＣＤ値が規定値（許容値）からずれている領域（修正領域）３が、パターン面２の中央部の破線で囲まれた領域として説明する。規定値は、例えば、２０ｎｍである。修正領域３のＣＤ値は、例えば、２１ｎｍである。
【００１７】
本実施形態では、図１２に示すように、薬液１０を吐出できるノズル１１を用いて洗浄および寸法修正を行う。ノズル１１は薬液１０が吐出される吐出口を具備する。本実施形態はノズル数が１の場合であるが、複数のノズルを用いても構わない。
【００１８】
パターン面２（マスク）とノズル１１との相対的な位置をずらしながら、パターン面２に向けてノズル１１から薬液１０を吐出することにより、洗浄および寸法修正は行われる。マスクを載置するＸ−Ｙステージを動かすことにより、ノズル１１を図示しない装置を動かすことにより、または、それらの両方を動かすことにより、マスクとノズル１１との相対的な位置はずらすことができる。以下の説明では、ノズル１１を動かすとする。
【００１９】
吐出口のサイズ（例えば直径で規定される）は、修正領域３の大きさ（例えば面積で規定される）によって決まる。一般には、修正領域３が小さいほど吐出口のサイズも小さくなる。
【００２０】
［図４−図１２、ステップＳ３］
ステップＳ３は、パターン面２に対して薬液処理（洗浄、修正）を行う工程である。
【００２１】
図４−図６は、パターン面２のうち、修正領域３よりも下の領域で、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在しない領域（非修正領域）に対して薬液処理（洗浄）を行う様子を示している。この非修正領域内のＣＤ値は規定値内に収まっているので、非修正領域の薬液処理は洗浄を目的とする処理である。
【００２２】
非修正領域の薬液処理（洗浄）は、予め取得しておいた処理シーケンス１に基づいて行われる。処理シーケンス１は、言い換えれば、ノズル１１が非修正領域上に位置する時の処理条件であって、使用する薬液（洗浄液）、ノズル１１から吐出される薬液の圧力（ノズル圧力）、ノズル１１のスキャンなどを規定している。
【００２３】
ノズル１１のスキャンは、例えば、図４−図６に示す通りである。まず、図４に示すように、矩形のパターン面２の左隅下から、Ｘ軸に沿って左から右にノズル１１をスキャンする（右方向スキャン）。ノズル１１が右端に到達したら、図５に示すように、ノズル１１を上の方向（Ｙ方向）に一定量だけシフト（上シフト）させ、その後、Ｘ軸に沿って右から左にノズル１１をスキャンさせる（左方向スキャン）。以下、同様に、図６に示すように、修正領域３に達する直前まで、上シフト、右方向スキャン、上シフト、左方向スキャン・・・を繰り返す。ノズル１１をスキャンしている最中、ノズル１１からは薬液（例えば、アンモニア液）がパターン面２に向かって吐出している。
【００２４】
図１３は、ノズル圧力と、マスクパターンの寸法変化量（ΔＣＤ）／ｓｅｃとの関係を示す図である。図１３に示すように、ノズル圧力の増加に伴い単位時間当たりの寸法変化量は大きくなる。非修正領域の洗浄工程中に、非修正領域のＣＤ値が規定値を超えては困る。したがって、図１３に示す関係を予め取得し、非修正領域を洗浄するときに、非修正領域のＣＤ値が規定値内に収まるノズル圧力を予め決定しておく。
【００２５】
図７−図１０は、パターン面２のうち、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在する領域であり、ノズル１１の吐出口の位置が、非修正領域（図７）の上、修正領域３（図８）の上、非修正領域（図９）の上の順で変化する領域（修正／非修正領域）に対して薬液処理（洗浄、修正）を行う様子を示している。
【００２６】
なお、ノズル１１が、非修正領域と修正領域３との境界近くにある場合、ノズル１１の吐出口は、非修正領域と修正領域３とにオーバーラップする。この場合、例えば、オーバーラップする領域の面積が大きい方をノズル１１の吐出口の位置とする。
【００２７】
非修正領域（図７）に対しての薬液処理（洗浄）は、図４−図６の場合と同様に、処理シーケンス１に基づいて行われる。
【００２８】
非修正領域（図７）に対しての薬液処理（洗浄）の終了後、修正領域３（図８）に対しての薬液処理（修正、洗浄）が行われる。修正領域３内のＣＤ値は規定値外なので、非修正領域の薬液処理は、主としてＣＤ値（パターン寸法）を修正するための処理となるが、洗浄が全く行われない訳ではない。
【００２９】
修正領域３の薬液処理は、予め取得しておいた処理シーケンス２に基づいて行われる。処理シーケンス２は処理シーケンス１とは異なる。処理シーケンス１は洗浄に適した条件を有するが、処理シーケンス２は修正に適した条件を有する。
【００３０】
処理シーケンス２は、言い換えれば、ノズル１１が修正領域３上に位置する時の処理条件であって、使用する薬液（修正液）、ノズル１１から吐出される薬液の圧力（ノズル圧力）、ノズル１１のスキャンなどを規定している。
【００３１】
処理シーケンス２におけるノズル１１のスキャンは、例えば、図８に示すように、右方向スキャンである。
【００３２】
処理シーケンス２におけるノズル圧力は、規定のＣＤ値（ＣＤ０）と修正領域３のＣＤ値（ＣＤ１）との差（ΔＣＤ＝ＣＤ１−ＣＤ０）、および、図１３に示したグラフに基づいて予め決定されている。図１３には数値は示されてないが、例えば、ＣＤ０＝２０ｎｍ、ＣＤ１＝２１ｎｍの場合、ノズル圧力は１ＭＰａとなる。
【００３３】
ノズル１１から吐出される薬液は、例えば、アンモニア液である。本実施形態では、非修正領域の薬液処理と同じ薬液を修正領域の薬液処理で使用するが、両者は異なっていても構わない。薬液としては、アンモニアの他に、硫酸、過酸化水素、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などが使用可能である。
【００３４】
修正領域３の後にＸ方向に続く非修正領域（図９）の薬液処理（洗浄）は、図７の非修正領域の薬液処理（洗浄）と同様に処理シーケンス１に基づいて行われる。
【００３５】
ノズル１１が右端に到達したら、図１０に示すように、ノズル１１を上シフトさせ、その後、ノズル１１を左方向スキャンさせる。修正領域３に達する直前までは図７と同様に処理シーケンス１に基づいて薬液処理（洗浄）が行われ、修正領域３をスキャンする時は図８と同様に処理シーケンス２に基づいて薬液処理（修正）が行われ、そして、修正領域３を通過した後は図９と同様に処理シーケンス１に基づいて薬液処理（洗浄）が行われる。以下、同様に、Ｘ方向のスキャンにおいて修正領域３が存在する間は、処理シーケンス１に基づいた薬液処理（洗浄）と処理シーケンス２に基づいた薬液処理（修正）とが交互に繰り返される。
【００３６】
［ステップＳ４］
薬液処理後、パターン面２内のＣＤ値の分布が再び取得される（再面内分布測定）。
【００３７】
［ステップＳ５］
取得された面内のＣＤ値が仕様を満たすか否かが判断される。
【００３８】
［ステップＳ６］
ステップＳ５の判断の結果、仕様を満たさない場合（Ｎｏ）には、そのマスクは破棄されか、または、ステップＳ３の薬液処理による修正が再び行われる（再修正）。
【００３９】
［ステップＳ７］
ステップＳ５の判断の結果、仕様を満たす場合（Ｙｅｓ）には、そのマスクは出荷される。
【００４０】
かくして本実施形態によれば、ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の圧力（ノズル圧力）を変えるという処理シーケンスを採用することにより、パターン面の洗浄工程時に、寸法修正工程（寸法の均一性の向上）を同時に行えるようになるので、工程数の増加を招かずに、マスクの製造歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を実現できるようになる。また、本実施形態の修正工程は薬液を用いたものなので、ＦＩＢ（Focus Ion Beam）等の物理的な方法を用いた場合に比べてスループットが高い。
【００４１】
なお、本実施形態では、ノズルの位置に応じてノズル圧力を変えるという処理シーケンスを採用したが、ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の流量を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。
【００４２】
ノズル１１から吐出される薬液の量流については、例えば、ノズル圧力の場合と同様に、流量と単位時間当たりの寸法変化量との関係を予め取得し、処理シーケンス１の流量を決める。この場合、使用する薬液を考慮して処理シーケンス１の流量を決めても構わない。より洗浄力の強い薬液を使用すれば、一般には、流量は小さくて済むからである（流量以外のノズル圧力等の条件は同じ）。
【００４３】
さらに、ノズルの位置に応じてノズル圧力および流量を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。この場合、より細かな修正が可能となる。
【００４４】
さらに、ノズルの位置に応じて薬液の種類を変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。例えば、ノズルの位置が修正領域上の場合にアンモニア水、ノズルの位置が非修正領域上の場合に純水とする。
【００４５】
さらに、ノズルの位置に応じてノズル圧力、流量および薬液の少なくとも一つを変えるという処理シーケンスを採用しても構わない。
【００４６】
さらに、複数のノズルを用いる場合には、一本のノズルを用いる場合と同様に、各ノズルの位置に応じてノズルから突出される薬液の圧力（ノズル圧力）等を変えるという処理シーケンスを採用することにより、ノズル数が１の場合と同様に実施できる。
【００４７】
また、本実施形態では、マスクの転写特性に影響を及ぼすパターン面における物理パラメータとしてパターン寸法を例にあげて説明したが、上記物理パラメータは、透過率、反射率、遮光率または位相シフト量でも構わない。これらの物理パラメータの場合もパターン寸法の場合と同様に、面内分布を予め取得しておき、その面内分布に応じてノズルから突出される薬液の種類、圧力および流量の少なくとも一つを変えればよい。さらに、パターン寸法、透過率、反射率、遮光率および位相シフト量の少なくとも二つでも構わない。
【００４８】
（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態のマスクの製造方法を説明するための製造中のマスクを上から見た図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４９】
第１の実施形態は修正領域３内のＣＤ値は全て同じ値（例えば２１ｎｍ）という例であったが、本実施形態は、修正領域３内のＣＤ値に分布がある例である。
【００５０】
具体的には、修正領域３の中央部の円形領域（第１の修正領域）３１のＣＤ値と、その外側の輪帯領域領域（第２の修正領域）３２のＣＤ値と、最外周の輪帯領域領域（第３の修正領域）３３のＣＤ値とが異なっている例である。
【００５１】
この場合、第１の修正領域３１の薬液処理の条件と、第２の修正領域３２の薬液処理の条件と、第３の修正領域３３の薬液処理の条件と、修正領域の薬液処理の条件とは互いに異なる。言い換えれば、ノズルの位置が、第１の修正領域３１、第２の修正領域３２、第３の修正領域３３または非修正領域かによって、処理シーケンスが異なる。
【００５２】
第１の修正領域３１のＣＤ値をＣＤ１、第２の修正領域３２ＣＤ値をＣＤ２、第３の修正領域３３ＣＤ値をＣＤ３とし、ＣＤ１＞ＣＤ２＞ＣＤ３の場合であれば、例えば、第１の修正領域３１のノズル圧力が一番大きく、第２の修正領域３２のノズル圧力が二番目に大きく、そして、第３の修正領域３３のノズル圧力が一番小さくなる。非修正領域のノズル圧力は例えば第１の実施形態と同じである。
【００５３】
薬液の流量の違いで修正の程度を制御する場合も同様である。すなわち、第１の修正領域３１の流量が一番多く、第２の修正領域３２の流量が二番目に多く、そして、第３の修正領域３３の流量が一番少ない。
【００５４】
第１−第３の修正領域３１−３３のＣＤ値は幅を持っていても構わない。例えば、第１の修正領域３１のＣＤ値はＣＤ１ａ〜ＣＤ１ｂの範囲、第２の修正領域３２のＣＤ値はＣＤ２ａ〜ＣＤ２ｂの範囲、第３の修正領域３３のＣＤ値はＣＤ３ａ〜ＣＤ３ｂの範囲である。大小関係は、ＣＤａ＜ＣＤ１ｂ＜ＣＤ２ａ＜ＣＤ２ｂ＜ＣＤ３ａ＜ＣＤ３ｂである。
【００５５】
本実施形態では、修正領域３が三つの分布を有する場合について説明したが、四つ以上の分布を有する場合も同様である。
【００５６】
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【００５７】
本実施形態が第１および第２の実施形態と異なる点は、液体４１（第２の液体）中で、ステップＳ３（薬液処理（洗浄、修正））を行うことにある。液体４１は、例えば、純水である。図１５において、４２は液体４１を入れる容器を示している。
【００５８】
ノズル１１の吐出口から吐出された薬液１０は、吐出口の直下のパターン面２ａに供給される。薬液１０（第１の液体）は、パターン面２ａの近傍で飛散したり、パターン面２ａから流出する可能性がある。そのため、薬液１０は、さらに、吐出口の周辺のパターン面２ｂ（所定領域以外の領域）に供給される可能性がある。これは洗浄や修正に影響を与える。
【００５９】
そこで、本実施形態では、液体４１中で、ステップＳ３（薬液処理（洗浄、修正））を行う。液体４１の存在により、薬液１０の飛散や流出は起こりにくくなる。また、薬液１０の飛散や流出が起こっても、パターン面２ｂ上の薬液１０は液体４１で薄まるので、所定領域以外の領域に供給される薬液１０の影響は軽減される。
【００６０】
なお、液体４１にマスクを浸してマスク全体を洗浄した後（洗浄工程後）に、ノズル１１から薬液を突出させて修正工程だけを行っても構わない。
【００６１】
（第４の実施形態）
図１６は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するための図である。
【００６２】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、容器内４２内に薬液１０を入れ、ノズルから液体４１を吐出させて、洗浄および修正を行うことにある。
【００６３】
図１７は、このような洗浄および修正が有効なマスクの一例を示す。このマスクの場合、中央が非修正領域、それ以外が修正領域３となっている。なお、非修正領域の位置は中央には限定されず、パターン面２内のどこにあっても構わない。
【００６４】
本実施形態によれば、ノズルから吐出された液体４１（例えば純水）により非修正領域を洗浄すると同時に、容器内４２内の薬液１０により修正領域３の全体を一度に修正できるので、洗浄および修正に要する時間を短縮できるようになる。
【００６５】
（第５の実施形態）
図１８は、第４の実施形態のマスクの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００６６】
第１の実施形態では、パターン面２のＣＤ値の面内分布（マスク面内分布）を取得し、そのマスク面内分布を許容値（ターゲット値）と照らし合わせて、ノズル１１下の領域が修正領域または非修正領域であるかを判断した。
【００６７】
本実施形態では、作成したマスク（ステップＳ１）を用いて、被処理基板の露光を行い（ステップＳ１２）、測定により被処理基板上に形成されたパターンの寸法の分布（被処理基板の面内分布）を取得し（ステップＳ２’）、その被処理基板の面内分布の結果に基づいて、パターン面を修正領域と非修正領域とに分けて異なる条件の薬液処理を行う（ステップＳ３）。ステップＳ３の後は、被処理基板の面内分布を再度取得する（ステップ４２’）。その後のステップＳ６，Ｓ７は第１の実施形態と同じである。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
１…透明基板、２，２ａ，２ｂ…パターン面、３…修正領域、１０…薬液（第１の液体）、１１…ノズル、３１…第１の修正領域、３２…第２の修正領域、３３…第３の修正領域、４１…液体（第２の液体）、４２…容器。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する工程と、
前記パターン面に係る物理パラメータを測定し、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を取得する工程と、
前記パターン面に向けてアンモニア水、純水、硫酸、過酸化水素水またはイソピルアルコールの第１の液体を吐出するノズルを用いて行われ、かつ、前記ノズルと前記パターン面との相対的な位置をずらしながら、前記ノズルから前記パターン面に向けて前記第１の液体を吐出することにより、前記パターン面を前記第１の液体により処理する工程であって、前記ノズルから吐出される前記第１の液体とは異なる第２の液体中に前記マスクを浸した状態で、前記パターン面のうち修正が不要である領域上に前記ノズルが存在する時は第１の条件で前記第１の液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域上に前記ノズルが存在する時は前記第１の条件と異なる第２の条件で前記第１の液体により修正することを含み、前記第１の条件と前記第２の条件とは、前記ノズルから突出される前記第１の液体の種類、圧力および流量の少なくとも一つが異なっており、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係るパターン寸法、透過率、遮光率および位相シフト量の少なくとも一つを含む物理パラメータの修正である前記工程とを含み、
前記パターン面を前記液体により処理する工程において、前記取得した物理パラメータの分布を前記パターン面における前記物理パラメータの許容値と照らし合わせて修正が不要である判断された領域については、前記第１の条件で前記第１の液体により洗浄し、修正が必要である領域と判断された領域については、前記第２の条件で前記第１の液体により洗浄することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する工程と、
前記パターン面を液体により処理する工程であって、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含み、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である前記工程と、
を含むことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項３】
前記パターン面に係る物理パラメータを測定し、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を取得する工程をさらに含み、
前記パターン面を液体により処理する工程において、前記取得した物理パラメータの分布を前記パターン面における前記物理パラメータの許容値と照らし合わせて修正が不要である判断された領域については、前記第１の条件で液体により洗浄し、修正が必要である領域と判断された領域については、前記第２の条件で液体により洗浄することを特徴とする請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記パターン面に向けて液体を吐出するノズルを用いて行われ、かつ、前記ノズルと前記パターン面との相対的な位置をずらしながら、前記ノズルから前記パターン面に向けて前記液体を吐出することを特徴とする請求項２または３に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記修正が不要である領域上に前記ノズルが存在する時と、前記修正が必要である領域上に前記ノズルが存在する時とで、前記ノズルから吐出される前記液体の条件を変えることを含むことを特徴とする請求項４に記載のマスクの製造方法。
【請求項６】
前記ノズルから吐出される前記液体の条件を変えることは、前記ノズルから吐出される前記液体の種類、圧力および流量の少なくとも一つを変えることであることを特徴する請求項５に記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記パターン面を液体により処理する工程の後に、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を再び取得し、この再び取得した前記物理パラメータの分布を前記許容値と照らし合わせて、前記パターン面が正しく修正された否かを決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記ノズルから吐出される液体とは異なる液体中に前記マスクを浸した状態で行うことを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
前記パターン面に係る物理パラメータは、パターン寸法、透過率、遮光率および位相シフト量の少なくとも一つであることを特徴とする請求項２ないし８のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン面を液体により処理する工程において、前記液体は、アンモニア水、純水、硫酸、過酸化水素水またはイソピルアルコールであることを特徴とする請求項２ないし９のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項１】
被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する工程と、
前記パターン面に係る物理パラメータを測定し、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を取得する工程と、
前記パターン面に向けてアンモニア水、純水、硫酸、過酸化水素水またはイソピルアルコールの第１の液体を吐出するノズルを用いて行われ、かつ、前記ノズルと前記パターン面との相対的な位置をずらしながら、前記ノズルから前記パターン面に向けて前記第１の液体を吐出することにより、前記パターン面を前記第１の液体により処理する工程であって、前記ノズルから吐出される前記第１の液体とは異なる第２の液体中に前記マスクを浸した状態で、前記パターン面のうち修正が不要である領域上に前記ノズルが存在する時は第１の条件で前記第１の液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域上に前記ノズルが存在する時は前記第１の条件と異なる第２の条件で前記第１の液体により修正することを含み、前記第１の条件と前記第２の条件とは、前記ノズルから突出される前記第１の液体の種類、圧力および流量の少なくとも一つが異なっており、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係るパターン寸法、透過率、遮光率および位相シフト量の少なくとも一つを含む物理パラメータの修正である前記工程とを含み、
前記パターン面を前記液体により処理する工程において、前記取得した物理パラメータの分布を前記パターン面における前記物理パラメータの許容値と照らし合わせて修正が不要である判断された領域については、前記第１の条件で前記第１の液体により洗浄し、修正が必要である領域と判断された領域については、前記第２の条件で前記第１の液体により洗浄することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するマスクパターンを含むパターン面を基板に形成する工程と、
前記パターン面を液体により処理する工程であって、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含み、前記修正は、前記パターン面の前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である前記工程と、
を含むことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項３】
前記パターン面に係る物理パラメータを測定し、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を取得する工程をさらに含み、
前記パターン面を液体により処理する工程において、前記取得した物理パラメータの分布を前記パターン面における前記物理パラメータの許容値と照らし合わせて修正が不要である判断された領域については、前記第１の条件で液体により洗浄し、修正が必要である領域と判断された領域については、前記第２の条件で液体により洗浄することを特徴とする請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記パターン面に向けて液体を吐出するノズルを用いて行われ、かつ、前記ノズルと前記パターン面との相対的な位置をずらしながら、前記ノズルから前記パターン面に向けて前記液体を吐出することを特徴とする請求項２または３に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記修正が不要である領域上に前記ノズルが存在する時と、前記修正が必要である領域上に前記ノズルが存在する時とで、前記ノズルから吐出される前記液体の条件を変えることを含むことを特徴とする請求項４に記載のマスクの製造方法。
【請求項６】
前記ノズルから吐出される前記液体の条件を変えることは、前記ノズルから吐出される前記液体の種類、圧力および流量の少なくとも一つを変えることであることを特徴する請求項５に記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記パターン面を液体により処理する工程の後に、前記パターン面における前記物理パラメータの分布を再び取得し、この再び取得した前記物理パラメータの分布を前記許容値と照らし合わせて、前記パターン面が正しく修正された否かを決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
前記パターン面を液体により処理する工程は、前記ノズルから吐出される液体とは異なる液体中に前記マスクを浸した状態で行うことを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
前記パターン面に係る物理パラメータは、パターン寸法、透過率、遮光率および位相シフト量の少なくとも一つであることを特徴とする請求項２ないし８のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン面を液体により処理する工程において、前記液体は、アンモニア水、純水、硫酸、過酸化水素水またはイソピルアルコールであることを特徴とする請求項２ないし９のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−７３０４９（Ｐ２０１３−７３０４９Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１２３３４（Ｐ２０１１−２１２３３４）
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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