【課題】エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好なエッチング条件を見出すことができるパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件を、フォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム（Ｃ１）と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム（Ｃ２）とを測定し、両者のクリアタイム比（Ｃ１／Ｃ２）により評価する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の性能を、フォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でのエッチングクリアタイム（Ｃ１）と、エッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でのエッチングクリアタイム（Ｃ２）とを測定し、両者のクリアタイム比（Ｃ１／Ｃ２）により評価する。
【効果】良好なエッチング性能を与えるエッチングマスク膜を選定することができ、このようなエッチングマスク膜を用いたフォトマスクブランクから、フォトマスクを作製すれば、パターン形成膜へのフォトマスクパターンの転写性が良好であり、パターン欠陥の少ないフォトマスクを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】被照射体を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置または近接露光装置に被照射体と平行に設置して、１度の露光で複数の異なる角度の斜め露光を、被照射体に対して行うことができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を、被照射体に傾斜させて出射するフォトマスクであって、透明基板の照射面側に、回折光学素子が形成され、透明基板の出射面側に、回折光学素子からの回折光を選択的に透過する光透過部のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１であって、可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部５を形成した板体で構成され、前記フィルム２を保持する保持部材３と、備え、前記フィルム２は、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材３の前記開口部５内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターン４を備えている。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのマスクパターンを、転写パターンの適正な寸法値を用いて、精度良く補正する。
【解決手段】フォトマスクのマスクパターンがレジストに転写され、その転写パターンの寸法が、測長ＳＥＭ等、電子線照射を含む方法を用いて計測される。マスクパターン補正装置５０は、寸法予測値算出部５１により、転写パターンの寸法計測データ６１、及び当該計測時に電子線が照射された領域（観察領域６２）におけるレジストの情報を用いて、転写パターンの電子線照射前の寸法予測値を算出する。そして、算出された寸法予測値を用いて、フォトマスクのマスクパターンデータ６３を補正する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光におけるフレアを低減する。
【解決手段】ＥＵＶ露光時にマスクを介して発生するフレア量を評価するステップと、フレア量の評価結果に基づいてマスクにダミーマスクパターンを付与するステップと、ダミーマスクパターンが付与されたマスクを介してＥＵＶ露光されたレイアウトパターンについてのフレア補正および近接効果補正を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上したＯＰＣ（光学近接効果補正）設計プロセスを提供する。
【解決手段】ＯＰＣ（光学近接効果補正）設計プロセスは、所定の投影ツールのスキャナパラメータをソフトウェア提供業者に提供することと、前記スキャナパラメータを、レチクル設計を行うためのソフトウェアに取り込むことと、前記ソフトウェアを、前記レチクル設計に用いるために、半導体デバイスメーカーに提供することを含む。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのマスクパターンを、フレアの影響を適正に反映させて、精度良く補正する。
【解決手段】マスクパターン補正装置５０は、マスクパターンデータ６１を複数の単位領域に分割する分割部５１、分割された各単位領域のパターン密度を算出するパターン密度算出部５２、任意の単位領域のフレア強度を算出するフレア算出部５４を含む。フレア算出部５４は、単位領域のフレア強度を、露光装置でフォトマスクと被転写体の間に配置されるスリットを基に設定された領域範囲６３で、当該単位領域のパターン密度と、フレア量を距離の関数で表したＰＳＦ６２の値との畳み込み積分により算出する。補正部５５は、算出されたフレア強度を用いてマスクパターンデータ６１を補正する。 （もっと読む）

【課題】入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法を提供する。
【解決手段】レジスト層内のある深さでの入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、レジスト層内の前記深さでの入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界からレジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、を含む方法が本明細書に記載されている。 （もっと読む）

【課題】原版の合否判定の精度を維持しつつ、合否判定に要する時間を短縮できる原版評価方法を提供すること。
【解決手段】Ｎ個のパターンからＮ１個（Ｎ１＜Ｎ）のパターンを選択する際に、予め定めた第１の選択基準に基づいて選択する（Ｓ３）。Ｎ１個のパターンの測定結果に基づいて、Ｎ１個のパターンのそれぞれについて測定値を取得する（Ｓ４）。前記取得した測定値が許容できる値か否かを判断する（Ｓ５）。Ｎ個のパターンのうちＮ１個のパターンを除いた、Ｎ２個（Ｎ１＋Ｎ２≦Ｎ）のパターンを選択する際に、第２の選択基準に基づいて選択する（Ｓ６）。Ｎ２個のパターンに係る画像を取得し、その画像に基づいて、被転写基板上に転写されるＮ２個のパターンに対応する転写パターンの形状を予測する（Ｓ７）。予測した転写パターンの形状が許容できる形状であるか否かを判断する（Ｓ８）。Ｓ５およびＳ８の判断結果に基づいて前記原版を評価する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを考慮してエッチングパターンを作成することのできるエッチングパターン作成方法、エッチングパターン作成装置、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体を提供しようとするものである。
【解決手段】 導体パターンを含む設計データから上記導体パターンの外形形状であるアウトライン形状を作成するアウトライン形状作成手段と、上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状に対する補正値を設定する設定手段と、上記設定手段により設定された補正値分だけ上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状を補正してエッチングパターンを作成するエッチングパターン作成手段とを有するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションモデルの精度を向上させることができるシミュレーションモデル作成方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のシミュレーションモデル作成方法では、マスクのパターンを露光量及びフォーカス値を変化させて第１の基板上に転写することでレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの線幅を計測する。そして、計測値内から前記露光量及びフォーカス値のばらつきに起因して第１の許容変動範囲外となる計測値を削除する。さらに、計測値内からパターン特徴量に起因して第２の許容変動範囲外となる計測値をパターン特徴量毎に判定して削除する。また、計測値内からマスクのパターン線幅のばらつきに起因して第３の許容変動範囲外となる計測値を削除する。そして、削除されなかった計測値を用いてシミュレーションモデルを作成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造期間を短縮できると共に、効率的に開発を行なって製造歩留を向上させることが可能なマスクデータ検証装置を提供すること。
【解決手段】マスクデータ検証装置は、設計レイアウト２１と既存種ライブラリ２２に格納される設計レイアウトパターンとを比較して、同一でなく類似でもない設計レイアウトパターンを新種の設計レイアウトパターンとして抽出する（Ｓ６２）。そして、新種ライブラリ２３に格納された新種の設計レイアウトパターンに対してＯＰＣ／ＲＥＴを用いてマスクデータを作成し（Ｓ６３）、後検証を行なう（Ｓ６４）。したがって、予め新種の設計レイアウトパターンの検証が行なえ、半導体装置の製造期間を短縮できると共に、効率的に開発を行なって製造歩留を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】少ないデータ量で製造できる、マスクに干渉縞（モアレ）を生じない濃度分布マスクを得る。
【解決手段】複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をＮＡとし、前記遮光膜パターンの拡大率をｎ倍とし、露光する光の波長をλとすると、Ｐ≦ｎλ／ＮＡのピッチＰで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Ｗが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を露光光の波長λの４分の１以下の変位量の範囲でランダムに変位させる。 （もっと読む）

【課題】マスク描画時間を短縮して、微細パターンを有する高品質のマスクを作製することができるマスクデータ生成方法及びこのマスクデータ生成方法によるマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに光近接効果補正処理を行って、フラクチャ数の多い描画データを作成する工程と、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行ってマスク描画データを作成する工程と、前記グリッドサイズが拡大された前記マスク描画データによるマスク転写特性をシミュレーションにより評価する工程と、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズのマスク描画デ−タをマスク描画に適用する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの欠陥検査では検出されない潜在化したマスクブランクにおける欠陥の発生を抑制するマスクブランクの表面処理方法等を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクの表面に処理液を用いて表面処理を行うマスクブランクの表面処理方法であって、前記薄膜は、イオン主体のドライエッチングが可能な材料からなり、前記処理液に含まれるエッチング阻害物質の濃度が、０．３ｐｐｂ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、より具体的には、リソグラフィ装置の解像限界を超えてターゲットパターンを印刷するための多重パターニングリソグラフィに関する。ここではリソグラフィプロセスにより基板上に結像されるパターンを複数のサブパターンに分割する方法を開示する。
【解決手段】この方法は、サブパターンのうちの少なくとも１つと、リソグラフィプロセスに使用されるリソグラフィ装置の光学設定との間の共最適化の要件を認識するように構成された分割ステップを含む。回折シグネチャ解析に基づくインテリジェントパターン選択を含む、デバイス特徴最適化技術を、多重パターニングプロセスフローに統合することもできる。 （もっと読む）