【課題】デフォーカス時において、レジストパターンのコーナー部での断線の抑制が可能であり、マスク作成工程におけるプロセスマージンを拡大する。
【解決手段】第１のコーナー部を有する帯状パターンを含むマスクパターンの設計レイアウトデータに対してＯＰＣ処理を行う工程ＳＴＥＰ１と、ＯＰＣ処理されたマスクパターンを用いて、プロセスコンディション変動時の条件で露光した際のレジストパターンの形状を取得する工程ＳＴＥＰ２と、第１のコーナー部に対応するレジストパターンの第２のコーナー部の幅を取得する工程ＳＴＥＰ６と、第２のコーナー部の幅が所定の基準値以下である場合、透光性基板に形成された帯状パターンの第１のコーナー部の内側に補正パターンを配置する工程ＳＴＥＰ８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】一回のフォトリソグラフィー法における露光工程により、高さの異なる複数種類の突起状パターンを適正な高さと形状を保持して同時に形成するためのフォトマスクを提供すること。
【解決手段】高さの異なる複数種類の突起状パターンを露光対象基板の同一面側に製造する際に用いる、異なる高さの突起状パターン形成に対応したフォトマスクであって、最も高い突起状パターンを除く突起状パターンを形成するためのマスクパターンをフォトマスクの開口部に半透過性のハーフトーン膜により設け、かつ、ハーフトーン膜を用いるマスクパターンをハーフトーン膜を用いない最も高い突起状パターン形成に対応するマスクパターンよりも低く設けた透明基材表面に有する。 （もっと読む）

【課題】 転写能力を損なわずに洗浄を行えるマスクを提供すること。
【解決手段】 実施形態のマスクは、露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクである。前記パターンに対応するパターン（以下、メインパターンという）２と、前記メインパターン２の隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン（以下、サブパターンという）とを具備する。前記サブパターンは、前記メインパターンの隣りに配置された第１のサブパターン３と、前記第１のサブパターン３に接触するように、前記第１のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第２のサブパターン４とを含む。さらに、Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ₀ ））を満たす。Ｐは第２のサブパターンの配置ピッチ、ＮＡは露光装置の開口数、λは露光装置を用いてメインパターンを転写する時の露光波長、σ₀ は露光装置を用いてメインパターンを転写する時の最大σである。 （もっと読む）

【課題】透過率の微妙な調整が可能であり、さらにはカラーフィルタにおける３種以上の異種部材を形成するのに有用な階調マスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１２と、上記透明基板１２上にパターン状に形成された遮光膜１３および透過率調整機能を有する半透明膜１４とを有し、上記透明基板１２のみを有する透過領域２１と、上記透明基板１２上に上記遮光膜１３のメインパターンが設けられた遮光領域２２と、上記透明基板１２上に上記半透明膜１４の補助パターンのみが設けられ、上記半透明膜１４の補助パターンおよび開口部の少なくともいずれか一方が解像限界以下の寸法をもつ第２半透明領域２４とを有する階調マスク１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの設計データの補正の効率化を図る。
【解決手段】本実施形態の設計データの補正方法は、半導体デバイスの配線レイアウトを示す第１の設計データに対して、変換差予測点が設定された第１のラインパターンとそれに隣接する第２のラインパターンとの開口角モデルを作成するステップ（ステップＳＴ１）と、開口角モデルに基づいて第１及び第２のラインパターンのライン幅及び間隔の少なくとも一方を補正し、前記第１の設計データを、補正された前記第１及び第２のラインパターンを含む第２の設計データに補正するステップ（ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングする際のパターン寸法が比較的大きい箇所と微細寸法箇所との掘り込み量の差であるＲＩＥラグを低減させることを目的とする。
【解決手段】順に、開口領域を形成した遮光膜を透明基板上に有する基板を準備する工程と、前記基板にポジ型レジストを塗布する工程と、レジスト塗布後、遮光膜の開口領域のうち位相シフタ形成領域をレジストから開口させる描画工程と、現像工程と、現像工程後、開口させた位相シフタ形成領域を、ドライエッチングにて透明基板を掘り込むエッチング工程と、残存したレジストを除去する工程とを備え、前記描画工程は、レジストが位相シフタ形成領域に重ならないように所定のマージンを持つように描画するものであり、前記所定のマージンは、前記ドライエッチングによる掘り込み量の位相シフタ形成領域の寸法による不均一を緩和するように、位相シフタ形成領域の寸法に応じて設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光性能の高い遮光領域を有する反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板表面に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され、回路パターンを有する吸収層とを具備する反射型マスク。前記回路パターンの領域の外側に、前記吸収層および前記多層反射層が除去された遮光領域が形成され、前記多層反射層に形成された前記遮光領域の底部の開口幅は、前記吸収層に形成された前記遮光領域の開口幅よりも広いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１ショット当たりのチップパターン数を増やすと共に、ステップ送りが複雑にならずにレチクルパターン同士が隙間なく互いに嵌まり込んで、高解像度領域を最大限有効に利用することができてスループットの向上を図る。
【解決手段】ステッパ装置１０の円形の有効露光領域２３内に複数のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２を収めた露光用レチクル２において、４×４の１６個のチップパターン２１から４角のチップパターンを取った１２個のチップパターン２１を有するか、または別の見方で、２×２の４個のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２の４辺の辺全部から上下に突き出たチップパターン２１が２個づつで、左右に突き出たチップパターン２１も２個づつである。 （もっと読む）

【課題】位相シフト効果を生じさせるために遮光部に所定の光透過性を持たせた多階調フォトマスクにおいて、遮光部内での透光部や半透光部との境界から離れた領域にて、被加工体上のレジスト膜の感光を抑制する。
【解決手段】透明基板上に成膜された光学膜をパターニングすることにより形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備え、被加工体上に、複数の異なる残膜値をもつレジストパターンを形成する多階調フォトマスクにおいて、光学膜は、多階調フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の位相を略１８０度シフトさせる作用をもつとともに、代表波長の光に対して３％〜５０％の透過率を有し、透光部と半透光部においては、透明基板表面の一部が露出し、遮光部は、多階調フォトマスクの露光条件において解像しない線幅の微細透過パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】
基板での露光ムラの発生を抑制することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】
露光光源３からの露光光を遮る遮光部１１と前記露光光を透過させる透光部１２とを備え、一定方向Ａに搬送中の露光対象物２の露光に使用されるフォトマスク１であって、
前記透光部１２を介して露光される露光対象部分２１の、前記露光対象物２の搬送方向Ａと垂直な方向Ｂの全幅Ｗに渡って露光量Ｅが等しくなるように、前記透光部１２の各部の前記搬送方向Ａの長さｌが決定されたものである。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止することができる、マスクレイアウト分割方法及びマスクレイアウト分割装置を提供する。
【解決手段】複数の種類の各々のセルのセルレイアウトデータを取得するステップと、前記セルレイアウトを複数のマスクレイアウトに分割する際に発生するパターン分断部分の複数の候補を、複数の分断候補として設定し、前記複数の種類の各々のセルに対応する分断候補付きセルレイアウトデータを生成するステップと、前記分断候補付きセルレイアウトデータに基づいて、複数のセルを含むフルチップのレイアウトを示すフルチップレイアウトデータを生成し、そのデータに示される前記複数の分断候補の中から採用する分断候補群を選択するステップと、前記選択した分断候補群でパターンが分断されるように前記フルチップレイアウトデータが示すレイアウトを分割するステップと、分割結果を示す分割レイアウトデータを生成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制できるマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクの製造方法は、被処理基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターン面を含むパターン面を基板に形成する工程（Ｓ１）を含む。次に、前記パターン面を液体により処理する工程を行う（Ｓ３）。この工程（Ｓ３）において、前記パターン面のうち修正が不要である領域は第１の条件で液体により洗浄し、前記パターン面のうち修正が必要である領域は前記第１の条件と異なる第２の条件で液体により修正することを含む。また、前記修正は、前記マスクパターンの前記被処理基板上への転写特性に影響を及ぼす、前記パターン面に係る物理パラメータの修正である。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセス条件を決定するための良好な方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスのためのリソグラフィプロセス条件を決定する方法およびシステムが記載される。入力を取得した後、非矩形状サブ分解能アシスト特徴部を許容する条件下で、照明光源特よびマスク設計について第１の最適化を行う。続いて、矩形状サブ分解能アシスト特徴部だけが許容される１つ又はそれ以上の追加の最適化において、マスク設計が最適化される。これにより良好なリソグラフィプロセスが得られるとともに、マスク設計の複雑性を制限する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる配線レイアウトの設計方法、半導体装置及び配線レイアウトの設計を支援するプログラムを提供する。
【解決手段】実施形態に係る配線レイアウトの設計方法は、側壁法によって形成されるレイアウトの設計方法であって、第１の方向に延び、前記第１の方向と交差する第２の方向に第１の周期で配置された複数本の第１のパターン、及び、前記第１の方向に延び、前記第１のパターン間の中央にそれぞれ配置された複数本の第２のパターンが設けられたベースパターンを用意する工程と、１本の前記第２のパターンを挟んで隣り合う２本の前記第１のパターン間に、前記第２の方向に延び、前記２本の第１のパターン同士を接続すると共に、前記１本の第２のパターンを前記２本の第１のパターンと接しない２つのパターンに置き換える工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光におけるフレアを低減する。
【解決手段】ＥＵＶ露光時にマスクを介して発生するフレア量を評価するステップと、フレア量の評価結果に基づいてマスクにダミーマスクパターンを付与するステップと、ダミーマスクパターンが付与されたマスクを介してＥＵＶ露光されたレイアウトパターンについてのフレア補正および近接効果補正を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法を提供する。
【解決手段】レジスト層内のある深さでの入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、レジスト層内の前記深さでの入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界からレジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、を含む方法が本明細書に記載されている。 （もっと読む）

【課題】アウトオブバンド光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】吸収層や多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させた遮光枠を形成するとともに、裏面導電膜の遮光枠領域の部分も除去することによって、基板を透過したアウトオブバンド光が反射型マスクの表面に戻らないようにして、チップ外周部が重なる領域についての多重露光を軽減することを可能にした。更に、この吸収層や多層反射層、導電膜などをレーザー光を用いて一括して除去することにより、精度が良く、スループットを高く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】既存のフォトマスクの転写パターンを形成する層構造を変更することなく、位置合わせマークの転写による二重露光されて半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラが生ずるのを防止するフォトマスクを実現する。
【解決手段】フォトマスク１００を構成するマスク基板１０８を、半導体ウエハ１の隣接する複数のチップ領域１ａに対応し、１つのチップ領域１ａに対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Ｒｐ１〜Ｒ４を含むパターン形成領域１１０と、マスク基板１０８のパターン形成領域１１０内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、半導体ウエハ１のスクライブ領域Ｈｓ及びＶｓに対応するスクライブ対応領域１４０及び１５０とを有する構造とし、フォトマスクの位置合わせマーク１１０ａを、マスク基板１０８上の、パターン形成領域１１０の外側に、スクライブ対応領域１４０の延長線上に位置するよう配置した。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの微細化に伴う倒壊または抜け不良を低減する。
【解決手段】パターン生成装置１１において、露光に基づいて形成されるパターンおよびパターン周辺の光強度を算出する光強度算出部１１ａと、前記パターンおよびパターン周辺の光強度を評価する光強度評価部１１ｂと、光強度評価部１１ｂによる評価結果に基づいて前記パターンの補正データを出力するデータ出力部１１ｃとを備える。 （もっと読む）