【課題】オーバーレイ測定、非対称性測定、およびインダイオーバーレイターゲットの再構築を可能にする。
【解決手段】四分くさび光デバイス（ＱＷ）は、基板から散乱した放射の回折次数を別々に再誘導し、第１方向および第２方向の各々に沿って照明から回折次数を分離する。例えば、０次（０、０’）および１次（−１、＋１’）を、各入射方向について分離する。マルチモードファイバ（ＭＦ）での捕捉の後、スペクトロメータ（Ｓ１−Ｓ４）を使用して波長（Ｉ_０’（λ）、Ｉ_０（λ）、Ｉ_＋１’（λ）、およびＩ_−１（λ））の関数としての空間的に再誘導された回折次数の強度を測定する。そして、これをオーバーレイエラーの計算、または単一格子の非対称パラメータの再構築に用いる。 （もっと読む）

【課題】局所加工ツールによる加工時間と加工量の相関が一意に定まらない場合でも、高精度で高速な加工が可能な形状加工方法を提供する。
【解決手段】各加工点Ｐ_ｉにおける局所加工ツールによる加工量を加工中に逐次測定し、加工量の時間変化を推定して、加工点間の移動時に加工される加工量Ｖ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ}およびＶ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ＋１}を計算する。このように計算により求めた移動中の加工量と、現加工点における加工量Ｖ_ｉとの和が、現加工点Ｐ_ｉの所望加工量Ｖ_ｉ，ｆ以上となった時に、次の加工点Ｐ_ｉ＋１への局所加工ツールの移動を開始する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング深さを短時間で計算することができる時間応答性に優れたエッチング深さの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング深さの検出方法は、半導体ウエハに光Ｌを照射する工程と、被エッチング層Ｅの上面及び被エッチング部Ｅ’の表面からの反射光Ｌ_０による周期変動する干渉光Ｌ_１を検出する工程と、干渉光強度から近似式(6)の定数Ｉ_ｄｃ、Ｉ_ｐｐ、γを決定する近似式定数決定工程と、定数Ｉ_ｄｃ、Ｉ_ｐｐ、γの決定した近似式(6)と干渉光強度の極値Ｉ_１、Ｉ_２、Ｉ_３とに基づきエッチング深さδ(ｔ)を算出するエッチング深さ算出工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】撮像画像のみで検出でき、かつ異物やムラに影響されずに正確なエッジ座標を検出して形状変化を精度よく検出できるパターン変化検出方法を提供すること。
【解決手段】パターン変化検出工程Ｓ２は、検査領域設定工程Ｓ２１と、エッジ検出基準データ取得工程Ｓ２２と、基準データを求めるパターン領域基準データ検出工程Ｓ２３と、基準データから設定したエッジ検出用輝度値に一致するエッジ位置を取得するエッジ位置取得工程Ｓ２４と、検査領域全体のエッジデータを取得するエッジデータ取得工程Ｓ２５と、エッジ位置が基準から所定閾値以上離れたパターン変化領域候補を検出するパターン変化領域候補検出工程Ｓ２６と、領域候補がエッジ方向に所定幅以上連続するかを判定するパターン変化領域幅判定工程Ｓ２７と、所定幅以上連続する領域を輝度微分処理してパターン変化箇所を判別するパターン変化箇所判別工程Ｓ２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】直交表を用いた形状測定において理論波形情報と測定波形情報との適合度が飽和する場合であっても、対象物の微細な表面形状を精度よく求める。
【解決手段】基板の表面形状モデルを表す複数のパラメータに関する直交表が準備された後、比較演算部５３では、基板上の測定領域における光学特性と波長との関係を示す測定波形情報と直交表の各行に対応する理論波形情報との適合度を求めて水準値の一の組合せを選択する処理が行われる。パラメータ値決定部５４では選択された組合せを基準として直交表を更新しつつ比較演算部５３における当該処理を更新後の直交表に対して繰り返させ、最大となる適合度が飽和する場合に、長さに関する一のパラメータを選択し、当該長さを分割した新たな表面形状モデルを生成して、新たな直交表が演算対象として生成される。これにより、基板の微細な表面形状を精度よく求めることが実現される。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路の不良箇所を精度よく特定できるようにする。
【解決手段】
表面に配線層が形成され半導体集積回路が構成されたシリコン基板を、以下の工程を備えて部分的に薄膜化する。
（Ａ）シリコン基板の配線層を残したままで機械的強度を維持できる範囲で裏面側を均一に薄膜化する工程、
（Ｂ）その後、前記シリコン基板の裏面側から不良箇所を特定する工程、
（Ｃ）前記シリコン基板を裏面側から加工して前記不良箇所を含む領域のシリコン基板を部分的にさらに薄膜化する工程、
（Ｄ）前記シリコン基板の裏面側から光を照射してそれによる干渉縞の生成により厚さを測定する工程を少なくとも含み、前記工程（Ｃ）で薄層化する部分のシリコン基板厚さを測定する工程。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象物を実際にエッチングする環境下でのエッチングマスクに対するエッチング対象物のエッチング選択比を求めることができるエッチング選択比測定方法およびエッチング選択比測定装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象物６および回折格子パターン７による回折光に基づいて、エッチング前の回折格子パターン７の高さＨ１と、エッチング後の回折格子パターン７の測定用長波長半導体レーザ側の表面から溝の底面までの距離と、溝の深さとを求める。これらに基づいて、エッチング前の回折格子パターン７の高さとエッチング後の回折格子パターン７の高さとの差を求める。この差と溝の深さとに基づいて、エッチングマスク５に対するエッチング対象物６のエッチング選択比を導き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 均一でむらのないスリット光を生成できるスリット光照射装置を提供
する。
【解決手段】 本発明になるスリット照射装置は、パターン検査方法およびパタ
ーン検査装置に用いられるスリット光照射装置であって、光を照射する発光部と
、この発光部から照射された光を均一に拡散する光拡散部と、この光拡散部で得
られた均一な拡散光を受けて平行光を生成する第一の平行光生成部と、この第一
の平行光生成部からの平行光を受けて予め決められた幅のスリット光を生成する
スリット光生成部と、このスリット光生成部からの予め決められた幅のスリット
光を受けてそのままの幅の平行光を生成する第二の平行光生成部と、を具備する
ことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電処理を行うプラズマ放電処理装置のプラズマ電極間距離およびプラズマの分光強度を測定するための光情報を同時に伝送可能な測定プローブおよびそれを用いて間隙距離測定および分光強度測定を行う測定装置を提供する。
【解決手段】測定プローブ１は、プラズマ放電処理装置Ｐにおけるプラズマ電極Ｅ１、Ｅ２間の距離を測定するための光情報と、プラズマ電極Ｅ１、Ｅ２間に形成される放電空間におけるプラズマの分光強度を測定するための光情報とを同時に伝送する光導部材２を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体フォトマスク処理システムにおける交互位相シフトフォトマスクのエッチング間のエッチング深度を測定する方法および機器を提供する。
【解決手段】エッチング処理システム内で基板のエッチング深度を測定する機器は、エッチング処理システムのメインフレームと結合した測定セルと、測定セルの底部と結合したエッチング深度測定器具とを備え、測定セルの底部における開口部により、エッチング深度測定器具と基板の間を光ビームが通過することが可能になる。本発明の実施形態は更に、石英基板を初期エッチング深度にまで部分的にエッチングし、次に、統合測定器具によってエッチング深度を測定することで交互位相シフトマスクを準備する方法に関する。その後、基板が対象のエッチング深度に達するまで、エッチングおよび測定が繰り返される。 （もっと読む）

【課題】透明膜の段差の測定方法に関し、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定すること。
【解決手段】第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n の段差量ｔ₁ ，…．ｔ_n と該第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ₁ を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程を含む。 （もっと読む）