【課題】一方主面に薄膜が形成された透明で平板状の基材の厚みを計測する厚み計測装置および厚み計測方法において、薄膜の光学的特性に影響されることなく、基材の厚みを高精度に計測する。
【解決手段】対物レンズ４５５の合焦位置ＦＰを、ブランケットＢＬの下面ＢＬｔよりも下方位置Ｚminから上面ＢＬｆよりも上方位置Ｚmaxまで、一定の刻みΔＺでステップ的に上昇させながらその都度撮像を行う。撮像位置と受光強度との関係において、ブランケットＢＬの上面ＢＬｆおよび下面ＢＬｔに対応するピーク間の距離から、ブランケットＢＬの厚みＤｚを求める。 （もっと読む）

【課題】波長差に起因する計測誤差を低減して高精度な位置検出を行う位置検出装置を提供する。
【解決手段】基準マークＳＭを利用して被検出体ＷＭの位置を検出する位置検出装置であって、第１の波長帯域を有する計測光を用いて被検出体ＷＭを照明する第１の照明光学系５と、第２の波長帯域を有する基準光を用いて基準マークＳＭを照明する第２の照明光学系１３と、被検出体ＷＭからの光束および基準マークＳＭからの光束を検出する検出光学系１０と、検出光学系１０で検出された光束に基づいて被検出体ＷＭの位置を検出する位置検出部４８とを有し、基準光の第２の波長帯域は、計測光の第１の波長帯域の上限と下限との間に設定されている。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥２１１が生じている開口パターン２０４の近傍の吸収層２０３に、開口パターン２０４よりも微細な開口径を有する補助パターン３０１を形成する。この補助パターン３０１は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン２０４を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 （もっと読む）

【課題】 板状体の正面を塞がずに、かつ光源と受光素子とを備えている投受光センサを用いて、板状体を確実に検出する。
【構成】 検出装置は板状体が所定位置に存在するか否かを検出する。検出装置は、板状体の一側面へ向けて斜めにスポット状の検出光を投光する光源と反射光を受光する受光素子とを備えている投受光センサと、投受光センサから見て板状体よりも遠方にあり、かつ板状体が存在しない場合、検出光を拡散反射する拡散反射部と、投受光センサへ入射する反射光の所定の強度以下であることから、板状体を検出する検出部、とを備えている。板状体の側面が透明の場合、板状体の側面へ入射した検出光は板状体の内部で複数回反射し投受光センサとは異なる方向へ出射し、板状体の側面が鏡面状の反射面の場合、板状体の側面へ検出光は斜めに入射して投受光センサとは異なる方向へ正反射する。 （もっと読む）

【課題】パターンのムラ欠陥の生じない描画条件を導出し、製品の歩留まりを向上する。
【解決手段】基板上に描画するパターンのムラ欠陥が発生しない描画条件を導出する方法であって、基板上に形成するパターンを生成するパターン情報生成工程Ｓ１と、パターンに対して、複数の描画項目の組み合わせによる、２通り以上の描画条件を設定する描画条件設定工程Ｓ２と、前記生成されたパターンを抜き取り、補助基板上に、前記各描画条件のもとに、矩形領域をなす補助パターンを形成する補助パターン描画工程Ｓ３と、補助基板に対して照明光を入射し、補助パターンから生じる回折光を光電変換素子にて画像として取得し、ムラ欠陥に関するムラ評価値とムラ発生周期とを求めことにより、複数の描画条件の中からムラ欠陥が生じない描画条件を導出する描画条件判定工程Ｓ４とを含むパターンの描画条件導出方法である。 （もっと読む）

【課題】ブランクマスクの欠陥等に起因する測定値の誤り発生を招くこと無しに、ブランクマスクの所望領域の表面粗さを迅速に測定する。
【解決手段】露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第１のステップと、任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第２のステップと、任意領域の全ての点において第２のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第３のステップと、第３のステップで得られた平均値を、任意領域の表面粗さとして出力する第４のステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、取得したスペクトルから基板上に形成した膜の複数の測定点に対する光学定数を唯一の値として求めることができる光学特性測定装置および光学特性測定方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光源１０と、検出器４０と、データ処理部５０とを備えている。データ処理部５０は、モデル化部と、解析部と、フィッティング部とを備えている。複数の膜モデル式を連立させ、複数の膜モデル式に含まれる光学定数が同一であるとして所定の演算を行ない、算出した膜の膜厚および光学定数を膜モデル式に代入して得られる波形と、検出器４０で取得した波長分布特性の波形とのフィッティングを行なうことにより、複数の膜モデル式に含まれる光学定数が同一で、解析部で算出した膜の膜厚および光学定数が正しい値であることを判定する。 （もっと読む）

【課題】 シート材を高速搬送させても短時間で観察画像を取得することができ、シート材が搬送方向と垂直な方向であって、前記観察部の視野内にある前記シート材の搬送方向と直交する方向（つまり、シート材の厚み方向や幅方向）にバタツキや揺動を生じたとしても、観察画像の品質及び評価の質が損われることを防ぐことができる、シート材端部の観察・評価装置及び方法を提供する。
【解決手段】 観察対象となるシート材の端部を搬送させながら観察し、
観察視野範囲の一部分を観察領域として登録し、当該領域を別個に複数登録でき、当該観察部の外部から複数の部分観察領域を選択するかを指示して、複数登録された中から一つの部分観察領域に切り替える部分観察領域切替機能を有し、
シート端部位置検出器から得られた信号に基づいて観察部に対して部分観察領域が切り替わるように信号出力する、シート材端部の観察評価装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価可能な欠陥特性評価装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反射型サンプル基板であるマスク基板１１上の被検欠陥１２に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、マスク基板１１上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光光学系１０と、集光光学系１０により集光され、マスク基板１１上にコヒーレント光を照射する照射部１６と、照射部１６により照射された照射パタン領域１３ｂからの回折光を２次元的に受光する二次元検出器１３と、二次元検出器１３による受光結果である画像情報を記録する記録部１７と、記録部１７により記録された画像情報から、被検欠陥１２の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスクの歪の影響によらずパターンの良否を正確に判定することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】マスク上の任意の少なくとも４点の座標を測定する（Ｓ１０１）。次いで、これらの少なくとも４点について、それぞれ対応する設計データの各座標との差を求め、最も差の大きい１点を選択する（Ｓ１０２）。次に、選択した１点と設計データの座標との差が予め設定した閾値を超えるか否かを判定する（Ｓ１０３）。閾値以下であれば、少なくとも４点全てを用いて、光学画像と参照画像との位置合わせを行う（Ｓ１０４）。一方、閾値を超える場合には、この点を除外し、残りの少なくとも３点を用いて位置合わせを行う（Ｓ１０５）。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】過度の欠陥検出を抑制することにより、不必要な欠陥修正を低減することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】センサ１０６からマスク１０１の光学画像を取得するし、光学画像におけるパターンの寸法と、判定の基準となる基準画像におけるパターンの寸法とを測定し、これらから第１の誤差を求める。マスク１０１上の光学画像と基準画像について各転写像を推定し、これらの転写像におけるパターンの寸法を測定して第２の誤差を求める。各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する。欠陥と判定された箇所における第２の誤差を第１の誤差で補正する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）

【目的】コヒーレント光の干渉性をより排除することが可能な照明装置を提供する。
【構成】照明装置３００は、コヒーレント光を発生する光源１０３と、ランダムに配置された、波長以下の高さの複数の段差領域が形成され、光源からの光線を通過させて位相を変化させる回転位相板１４と、複数のレンズがアレイ状に配列され、回転位相板を通過した光線を通過させるインテグレータ２０と、を備え、複数の段差領域の最大サイズと回転位相板から蝿の目レンズの入射面までの光学倍率の積が、複数のレンズの配列ピッチ以下となる箇所と、複数のレンズの配列ピッチより大きくなる箇所とが混在するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部の寸法を正確に計測することが可能なスクリーンマスクの計測装置を提供する。
【解決手段】この印刷装置１００は、スクリーンマスク９０の上面９０ａを撮像して開口部９１の画像を取得するカメラ１５と、カメラ１５からスクリーンマスク９０の上面９０ａまでの距離Ｌ_Ｚを測定するために設けられたレーザポインタ１６と、カメラ１５およびレーザポインタ１６を用いて測定された距離Ｌ_Ｚに基づいて、撮像された画像に基づくデータを実寸法に換算する換算係数Ｓ_Ｚを調整する制御部８５とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料に形成されたパターンに起因する高さ測定誤差を低減して、描画精度の向上を図ることのできる高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、高さ測定方法は、高さの基準となる範囲を決定する工程と、ＰＳＤを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、ＰＳＤの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて試料の高さの測定データを求める工程と、試料の高さの測定データの内で基準となる範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い、試料の高さデータを作成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】試料の高さを正確に測定することのできる高さ測定方法と、高さを正確に測定して高い精度で描画することのできる電子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】光の波長を所定値としたときの反射光の光量を測定し、光量が閾値以下である場合には光の波長を変えて反射光の光量を測定する工程を繰り返し、光量が閾値より大きくなる波長で試料の高さを測定する。あるいは、光の波長を変えて反射光の光量を測定し、光量が最大となる波長で試料の高さを測定する。 （もっと読む）

【課題】パターン要素のエッジ位置を再現性よく求める。
【解決手段】パターン測定装置では、対象物上のパターン要素を示す画像において当該パターン要素の一のエッジに交差するｘ方向における輝度プロファイルが取得される。続いて、輝度プロファイルにおいてエッジを示す傾斜部に含まれる複数の画素位置のうち、ｘ方向に連続するとともに当該複数の画素位置よりも少ない画素位置を対象位置群として、複数通りの対象位置群７１，７２を決定し、各対象位置群７１，７２に含まれる画素位置における輝度プロファイルの輝度から高次の近似式が求められる。そして、複数通りの対象位置群７１，７２にそれぞれ対応する複数の近似式において、所定のエッジ輝度Ｔ０となる傾斜部内の位置を複数のエッジ候補位置として取得し、複数のエッジ候補位置に基づいて最終的なエッジ位置が求められる。これにより、パターン要素のエッジ位置を再現性よく求めることができる。 （もっと読む）

【課題】基準点に対する像内の構造の位置を決定する方法、更に、この方法を実施するための位置測定装置を提供する。
【解決手段】対称中心を有する構造の基準点に対する像内の位置を決定する方法を提供し、本方法は、構造を含み、かつ基準点を有する像を準備する段階と、基準点に対する像の少なくとも１つの対称操作を実施し、それによって構造に対して合同である鏡像反転構造を有する少なくとも１つの鏡像が得られる段階と、構造と１つの鏡像反転構造又は２つの鏡像反転構造との間の少なくとも１つの変位ベクトルを決定する段階と、構造の位置を少なくとも１つの変位ベクトルから基準点に対する構造の対称中心の位置として計算する段階とを含む。更に、基準点に対する像内の構造の位置を決定するための位置測定装置を提供する。 （もっと読む）

【目的】マスク面上のパターン領域と非パターン領域の間に段差があるマスクであっても、効率的に検査可能なマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法を提供する。
【構成】マスク面に対するフォーカス合わせを行うフォーカス合わせ機構と、パターン画像の取り込み時の検査視野走査方向上の検査視野を挟む第１箇所と第２箇所のマスク面におけるフォーカスを、それぞれ検出する第１のフォーカス検出部および第２のフォーカス検出部と、第１および第２の箇所が、パターン領域と非パターン領域とのいずれに位置するかを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、フォーカス合わせ機構に対しフォーカス合わせ方法を指示するフォーカス合わせ方法指示部と、を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法。 （もっと読む）