【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡（CD-SEM）等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 （もっと読む）

【課題】多くの測定点数が存在するホトマスクのＣＤ検査において、再検査を実行するための再検査用レシピを的確かつ自動で生成する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料の位置座標、測定条件を含むレシピに基づいて、前記試料の自動測長を行う荷電粒子線装置であって、前記試料にＵＶまたはイオン照射のうち少なくとも１つを実行する試料前処理部と、アドレッシング、オートフォーカス、オートスティグマ、オートブライトネス、オートコントラストのうち少なくとも１つを実行する測定前処理部と、前記試料のＳＥＭ画像取得を行う検査実行部と、ｎ回目の測長に用いる前記レシピを複写し、該複写レシピから前記画像取得に成功した前記位置座標を消去し、ｎ＋１回目の検査レシピを生成するレシピ生成部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路動作上要求される仕上がり精度検証のため、電気特性をもつデバイスを包含するＦＯＶ（即ち、評価ポイント（ＥＰ））の配置すべき位置を容易に決定する。
【解決手段】ＣＡＤデータが有しているデバイス形状情報（回路設計データとレイアウト設計データを含む）から、電気特性測定に必要な構成領域を全てＦＯＶ内に収まるように、デバイス形状に沿ってＦＯＶを重ならないように配置するための画像取得条件を決定する。なお、デバイスの配線部分については、配線部分の形状によっては複数の基本構成図形の組み合わせで表わされるので、各構成図形に対してＦＯＶを配置する処理が実行される。セル部分については、セル外形枠と頂点を基準にＦＯＶが配置される。その際、何れかの頂点がＦＯＶ配置処理の開始点となり、別の頂点が同処理の終点となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ドリフトが生じやすい試料であっても、輪郭の明瞭さが安定した試料像を得ることができる画像形成方法及びその方法を用いる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】画像形成方法は、試料Ｓをラインスキャンによって撮像し、第１の画像データを得る第１の撮像工程と、第１の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第１の数値化工程と、第１の数値化工程で得られた第１の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ１から、明瞭さの閾値Ｍｓを設定する閾値設定工程と、試料Ｓをエリアスキャンによって撮像し、第２の画像データを得る第２の撮像工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第２の数値化工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ２が閾値Ｍｓを満たしているか判定する判定工程と、判定工程の結果に基づいて、画像を選択して記憶する記憶工程とを備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 試料表面へ電子ビームを直接照射することなく、試料表面の凹凸を観察する。
【解決手段】 電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することによって試料表面の状態を観察する電子線装置を用いた試料観察方法において、試料の上に誘電体材料を載せ、試料と誘電体材料とを接触させることにより接触帯電を起こさせ、接触帯電に起因して誘電体材料表面に誘起される表面電位のコントラストを二次電子を用いた像によって観察することにより、試料表面の凹凸を観察する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを高磁場によって細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査し、放出された２次電子を検出して試料の寸法の測長を行う寸法測長装置に関し、試料のパターンなどを高精度に測長することを目的とする。
【構成】電子線ビームを高磁場で細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査する磁界型対物レンズおよび偏向系と、磁界型対物レンズの高磁場による、試料から放出された２次電子の２次電子軌道の絞り込みが行われる場所に配置し、かつ２次電子を遮断しない可及的に小さな直径を持つ２段以上のオリフィスと、２段以上のオリフィスを、回転しながら通過した２次電子を加速する正の電圧を印加あるいは正の電圧を印加した電極を設けると共に加速された２次電子を衝突させて検出・増幅する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の構成や膜種等によって測長誤差の生じることのない走査形電子顕微鏡の測長方法を提供する。
【解決手段】本発明の走査形電子顕微鏡による測長方法は、対物レンズから試料までの距離を検出するセンサの出力を用いて走査形電子顕微鏡を測定ポイントにオートフォーカスさせ、対物レンズの励磁電流を変化させながら試料から放出された試料信号の変化をモニターしてフォーカスずれに相当する対物レンズの励磁電流ΔIobjを検出する。そして、対物レンズの励磁電流ΔIobjを試料に入射する電子ビームの加速電圧ΔＶに換算し、試料に入射する電子ビームの加速電圧をΔＶだけ変更する。その後、測定ポイントの測長を行う。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料７を載置するステージ５と、試料７と対向して配置する光電子生成電極５２と、紫外光を照射する紫外光照射手段５３と、紫外光照射手段５３に紫外光を所定の時間照射させて試料７及び光電子生成電極５２から光電子を放出させ、光電子生成電極５２に試料７が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極５２が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料７の表面電位を０［Ｖ］にする制御手段２０とを有する。前記制御手段２０は、試料７の表面の電位を一定にした後、試料７の寸法測定を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡応用装置および試料検査方法において、試料の帯電を制御することができる技術を提供する。
【解決手段】光電子２を放出する帯電制御電極４を、ウェハ３（試料）の直上に平行に配置し、且つ、帯電制御電極４を通して紫外光をウェハ３に照射できるように、貫通する孔を持つ構造とした。具体的には、メッシュ形状もしくは１つあるいは複数の孔が開いた金属板を帯電制御電極４とする。帯電制御電極４を試料の直上に平行に設置することで、負電圧を印加した場合、ウェハ３に対してほぼ垂直に電界が発生する為、光電子２が効率良くウェハ３に吸着する。また、ウェハ３と同程度の大きさを持つ帯電制御電極４を使用する事で、ウェハ３全面の帯電を一括で均一に除去でき、処理にかかる時間を短縮することができる。 （もっと読む）