【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてＸ線に対して回折ピークを持つ金属層にＸ線を照射して得られる回折ピークを入手するステップＡ、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップＢ、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップＣを具備する。 （もっと読む）

【課題】 10μm以下のビームサイズの入射X線を使用したX線反射率法で微小領域の膜厚を計測するには、入射角を変えながら、X線の焦点位置、試料表面、回転軸の関係を１μm以下の精度で維持、制御する必要がある。
【解決手段】 本発明は、X線レンズを振幅分割ビームスプリッターと集光光学系として用いることにある。X線レンズで屈折されたX線は、焦点位置で１０μm以下に集光するような角度分布を与える。薄膜積層体を焦点位置に配置し、鏡面反射されたX線を物体波、X線レンズを透過したX線を参照波として薄膜積層体下流に配置したX線レンズで重ね合わせ干渉させる。光路差と薄膜積層体中で生じた位相差を反映した干渉縞の間隔および位置から反射X線の位相を解析し、微小領域の膜厚を計測、検査することを特徴とする薄膜積層体検査方法 （もっと読む）

【課題】結晶の外形に対して結晶軸がどのように取り付いているかを調べる全３軸の方位決定を高速で、かつ高精度に行うことのできるＸ線単結晶方位測定装置および測定方法を提供することにある。
【解決手段】特性Ｘ線による回折を利用する、ディフラクトメータ法を基本とし、Ｘ線検出器として、ＴＤＩ読み出しモードで動作するＣＣＤをベースにした２次元検出器を採用したことと、該２次元検出器により特定の（狙った）指数の反射を２点で捕らえることにより全３軸の方位決定を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置のＸ線検出器としてＣＣＤセンサ等といった半導体センサであってＸ線直接検出型の半導体センサを用いる場合に、半導体センサの損傷を長期間にわたって防止できるようにする。
【解決手段】 試料Ｓを支持する試料台１９と、試料Ｓに照射するＸ線を発生するＸ線源２４と、複数の半導体素子を並べることによって形成されていて試料Ｓから出たＸ線をそれらの半導体素子によって直接に受光する半導体センサ４３と、試料ＳのＸ線出射側の領域であって回折角度０°の近傍である低角度領域γに配置されたＸ線ストッパ３３とを有するＸ線分析装置である。半導体センサ４３が低角度領域γの領域内まで２θ回転移動によって運ばれたとき、Ｘ線源２４からのＸ線のダイレクトビームがその半導体センサ４３に直接に入ることをＸ線ストッパ３３によって防止する。 （もっと読む）