【課題】密輸品を検出する。
【解決手段】この方法は、第一の脅威タイプの参照物体を走査したときに測定される参照量の第一の分布を表わすデータを記憶するステップと、当該被検査物体の値を測定するために被検査物体を走査するステップと、上述の値の参照値の中での位置を求めるステップと、被検査物体が第一の脅威タイプである可能性の指標として、上述の値に対応する第一の分布を表わすデータの得点を決定するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

ＣＳＣＴデータからのデータの再構成は、通常は、長い再構成時間を要する。本発明によると、エネルギ分解検出器素子を用いて収集されたスペクトルを有するＣＳＣＴデータのフィルタ逆投影が提供され、前記フィルタ逆投影は、再構成体積内の波数ベクトル移動量により表される曲線に沿って実行される。有利には、再構成時間が減少されることができる上に、良い画質を可能にする。
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ｉｎ−ｓｉｔｕ状態で、試料の既知の特性を測定するＸ線回折技術に関する。その技術は、実質的に発散するＸ線放射を放射するためのＸ線源を使用するステップを含み、発散Ｘ線放射を受けるとともに、試料に向けて発散Ｘ線放射の発散経路を向け直すことによって、平行なＸ線放射のビームを発生させるために前記固定されたＸ線源に対して配置されたコリメーティング光学素子を備えている。第１のＸ線検出器が試料からの回折放射を収集する。Ｘ線源及びＸ線検出器は、その動作中、試料の既知の特性についてのアプリオリな情報に従って、互いの相対位置、及び試料に対する少なくとも１つのディメンションが固定されている。第２のＸ線検出器は、特に本発明の晶相モニタリングの実施形態において、試料の既知の特性についてのアプリオリな情報に従って、第１のＸ線検出器に対して固定することができる。

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１つの電離粒子分析器は、１つの電離１次粒子源と、１つの荷電粒子検出器と、且つ、電離可能なガスを前記粒子源と前記検出器の間に有している。前記分析器は、更に、前記粒子源と前記検出器の間に位置する荷電粒子妨害装置を具えている。該荷電粒子妨害装置は、第１の構成において、荷電粒子の通過を妨げ、且つ非荷電粒子を通す様な電位に維持される様に準備されている。
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マルチ検出器（１４、４０）による電子検出システムおよび方法であって、該方法は、カラムを介して一次電子ビームを向けて被検査オブジェクト（ウェーハ）と相互作用させるステップと、実質的な静電界を導入することによって、該被検査オブジェクト（ウェーハ）から反射または散乱された電子を複数の内面検出器（１４、４０）に向けるステップであって、該向けられた電子の少なくとも一部が該被検査オブジェクト（ウェーハ）に対して小さな角度で反射または散乱されるステップと、少なくとも１つの内面検出器から検出信号を受け取るステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 元素分布および状態分布を二次元的に把握しやすく、また、一度の観測で多数の特定元素分布データを得ることができる、ＳＴＥＭを用いたＥＥＬＳ分析方法およびＥＥＬＳ分析装置を実現する。
【解決手段】 試料表面の座標（Ｘ，Ｙ）の各点でそれぞれ、ＥＥＬＳスペクトルデータを採取する。各ＥＥＬＳスペクトルデータのコア・ロス吸収端及びＥＬＮＥＳ吸収端を探索し、両者のエネルギー損失量の差Ｅｄを（Ｘ，Ｙ，Ｅｄ）の分布像として表示する。Ｅｄは伝導帯の状態密度を反映するので、（Ｘ，Ｙ，Ｅｄ）は状態分布像に相当する。また、各座標のコア・ロス吸収端のデータから元素同定して元素濃度Ｃを（Ｘ，Ｙ，Ｃ）の分布像として表示する。各座標ごとにＥＥＬＳスペクトルデータを採取しているので、一度の観測で複数の元素の濃度分布を計算することができる。 （もっと読む）

【課題】 試料を支持する試料板からの回折Ｘ線の影響を排除して、試料に関する正確なＸ線回折測定をできるようにする。
【解決手段】 単結晶試料板２１によって支持する試料ＳにＸ線を照射し、試料Ｓから発生する回折Ｘ線を２次元Ｘ線検出器２によって検出し、検出された回折Ｘ線の座標及び強度をＸ線読取り装置によって読み取り、そしてその読取り結果に基づいて演算を行って回折Ｘ線強度分布を求めるＸ線測定装置である。単結晶試料板２１から出る回折Ｘ線が２次元Ｘ線検出器２によって検出される座標位置を、回折Ｘ線強度分布の演算に寄与させないブランク領域として認識する。単結晶試料板２１からの回折Ｘ線がＸ線強度の演算に算入されないので、試料Ｓからの回折Ｘ線だけに関して正確にＸ線強度分布を求めることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドなどに用いられる金属多層膜の構造評価に有効な、金属多層膜のＸ線反射率プロファイルの新しい解析法を提供する。
【解決手段】 金属多層膜のＸ線反射率プロファイルの解析のための各層の膜厚の初期値ｔ₁ ⁱ 〜ｔ₃ ⁱ として、蛍光Ｘ線測定から求めた各層の膜厚を用いるようにする。この初期値ｔ₁ ⁱ 〜ｔ₃ ⁱ としては、蛍光Ｘ線測定により得られた各層の付着量Ｆ₁ 〜Ｆ₃ を各層の材料の理論密度ρ₁ ⁱ 〜ρ₃ ⁱ で割って算出した値を採用するのが有利である。 （もっと読む）