【課題】 表面分析方法及び表面分析装置に関し、補正用の荷電粒子に起因する熱的ダメージを緩和させて本来の試料の素性を反映する分析結果を得る。
【解決手段】 絶縁性或いは半導電性の試料１に一次エネルギー粒子２を照射するとともに、一次エネルギー粒子２の照射或いは二次荷電粒子３の発生に伴う試料１の帯電を、帯電の極性と反対の極性の荷電粒子を照射して補正する際に、試料１が所定温度以下になるように補正用の荷電粒子４の量、エネルギー、或いは、収束度の少なくとも一つを制御する。 （もっと読む）

本発明は、中性子ビーム（１０）を放出する手段（１）と、試料（３）を支えるため適合したサポート手段（２）と、中性子放射線による活性化に適合した光電子放出手段（５）と、冷却低光レベル電荷結合検出装置（７）とを備える中性子放射線の２次元検出システムに関する。放出手段（１）はモノクロ中性子ビーム（１０）を放出する。システムは、サポート手段（２）と光電子放出手段（５）との間に位置し、試料（３）によって透過されたモノクロ中性子ビーム（１２）の少なくとも実質的な部分を捕捉するため適合したフィルタ手段（４）と、電荷結合検出装置（７）の上流に位置し、電荷結合検出装置（７）と連結されている増幅手段（６）とをさらに備える。
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任意の画素電極に電荷をチャージする。電荷がチャージされた画素電極に接続されたスイッチング素子をオフにした状態で、少なくとも１フレーム期間より長い期間電荷を保持する。電荷を保持した後、画素電極に対し電子ビームを照射し、画素電極から放出される２次電子の情報によって画素電極に関して検査する。
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走査線駆動回路および信号線駆動回路の少なくとも一方の駆動回路を含む駆動回路部に電気信号を供給し、この駆動回路部を動作させ、画素電極に電荷をチャージする（Ｓ２）。電荷がチャージされた画素電極に電子ビームを照射し、この電子ビームが照射された画素電極から放出される２次電子の情報によってこの画素電極に関して検査する（Ｓ３）。駆動回路部に電気信号を供給する際は、電気信号供給パッドを介して供給する。電気信号供給パッドに供給された電気信号は、前記電気信号供給パッドから分岐して駆動回路部内の異なる領域に供給される。
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前記データにある複数の信号に対する信号波形を決定し、信号の時間的位置を含む信号に対するパラメータを推定し、前記信号波形と前記推定されたパラメータとから信号のエネルギーを決定することで、検出出力データ内の個別信号を分離する。 （もっと読む）

【課題】 ２個以上の原子からなる粒子団を試料表面に照射することにより、試料表面から放出される２次粒子量を大幅に増大させるようにすること。
【解決手段】 炭素非粒子団及び粒子団荷電粒子ａを、質量分析器１により粒子団荷電粒子ｂ１と非粒子団荷電粒子ｂ２とに選別し、これらの粒子団荷電粒子ｂ１と非粒子団荷電粒子ｂ２を物質表面に照射する。荷電粒子を粒子団で物質に照射すると、粒子団が被照射物質と衝突する際に、粒子の有するエネルギーが物質表面の狭い領域に集中し、エネルギー密度の高い場が生じる。このような荷電粒子団の照射による特異的な高密度エネルギー場の中では、イオン化反応が促進され、非粒子団照射時に比べて生成される２次粒子の量が増加する。また、荷電粒子団の代わりに中性粒子団を用いた場合にも同様の効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法においては、分析点に金属箔を被覆するので、被覆した金属箔が試料の分析点に接触し、分析点の表面を汚したり、傷めたりする問題点があった。
【解決手段】 本願発明は、上記従来の欠点を解消するため、開口のある導電膜を、該開口の部分が分析点に当るように試料に被せ、電子ビームは、該開口を通して試料に照射し、オージェ電子も該開口から取り出して、分析する構造としたものである。これにより、分析点の汚染を回避できるとともに、試料表面におけるチャージアップも避けることができる。 （もっと読む）

L次元画像をM次元位相にトレーニング、マッピング、および整列させて方位角を得る(112)。次いで、整列させたL次元画像をN次元位相にトレーニングおよびマッピングして、2(N)頂点分類を得る(113)。方位角および2(N)頂点分類を使用して、L次元画像をO次元画像にマッピングする(114)。

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