【課題】発電電流の検出を不要とし、電力損失の増加、部品の故障率が高くなることを回避する。
【解決手段】少なくとも一つの発電モジュールの出力電圧および温度を測定する測定部と、測定部によって測定された出力電圧および温度の情報から電力を計算する電力計算部と、電力計算部によって計算された電力の情報を出力する出力部とを備える。電力計算部は、発電モジュールの等価回路のモデルに基づいて出力電圧および温度の情報を使用して電力を計算する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気装置を別の装置に安定的に電気的に接続することができる電気的接続装置を提供すること。
【解決手段】本発明による電気的接続装置は、少なくとも１つの電気的構成要素の少なくとも１つの電極を電気的に接続しかつクランプするための少なくとも１つの治具を備える。治具は、第１のクランプ部、第２のクランプ部、および第１の検出弾性シートを備える。第２のクランプ部は第１のクランプ部に対向して配置される。電極は、第１のクランプ部と第２のクランプ部との間に電気的に接続されかつクランプされるように構成される。第１の検出弾性シートは第１のクランプ部で固定される。第１の検出弾性シートは第１のセンサに接続され、第１の接触部を形成される。第１のセンサは電気的構成要素の第１のパラメータを検知するために使用され、第１の接触部は電極と接触するために使用される。 （もっと読む）

【課題】恒温槽を使用せずに、ＩＣの温度を所望の設定温度に精度良く遷移させる。
【解決手段】温度試験装置１の温度制御部４０は、試験対象である発熱状態のＩＣ１１の温度を測定する温度センサ１０から測定温度を示すセンサ情報を取得し、取得したセンサ情報に基づいて測定温度の現在温度と前回温度を制御メモリ３０に記憶させ、現在温度と予め制御メモリ３０に格納された設定温度Ｔ_Ｓを比較し、現在温度と前回温度を比較する。温度制御部４０は、現在温度と設定温度Ｔ_Ｓを比較した結果と、現在温度と前回温度を比較した結果に基づいて、設定温度Ｔ_Ｓに対するＩＣ１１の温度の遷移状態を特定し、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置２０にＩＣ１１を冷却させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の寿命を精度よく推定するとともに、可及的に短期間で寿命を推定することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】寿命推定方法は、（ａ）半導体装置に含まれる半導体チップ及び金属配線１２を互いに接合する接合部の温度ストレス量たる接合温度ストレス量ΔＴ_wbと、半導体装置の寿命に対応するサイクル数Ｎｆとをパラメータとする基準寿命カーブを準備する工程と、（ｂ）基準寿命カーブを用いて半導体装置の寿命を推定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置、断続通電試験方法、および発熱電子デバイスを提供する。
【解決手段】断続通電試験装置１は、半導体パッケージ２に接触することによって、この半導体パッケージ２の放熱を行う放熱板５，６と、これら放熱板５，６の間に設けられ、半導体パッケージ２の発熱状態に基づいて伸縮変形するバイメタル７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の熱抵抗を正確に測定できる熱抵抗測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる熱抵抗測定方法は、半導体素子の順方向ゲートソース間電圧の温度係数を測定する工程と、該半導体素子へのドレイン電圧印加前に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該半導体素子へのドレイン電圧印加によるチャネル温度上昇後に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該ドレイン電圧印加前の該順方向ゲートソース間電圧と該ドレイン電圧印加後の該順方向ゲートソース間電圧との差分を求める工程と、該差分を求める工程における該半導体素子への印加電力、該温度係数、及び該差分から、該半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、を有し、該温度係数を測定する工程と該差分を求める工程の少なくとも一方の工程の前に、該半導体素子の昇温工程を有する。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＯＳＦＥＴに対して同時にパワーサイクル試験を行うこと。
【解決手段】本発明では、チャネル部発熱処理において、他のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される電圧と同一のゲート電圧をＭＯＳＦＥＴ１のゲートに供給することにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１に対して同時にパワーサイクル試験を行うため、従来に比べて試験時間を短縮することができる。また、チャネル部発熱処理において、第１設定時間“３ｍｉｎ”ちょうどでチャネル温度が規定温度“１５０℃”に達するようにゲート電圧ＶＧを下げるが、第１設定時間“３ｍｉｎ”になる前にチャネル温度が規定温度“１５０℃”に達する場合、ゲート電圧ＶＧを更に下げると共に、ドレイン電流ＩＤを減少させる。このため、ＭＯＳＦＥＴ１の特性が他のＭＯＳＦＥＴの特性に対してばらつきがあっても、複数のＭＯＳＦＥＴ１に対して同時にパワーサイクル試験を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】小型且つ安価で温度制御が容易であり、加えて、シリコンからなる半導体デバイスの温度限界を越える高温での昇温試験に適用することが可能な昇温装置、及び該昇温装置を用いた昇温試験方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素（ＳｉＣ）からなるＭＯＳＦＥＴ１０のドレイン電極に外部の直流電源２から電源電圧が印加され、印加された電源電圧から生成された可変のバイアス電圧がゲート電極１３に印加されることにより、ＭＯＳＦＥＴ１０が昇温する。電源電圧を抵抗器Ｒ３，Ｒ４で分圧した電圧に対して、電源電圧を抵抗器Ｒ１，Ｒ２で分圧した電圧の変化分をＭＯＳＦＥＴ２０にて所定の負の増幅率で増幅してドレイン電極２１で加算することにより、ドレイン電極２１の電圧が一定となり、前記バイアス電圧が一定に保たれる。 （もっと読む）

【課題】小容量チップを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】複数のＳｉＣ半導体チップを実装基板上に実装し（Ｓ１）、実装基板上のＳｉＣ半導体チップに電圧を印加する（Ｓ２）。電圧を印加した状態で、サーモグラフィ、赤外線顕微鏡等の熱映像装置を用いて実装基板表面の温度分布画像を取得し（Ｓ３）、画像解析を行うことによって不良チップの有無を判定する（Ｓ５）。実装基板に不良チップが含まれる場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、当該不良チップの配線を切断することにより、不良チップを排除する（Ｓ７）。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を搭載した発光部品を、基板等に実装することなく、常温より高温または低温の環境下で試験することができる発光部品試験モジュールおよび発光部品試験装置を提供する。
【解決手段】発光部品試験モジュール１０は、一方の面に複数の凹部２１１が設けられた基体２１と、基体２１の複数の凹部２１１のそれぞれに埋設された複数の弾性体２２と、複数の凹部２１１に複数の弾性体２２を埋設した基体２１の一方の面上に接して設けられ、複数の弾性体２２上に配置される複数の発光部品２と電気的に接触する配線が形成された可撓性フィルム３０と、複数の発光部品２を、可撓性フィルム３０を挟んで、基体２１の複数の凹部２１１のそれぞれに埋設された複数の弾性体２２に対して押圧する保持体２４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】連続動作の際に生じるオン抵抗の増大を抑制した電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなり、τ_c／τ_e＞exp｛−４６．５＋４５．７exp（logｘ／２１．６）＋０．２exp（logｘ／０．２７）｝の関係を満たす。但し、ｘはＲ∞／Ｒ₀−１であり、Ｒ∞はオフ状態において所定の時間保持した後、オン状態へとスイッチした直後のオン抵抗であり、Ｒ₀はオフ状態の保持時間が所定の時間以内の場合にオフ状態からオン状態へとスイッチした直後のオン抵抗であり、τ_cはコラプスを引き起こす電子がトラップされる捕獲時定数であり、τ_eはコラプスを引き起こすトラップされた電子の放出の時定数である。 （もっと読む）

【課題】丸めによる誤差要因を無くし高精度な寿命予測を行うことができるパワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】IGBTモジュールの銅ベース温度を検知する温度センサ10と、該温度センサ出力を一定のサンプリング周期でA/D変換するA/D変換器20と、A/D変換器出力から温度差を検出し、検出した温度差と予め保持されている変曲点温度差とを比較し、その比較結果から検出した温度差が予めパワーサイクル試験を経て解析されたパワーサイクル寿命カーブを近似する複数の直線のいずれの側にあるかに応じて近似させる直線の傾き及び該直線において予め設定された基準温度差について寿命データレジスタ40に保持された演算パラメータを受領して寿命計算し寿命情報を出力する寿命演算回路30と、寿命演算回路30で寿命計算を行うための演算パラメータを保持する寿命データレジスタ40と、から構成されている。 （もっと読む）

電子デバイスの実施形態が、論理回路１３０、スイッチング素子１３２および静止電流（ＩＤＤＱ）評価回路１３４を含む。論理回路１３０は第１接地ノード１５４に接続される。スイッチング素子１３２は、第１接地ノード１５４と第２接地ノード１５６との間に接続される。スイッチング素子１３２は、電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態２１６である場合に電気的に非導通状態であり、電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態２１３ではない場合に、電気的に導通状態であるように構成される。電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態である場合に、ＩＤＤＱ評価回路１３４は、第１接地ノード１５４と第２接地ノード１５６との間に生じるＩＤＤＱ指示電圧が基準電圧２２０を超える場合に第１出力信号を供給するように構成される（ブロック２２４）。他の実施形態は、電子デバイス内でＩＤＤＱの指示子を生成する方法（図２）およびＩＤＤＱの指示子を生成する機能を有する電子デバイスを製造する方法（図４）を含む。
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【課題】試験装置の被試験デバイスの温度を、Ｓ／Ｎ良く測定する。
【解決手段】温度センサにより温度を検出する温度検出装置であって、予め定められた周波数の周期信号を発生する周期信号発生部と、周期信号の値に応じた電流を温度センサに供給する電流源と、温度センサに生じる電圧に基づいて、温度を検出する検出部と、を備える温度検出装置を提供する。温度センサに生じる電圧をサンプリングするサンプリング部を更に備え、検出部は、サンプリング部がサンプリングした電圧に基づいて、温度を検出する温度検出装置を提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、複数の半導体装置のうち任意の一つを背面側からコンタクタに対して押圧しながら試験を施すことができる半導体装置の試験装置及び試験方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 複数の半導体装置２０を支持基板２１に整列して保持する。支持基板２１を、コンタクタ２４に向けて開口した空間を内側に有するステージ２２に載置し固定する。押圧ヘッド２５は、ステージ２２の内側の空間内に配置される。支持基板２１は複数の半導体装置２０の各々の背面２０ｂをステージ２２の空間に向けて露出して保持する凹部を有する。ステージ２２は水平方向に移動可能であり、押圧ヘッド２５は垂直方向に移動可能である。押圧ヘッド２５は、被試験半導体装置を押圧する押圧面２５ａと、被試験半導体装置を凹部内の所定位置に配置する位置決めガイド２５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の試験において、試験作業を効率化でき、高い試験精度を確保することができる電子部品試験装置を提供する。
【解決手段】電子部品試験装置は、接続端子１４に電源を供給して電子部品１５を駆動させるソケット１と、電子部品１５を搭載する電子部品搭載部材３と、電子部品搭載部材３に接触して電子部品１５を所定の温度に保持する温度調節部材とを備え、電子部品搭載部材３は、電子部品１５を搭載して温度調節部材に接触する伝熱板８と、電子部品１５を覆う電子部品カバー１１とを備えており、伝熱板８には貫通孔６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の動作の再現性を高めることができる半導体素子の試験方法および試験装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子ＩＧＢＴ１，ＩＧＢＴ２が並列に接続された半導体装置を駆動する駆動ステップと、前記駆動ステップの前後において前記複数の半導体素子の温度を測定する温度測定ステップとを有し、前記駆動ステップは、前記複数の半導体素子の両端子間に活性領域の一定電圧Ｖceが印加されて当該両端子間に一定電流Ｉcが流れるように、前記複数の半導体素子のゲート電圧Ｖgeを調節するステップＡと、前記半導体素子の飽和領域において、前記複数の半導体素子に一定のゲート電圧Ｖgeを印加して前記複数の半導体素子の両端子間に一定電流Ｉcが流れるようにするステップＢと、を含む。 （もっと読む）

【課題】テストハンドラのプッシャとテストデバイスの間の接触状態を判定する。
【解決手段】プッシャ２０の支持部２１及び押圧子２２に設けられる吸引孔２３により、テストデバイス３０が吸引される。押圧子２２は吸引固定されたテストデバイス３０をソケット４０に押し当て、ソケット４０に装着する。プッシャ２０は、吸引固定されたテストデバイス３０を設定温度Ｔ１に保温する。温度センサ２４は、テストデバイス３０と接する押圧子２２の面の中央部にセンサ接触部２５が設けられ、吸引固定された側のテストデバイス３０の表面温度を検知する。記憶・判定部７は、テストデバイス３０の表面温度情報が入力され、予め記憶されているテストデバイス３０が押圧子２２に良好に吸引固定されたときの所定温度Ｔｓとモニターされたテストデバイス３０の表面温度を比較し、吸引固定されたテストデバイス３０の接触状態の良否を判定する。 （もっと読む）