【課題】完成した半導体装置のエージング処理の一つとして、高温環境下で被処理デバイスに電流および電圧を印加するバーンイン工程がある。その際、バーンインボードの電源電位あるいは基準電位の強化等のために、信号配線をできるだけ、バーンインボードに形成された複数の配線層のうちの内層に配線し、最表層に電源電位用または基準電位用の配線として敷き詰め導体パターンを設けることが行われている。しかし、金属配線と、この配線上に形成される絶縁性の保護膜との密着性は低いため、熱サイクルを繰り返すことで、この保護膜が剥離することが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、製造工程途中における半導体装置にバーンイン処理を施すに当たり、バーンインボードの本体を構成する有機系多層配線基板の表面と裏面の内、少なくともソケットが設置されている部分の周辺のほぼ全域を微細開口が敷き詰められた電源−接地配線を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路４１が形成されたチップ領域４０を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路４１に対応して形成された複数のテスト用回路４２を有し、テスト用回路４２には、対応する集積回路４１に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路４２は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 （もっと読む）

【課題】バーンイン試験に要する時間を短縮する。
【解決手段】バーンイン試験装置（１）は、ストップモードを備えるマイクロコンピュータ（５）のバーンイン試験を行う。バーンイン試験中に、マイクロコンピュータは、動作状態を経て、ストップモードを実行した後、リセットを実行する。測定部（３２）は、複数のマイクロコンピュータの各々が待機モードを実行した後、リセットを実行する前に、電源電流（Ｉ）を測定する。検出部（３３１）は、測定部によってリセットの実行前に測定された電源電流値を用いて、不良率の上昇を検出する。指示部（３３２）は、検出部によって不良率の上昇が検出された場合、バーンイン試験の停止を恒温槽（２）に指示する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 （もっと読む）

【課題】検査対象デバイスの電源電流をより正確に測定し、検査対象デバイスの良または不良の判定をより正確に行なうこと。
【解決手段】複数の検査対象デバイス１６を、前記複数の検査対象デバイスの電源電流をそれぞれ測定する複数の電流測定装置１４を有する試験ボード１０に搭載し、前記複数の検査対象デバイスのバーンイン試験を行い、前記複数の電流測定装置が測定した前記複数の検査対象デバイスの電源電流に基づき、前記複数の検査対象デバイスのそれぞれについて前記バーンイン試験の良または不良の判定を行なう試験方法。 （もっと読む）

【課題】ドライバ回路と検査対象デバイスとの隔離を可能としつつドライバ回路のメンテナンスを容易とすること。
【解決手段】検査対象デバイス１４を搭載する第１ソケット１２と、前記検査対象デバイスに試験信号を出力するドライバ回路１８を搭載する第２ソケット１６と、前記第１ソケットと前記第２ソケットとが搭載された試験ボード１０と、前記第１ソケットが配置された空間と前記第２ソケットが配置された空間との間を隔離可能な開閉自在のシャッタ２０と、を具備する試験装置。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをサブマウント上に接合した形態の半導体装置を容易に安定して検査することを目的とする。
【解決手段】検査治具１４の蓋部１３に開口部２１を設けて半導体チップ１０の端子を露出させることにより、半導体チップ１０を損傷させることなくプローブ１５を半導体チップ１０の端子に直接接続して検査を行うことができるため、半導体チップ１０をサブマウント１１上に接合した形態の半導体装置１０Ａを容易に安定して検査することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリを含む半導体装置におけるメモリテストを低コストで、効率よく行う。
【解決手段】テストバーンイン装置において、２４枚のテストボードは順次時間差を持って処理されることになり、各々のテストボードは１枚単位で循環する。この場合、半導体装置を詰め終わったテストボードからテストスタート、テスト終了したテストボードから半導体装置を払い出すという枚葉処理のシーケンスによってメモリテストが実行される。 （もっと読む）

【課題】被締結物の取り外しを容易ならしめた取り外し可能型取り付け装置を提供する。
【解決手段】取り外し可能型取り付け装置は、ベースボードに固定的に設けられた固定部材であって、雌ネジの役割を有する挿入孔が形成された、第１固定部材と、前記第１固定部材の前記挿入孔に対する雄ネジの役割を有する貫通部材であって、当該貫通部材を締着方向に回転させることにより、一端側が前記第１固定部材の前記挿入孔に螺合し、他端側から被締結物の貫通孔が挿入されるとともに、一端側と他端側の間の中間部にフランジが形成された、貫通部材と、前記貫通部材の前記他端側に位置し、前記貫通部材の前記フランジと協働して、前記被締結物を挟持する、第２固定部材とを備えており、前記貫通部材を前記締着方向と反対の反締着方向に回転させることにより、前記フランジが、前記被締結物を前記第１固定部材から離れる方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】安全性が高いＢ／Ｉテスト工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂ／Ｉテスト工程の際に、Ｂ／Ｉテスト装置からＢ／ＩボードＢＩＢＤに供給する最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を被テストデバイスＤＵＴの最大動作電流Ｉｃｃ（ｍａｘ）とＢＩＢＤ上のＤＵＴの搭載数Ｎとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。Ｂ／Ｉテスト装置は、ＢＩＢＤに供給している電源電流値を監視し、この値が最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を超えた場合に、アラームの発生や当該電源供給の遮断等を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の寿命を精度よく推定するとともに、可及的に短期間で寿命を推定することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】寿命推定方法は、（ａ）半導体装置に含まれる半導体チップ及び金属配線１２を互いに接合する接合部の温度ストレス量たる接合温度ストレス量ΔＴ_wbと、半導体装置の寿命に対応するサイクル数Ｎｆとをパラメータとする基準寿命カーブを準備する工程と、（ｂ）基準寿命カーブを用いて半導体装置の寿命を推定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プッシャを含む装置を小型化する。
【解決手段】半導体試験装置２０において被試験半導体デバイス３００を試験用ソケット５００に向かって押圧するプッシャ２００であって、熱源４００に熱的に結合された本体部２１０と、それぞれが本体部２１０に対して物理的且つ熱的に結合され、本体部２１０からの押圧力により試験用ソケット５００に向かって変位しつつ被試験半導体デバイス３００の被押圧面に当接して、それぞれが被試験半導体デバイス３００を押圧し且つそれぞれが熱源４００からの熱を被試験半導体デバイス３００に伝える複数のデバイス押圧部２２０とを備える。プッシャおよび被試験半導体デバイスの間の熱伝導効率を向上させ、正確で迅速な半導体試験を実現するプッシャを提供する。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び応答性の高い電子部品の検査装置を提供する。
【解決手段】熱伝導部材の上面に対して接離可能に配置された蒸発器３５に、冷媒圧縮機５１からの供給冷媒Ｍｓを供給する冷媒供給配管４８と、蒸発器３５にて蒸発した供給冷媒Ｍｓからなる回収冷媒Ｍｒを冷媒圧縮機５１へ回収する冷媒回収配管４９とを接続する。冷媒回収配管４９には、ＩＣチップＴの搬送に伴って可動するようにホース配管４９Ｂが設けられ、ホース配管４９Ｂには、回収冷媒加熱器Ｈ２にてホース配管４９Ｂを硬化させない温度に加熱された回収冷媒Ｍｒを流通させる。そして、冷媒回収配管４９におけるホース配管４９Ｂと冷媒圧縮機５１との間と、冷媒供給配管４８との間に第１のバイパス配管５９を設けて供給冷媒Ｍｓの一部を回収冷媒Ｍｒに合流させる。 （もっと読む）

【課題】電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置、断続通電試験方法、および発熱電子デバイスを提供する。
【解決手段】断続通電試験装置１は、半導体パッケージ２に接触することによって、この半導体パッケージ２の放熱を行う放熱板５，６と、これら放熱板５，６の間に設けられ、半導体パッケージ２の発熱状態に基づいて伸縮変形するバイメタル７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表裏両面に電極が形成されたパッケージの電気的テストを正確に行うことができる電気部品用ソケットを提供する。
【解決手段】パッケージ２がパッケージ位置決めばねによって第１パッケージガイド突起２６に押し付けられることにより、パッケージがソケット本体４のパッケージ収容部１１上に位置決めされ、押圧部材７が押圧部材支持ばねによって第１パッケージガイド突起に押し付けられることにより、パッケージ収容部上に位置決めされたパッケージに対して位置決めされる。その結果、パッケージの裏面側電極５と第１コンタクトピン６とを正確に位置決めできると共に、パッケージの表面側電極８と第２コンタクトピン１０とを正確に位置決めでき、パッケージの電気的テストを確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の熱抵抗を正確に測定できる熱抵抗測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる熱抵抗測定方法は、半導体素子の順方向ゲートソース間電圧の温度係数を測定する工程と、該半導体素子へのドレイン電圧印加前に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該半導体素子へのドレイン電圧印加によるチャネル温度上昇後に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該ドレイン電圧印加前の該順方向ゲートソース間電圧と該ドレイン電圧印加後の該順方向ゲートソース間電圧との差分を求める工程と、該差分を求める工程における該半導体素子への印加電力、該温度係数、及び該差分から、該半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、を有し、該温度係数を測定する工程と該差分を求める工程の少なくとも一方の工程の前に、該半導体素子の昇温工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の品質評価および寿命時間評価を短時間で高効率に実行でき、かつ、信頼性が高く再現性のある評価結果を得ることができる技術を提供する。
【解決手段】評価装置１０は、複数のチャンバー（３１〜３５）を備える。複数のチャンバーは、市場で想定される複数の環境ストレスを複数のサンプルにそれぞれ印加する。複数のサンプルの入出力特性が測定部（１１〜１５）により測定されて、その測定データはデータ収集部２１により収集される。データ演算部２２は、その収集されたデータからサンプルの入出力特性を品質工学の動特性のＳＮ比を用いて評価する。さらに、データ演算部２２は、チャンバーに印加されるストレスと市場でのストレスとの対応関係から定められる加速係数を用いて、サンプルの寿命時間を評価する。 （もっと読む）

【課題】既存のバーンインボードとの互換性を維持した上で性能を向上する。
【解決手段】バーンインボードＢＩＢは、被試験デバイスが装着される複数のソケットＳＫＴを表面に有するバーンインボード本体部ＢＩＢＭと、バーンインボード本体部に設けられた挿入エッジＥＧと、を有する。バーンインボードは、挿入エッジを接続先ボードＥＸＢに設けられたエッジコネクタＥＣに挿入することにより、接続先ボードに電気的に接続される。バーンインボードは、挿入エッジがエッジコネクタに挿入された時に、接続先ボードに設けられバーンインボード本体部に電源を供給する電源供給コネクタＰＳＣに電気的に接続される電源受給コネクタＰＲＣを備える。電源受給コネクタは、バーンインボード本体部の裏面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】低温状態とされる試験槽の槽内および槽外で結露が発生することを抑制することができる環境試験装置を提供すること。
【解決手段】環境試験装置１は、試験槽２、ワーク支持機構３、冷却機構４および乾燥気体供給機構６を有する。ワーク支持機構３はワーク載置台１５および試験槽２の槽外から試験槽２の壁を貫通して内側に延びてワーク載置台１５を支持する載置台支持シャフト１６を備える。載置台支持シャフト１６は中空シャフトであり、乾燥気体供給機構６は載置台支持シャフト１６の中空部６４を通して乾燥空気を試験槽２の槽外から試験装置５内へ供給する。載置台支持シャフト１６と乾燥空気の間の熱交換によって載置台支持シャフト１６の槽外部分１６ａの温度の低下を抑制できるので、結露の発生を抑制できる。また、乾燥空気の供給により、試験槽２の槽内の結露の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で任意の被試験デバイスを試験対象から除外する。
【解決手段】複数の被試験デバイスが装着されたバーンインボードが挿入され、前記複数の被試験デバイスにバーンイン試験を行うバーンイン装置は、前記複数の被試験デバイスの中から機能試験が行われる被試験デバイスを選択するデバイスセレクト信号を、前記バーンインボードに出力するデバイスセレクト信号出力回路と、前記機能試験が行われる被試験デバイスに供給される試験パターンデータを、前記バーンインボードに出力する試験パターン出力回路と、を備えて構成されている。前記デバイスセレクト信号出力回路は、マスク設定データを格納しているマスク設定メモリを有し、前記マスク設定データで特定された被試験デバイスが、前記機能試験が行われる被試験デバイスとして選択されないように、前記デバイスセレクト信号をマスクする。 （もっと読む）