【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１ａは被検査体２及び熱伝導体１１ａを載置可能な試料台１０と、前記試料台１０に対向して設けられ、前記被検査体２に接触して検査する探針（検査部）１４、この探針１４を支持するユニット１５及びユニットホルダ１３を有する基板１２と、前記ユニットホルダ１３及び前記試料台１０に接触しうる前記熱伝導体１１ａとを有し、検査方法は試料台１０に熱伝導体１１ａを設置する工程と、基板１２と前記熱伝導体１１ａを接触させる工程と、前記熱伝導体１１ａを前記試料台１０から移動し、前記試料台１０に被検査体２を設置する工程と、前記被検査体２に探針１４を接触させて検査をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをサブマウント上に接合した形態の半導体装置を容易に安定して検査することを目的とする。
【解決手段】検査治具１４の蓋部１３に開口部２１を設けて半導体チップ１０の端子を露出させることにより、半導体チップ１０を損傷させることなくプローブ１５を半導体チップ１０の端子に直接接続して検査を行うことができるため、半導体チップ１０をサブマウント１１上に接合した形態の半導体装置１０Ａを容易に安定して検査することができる。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び応答性の高い電子部品の検査装置を提供する。
【解決手段】熱伝導部材の上面に対して接離可能に配置された蒸発器３５に、冷媒圧縮機５１からの供給冷媒Ｍｓを供給する冷媒供給配管４８と、蒸発器３５にて蒸発した供給冷媒Ｍｓからなる回収冷媒Ｍｒを冷媒圧縮機５１へ回収する冷媒回収配管４９とを接続する。冷媒回収配管４９には、ＩＣチップＴの搬送に伴って可動するようにホース配管４９Ｂが設けられ、ホース配管４９Ｂには、回収冷媒加熱器Ｈ２にてホース配管４９Ｂを硬化させない温度に加熱された回収冷媒Ｍｒを流通させる。そして、冷媒回収配管４９におけるホース配管４９Ｂと冷媒圧縮機５１との間と、冷媒供給配管４８との間に第１のバイパス配管５９を設けて供給冷媒Ｍｓの一部を回収冷媒Ｍｒに合流させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の品質評価および寿命時間評価を短時間で高効率に実行でき、かつ、信頼性が高く再現性のある評価結果を得ることができる技術を提供する。
【解決手段】評価装置１０は、複数のチャンバー（３１〜３５）を備える。複数のチャンバーは、市場で想定される複数の環境ストレスを複数のサンプルにそれぞれ印加する。複数のサンプルの入出力特性が測定部（１１〜１５）により測定されて、その測定データはデータ収集部２１により収集される。データ演算部２２は、その収集されたデータからサンプルの入出力特性を品質工学の動特性のＳＮ比を用いて評価する。さらに、データ演算部２２は、チャンバーに印加されるストレスと市場でのストレスとの対応関係から定められる加速係数を用いて、サンプルの寿命時間を評価する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤの断線や剥離が生じた発光ダイオードを発見することができる搬送検査装置、テーピング装置、および搬送検査方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードを搬送する搬送部２００と、該搬送部２００によって搬送されてきた発光ダイオードを検査する検査部３００とを備えるテーピング装置１０００において、搬送部２００には、搬送中の発光ダイオードの封止樹脂材１２を外部より加熱膨張させる電熱ヒータ２２２を設け、検査部３００には、発光ダイオードに順方向の電流を一定時間印加することで、該発光ダイオードの自己発熱と電熱ヒータ２２２による外部加熱との相乗効果により、該発光ダイオードのジャンクション温度を瞬時に上昇させる機能を有する電流電圧印加部３２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】大気中、ガス中、真空中でワーク（対象物）を非常に短い時間で高温度へ昇温加熱する。又、銅ベースに付属しているハンダの溶融を可能とする。
【解決手段】高周波誘導加熱装置のコイルに流した高周波電流でワークの放熱板（金属板）に渦電流を発生させ、ワークの放熱板自身を発熱させる。また、高周波誘導加熱装置で直接ワークを加熱できない場合は、ワークに接触させて配設したサセプター（磁束吸収体）を発熱させ、接触面からワークへ熱を伝導させる事により、急速に昇温させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの温度変化にプローブカードを追従させ、プローブの間隔が半導体ウエハ上の電極の間隔に対して大きくずれることを抑制することができるプローブカード及びプローブ装置を提供する。
【解決手段】 第１面にプローブ１２１が形成され、第２面に配線層１２２ａを介してプローブ１２１と導通するプローブ電極１２２ｂが形成されたプローブ基板１２２と、プローブ基板１２２の第２面に対向させて配置され、プローブ基板１２２を加熱するための抵抗体３５が配設されたシート状の絶縁性部材からなる加熱シート１２４により構成される。加熱シート１２４は、プローブ電極１２２ｂを露出させるための貫通孔３３と、抵抗体３５に電力を供給するための電極部３４とを有し、電極部３４が、プローブ基板１２２とは反対側の面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】両面に入出力端子が配置された被試験電子部品を試験するための電子部品ハンドリング装置を提供する。
【解決手段】第１のデバイス端子が設けられた第１の主面と、第２のデバイス端子が設けられた第２の主面と、を有する被試験電子部品１００を取り廻す電子部品ハンドリング装置１０は、第１のソケット３１９が装着される保持側コンタクトアーム３１７と、被試験電子部品１００を保持する吸着パッド３１７ｃと、を有するコンタクトアーム３１５と、第１のソケット３１９と被試験電子部品１００とを位置合わせするアライメント装置３２０と、吸着パッド３１７ｃに保持され、第１のソケット３１９と接触した被試験電子部品１００を、第２のソケット３０１に対して位置合わせするアライメント装置３２０と、を備え、コンタクトアーム３１５は、被試験電子部品１００の第２のデバイス端子を第２のソケット３０１に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】連続動作の際に生じるオン抵抗の増大を抑制した電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなり、τ_c／τ_e＞exp｛−４６．５＋４５．７exp（logｘ／２１．６）＋０．２exp（logｘ／０．２７）｝の関係を満たす。但し、ｘはＲ∞／Ｒ₀−１であり、Ｒ∞はオフ状態において所定の時間保持した後、オン状態へとスイッチした直後のオン抵抗であり、Ｒ₀はオフ状態の保持時間が所定の時間以内の場合にオフ状態からオン状態へとスイッチした直後のオン抵抗であり、τ_cはコラプスを引き起こす電子がトラップされる捕獲時定数であり、τ_eはコラプスを引き起こすトラップされた電子の放出の時定数である。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡパッケージのＩＣにおいて、削除可能な端子を見つけることができるテストシステム１０を提供する。
【解決手段】本発明のテストシステム１０は、ＢＧＡパッケージの端子毎に電流検出用プローブおよびスイッチが設けられたインターポーザ２０を介してＢＧＡパッケージのＩＣ１１をテスト基板１６に接続し、ＩＣ１１の１つ以上の電源端子に接続されたスイッチをオフにした上で、テスト基板１６を介してＩＣ１１にテストパターンの信号を入力し、ＩＣ１１が正しく動作すると共に、ＩＣ１１の全ての端子の電流値が許容範囲内である場合に、オフにしたスイッチに接続されている電源端子を削除可能な端子として特定する。 （もっと読む）

【課題】精度の高い半導体チップの試験を行う。
【解決手段】常温では固体であって第１の温度で溶融し第２の温度で揮発する有機材料に、導電性フィラを練入することにより作製された導電性接着剤を、前記第１の温度以上で加熱した状態で、半導体チップの電極端子の表面に付着させる導電性接着剤付着工程と、前記導電性接着剤の温度が前記第１の温度以下となることにより、前記半導体チップの電極端子が、前記導電性接着剤を介し対応するプローブカードの電極端子と電気的に接続されるように固定する半導体チップ接続工程と、前記半導体チップが前記プローブカードに電気的に接続されているものについて、前記半導体チップにおける半導体回路の試験を行う試験工程と、前記半導体チップが前記プローブカードに電気的に接続されているものを第２の温度以上に加熱し、前記有機材料を揮発させることにより前記プローブカードより前記半導体チップを取外す半導体チップ取外工程と、を有することを特徴とする半導体回路の試験方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】効率よくバーンインテストを行うことができる、集積回路装置のテストシステム、及び集積回路装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、テスト対象装置を搭載するソケット部と、前記基板に設けられ、高周波磁界内に配置されたときに電磁誘導によって電力を生成する、電力発生部と、前記基板に設けられ、前記電力発生部により生成した電力を利用して、前記テスト対象装置にテスト用電圧を供給する、制御回路とを具備する。前記ソケット部は、高周波磁界内に配置されたときに発熱する発熱部材を備えている。前記発熱部材は、前記発熱部材から前記テスト対象装置に熱が供給されるように、前記テスト対象装置と接触する接触面を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやＧａＮなどのワイドバンドギャップ半導体を用いた高周波パワーデバイス、高温動作デバイス等の半導体素子の開発が進められている。２００℃を越える温度で特性検査をおこなうと、パッケージの電極端子のＡｕメッキと冶具の電極のＡｕメッキが熱拡散によってＡｕ−Ａｕ接合を形成し、冶具からパッケージを取り外すことができなくなるという問題がある。
【解決手段】 パッケージ２１の電極端子２４と接するテストソケット１のテスト電極３の表面に、Ａｕに対するバリアとなる金属層（Ｐｔメッキ１３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 支持体及びプローブ基板の熱変形に起因する針先のＸＹ座標位置の変化を可能な限り抑制することにある。
【解決手段】 プローブカードの製造方法は、接触子を備えないカード組立体を設定温度に加熱又は冷却し、その温度状態のときのプローブ基板の熱変形率を決定し、決定した熱変形率を基に、プローブ基板への接触子の取り付け位置を決定し、決定した取り付け位置を基に接触子をプローブ基板の下面に取り付けて、プローブカードを得る.その後プローブカードを設定温度に加熱又は冷却し、プローブカードが設定温度におかれているときの接触子の針先位置を測定し、測定した針先位置が基準範囲内にあるか否かを判定して、プローブカードを被検査体の試験に使用するときの温度を決定する。 （もっと読む）

【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、１０ｐｐｍ／°Ｃ以上の熱膨張率を有する。 （もっと読む）

【課題】 支持体及びプローブ基板の熱変形に起因する針先の高さ位置及び座標位置の変化を可能な限り抑制することを目的とする。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。支持体及びプローブ基板の少なくとも一方は、電力を受けて発熱又は吸熱する温度調整部材を備え、支持体とプローブ基板とは、ほぼ同じ熱膨張率を有する材料で製作されている。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードを効果的に所定の温度に加熱することができるようにすることにある。
【解決手段】 集積回路の試験方法は、前記集積回路を受けるチャックトップが前記集積回路に対し電気信号の授受を行うプローブカードの近傍に存在するか否か、前記集積回路の試験中であるか否か、及び前記プローブカードが所定の温度を有するか否かを含むグループから選択される少なくとも１つを判定する第１のステップと、該第１のステップにおける判定結果に応じて前記プローブカードに備えられた発熱体に供給する加熱電力を調整する第２のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】テストハンドラのプッシャとテストデバイスの間の接触状態を判定する。
【解決手段】プッシャ２０の支持部２１及び押圧子２２に設けられる吸引孔２３により、テストデバイス３０が吸引される。押圧子２２は吸引固定されたテストデバイス３０をソケット４０に押し当て、ソケット４０に装着する。プッシャ２０は、吸引固定されたテストデバイス３０を設定温度Ｔ１に保温する。温度センサ２４は、テストデバイス３０と接する押圧子２２の面の中央部にセンサ接触部２５が設けられ、吸引固定された側のテストデバイス３０の表面温度を検知する。記憶・判定部７は、テストデバイス３０の表面温度情報が入力され、予め記憶されているテストデバイス３０が押圧子２２に良好に吸引固定されたときの所定温度Ｔｓとモニターされたテストデバイス３０の表面温度を比較し、吸引固定されたテストデバイス３０の接触状態の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】インデックステーブル式ハンドラにおいて、一度に大量のデバイスの高温化又は低温化を可能にするとともに、半導体装置や電子部品等のデバイス用のテスト装置が配置可能になる高低温テストユニットを実現する。
【解決手段】高低温テストユニット１は、テストハンドラＨのメインテーブルＭから一定の距離を置いて、テスト装置２を備え、その間を、レール４２と、レール４２上を移動するシャトル４１とにより、デバイスＤをメインテーブルＭとの間で受取り及び受渡しを行なう引離し機構４と、保持部５１により、シャトル４１との間でデバイスＤの受取り及び受渡しを行い、デバイスＤを高低温化装置３との間で受取り受渡しを行なう受渡し機構５と、高低温化装置３との間でデバイスＤの受け取り及び受渡しを行なうとともに、デバイスＤをテスト装置２との間で受け取り及び受渡しを行なう搭載機構６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも正確な信頼性寿命を簡単に予測することのできる半導体装置の評価方法、評価装置、および、評価プログラムを提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極にストレス電圧を一定時間印加するストレス電圧印加ステップＳ４２と、一定時間の経過後、ドレイン電流Ｉｄを測定する測定ステップＳ４３と、ゲート電極にストレス電圧より絶対値の小さい回復電圧を一定時間印加する回復電圧印加ステップＳ４５と、一定時間の経過後、ドレイン電流Ｉｄを測定する測定ステップＳ４６と、測定ステップＳ４３で測定したドレイン電流Ｉｄと、測定ステップＳ４６で測定したドレイン電流Ｉｄとから、ドレイン電流劣化率ΔＩｄと作動時間の関係を近似した近似式を求める近似ステップと、近似式のドレイン電流劣化率ΔＩｄに、信頼性寿命の判断基準となる数値を代入することにより、信頼性寿命を算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）