【課題】磁気を検出するホールセンサと、前記ホールセンサの駆動や信号処理を行うためのＩＣをリードフレームのダイパッド上に別々にダイボンドにより配置し、かつ１つのパッケージ内に封入されている磁気センサにおいて、急激な磁束密度の変化によりリードフレームに発生する渦電流の影響を抑え、電流センサに必要な高速応答性を備えた磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気を検出するホールセンサと、前記ホールセンサの駆動や信号処理を行うためのＩＣをリードフレームのダイパッド上に別々にダイボンドにより配置し、かつ１つのパッケージ内に封入されている磁気センサにおいて、前記リードフレームのダイパッドが互いに電気的に絶縁された２つ以上の複数の金属片から構成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】電源を不要とし、環状コアの磁気回路についての非対称性を容易に補正可能で、かつ検出する電流について大きなダイナミックレンジを確保する。
【解決手段】分離位置Ａを挟んでコア部２ａに巻回された第１コイル３およびコア部２ｂに巻回された第２コイル４と、分離位置Ｂを挟んでコア部２ａに巻回された第３コイル５およびコア部２ｂに巻回された第４コイル６とを備え、各コイル３，５は順極性で直列接続されて第１直列回路２１を構成し、各コイル４，６は順極性で直列接続されて第２直列回路２２を構成し、第１直列回路２１にはコイル３，５に発生する誘起電圧のバランス調整用の第１抵抗回路７が接続され、第２直列回路２２にはコイル４，６に発生する誘起電圧のバランス調整用の第２抵抗回路８が接続され、各直列回路２１，２２は順極性の状態で直列接続されて、各直列回路２１，２２の両端間にそれぞれ発生する誘起電圧の差動電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】感磁部と磁気感度および抵抗の調整を可能とするトリミング部とを備えた磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気センサは、基板２６に設けられた化合物半導体からなる十字形状パターンの感磁部２１を備え、入力端子２１ａ，２１ｂと出力端子２１ｃ，２１ｄの少なくとも一方の端子２１ａ，２１ｄに、化合物半導体を有するトリミング部２３ａ，２３ｂが接続電極２４を介して直列接続されている。ウェハプロービングを行いながら、接続電極２４を介して感磁部２１に直列接続された入力端子側のトリミング部２３ａを、レーザートリミングすることにより、定電圧駆動における磁気感度の調整を可能とし、同様に出力端子側のトリミング部２３ｂをトリミングすることにより出力抵抗の調整を可能にした。 （もっと読む）

【課題】 地磁気などの磁気を検知する３軸のセンサを用い、磁気ベクトルの正確な回転動作と角速度を計算できる磁界検知装置を提供する。
【解決手段】 磁気ベクトルを検知する３つの磁気センサからの検知出力に基づいて、磁気ベクトルの座標点を演算する。演算された座標点データを所定数含む第１の演算データ群Ｎ１−１を用いて、座標点データが移動している移動平面を求める。次に、複数の最新座標点データを含む最新データ群Ｎａ−１の平均値と移動平面との誤差を求め、その誤差が小さいときは、最新データ群Ｎａ−１を含むデータ数の多い第１の演算データ群Ｎ１−２を使用して移動平面を求める。前記誤差が小さいときは、最新データ群Ｎａ−１を含む少数のデータから成る第２の演算データ群Ｎ２−１を使用して移動平面を演算する。 （もっと読む）

【課題】基板に磁石が及ぼす磁界により発生する誘導起電力の影響を抑える。
【解決手段】基板３と、基板３に対向して配置され基板３に対向する面内にＳ極とＮ極が存在する磁石２を含み、基板３には、電気部品４と、電気部品４にそれぞれ接続されて、基板３上で引き出されている複数の電気配線５ａ，５ｂを有する。磁石２と基板３は互いに相対的に移動または回転可能である。複数の電気配線５ａ，５ｂは、電気部品４から見て引き出し方向に位置する部分であって、磁石２と基板３とが互いに相対的に移動または回転する際に、磁石２から受ける磁力によって誘電起電力が発生させられる部分５Ｘと、電気部品４から見て引き出し方向と反対側に位置する部分であって、誘導起電力と反対の極性の誘導起電力が発生させられる部分５Ｙとを含む。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響が低減され、かつ、増幅歪みの少ない半導体磁気センサ及びそれを用いた磁性体検出装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成にして、 ＭＨｚ帯域の微弱磁界を検出することの可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】微弱な高周波磁界を検出する検出コイル(2)と、検出コイルに誘導される誘導電流をインピーダンス変換して電圧信号として出力するトランスインピーダンスアンプ(3)とを具備し、検出コイルは、寄生容量が所定値より小さい巻数である。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ装置内部の各構成素子が発するノイズや外来ノイズによる磁界強度の検出または解除のばらつきを抑制し、高精度な磁気読み取りを可能にする。
【解決手段】比較器の出力端子がそれぞれ入力端子に接続される第一のＤ型フリップフロップおよび第二のＤ型フリップフロップと、第一のＤ型フリップフロップと第二のＤ型フリップフロップの出力端子がそれぞれ第一、第二の入力端子に接続されるＸＯＲ回路と、第二のＤ型フリップフロップの出力端子と第三のＤ型フリップフロップの出力端子がそれぞれ第一、第二の入力端子Ａ、Ｂに接続され、ＸＯＲ回路の出力がセレクト端子に接続され、ＸＯＲ回路の出力に応じてＡかＢの入力を選択的に出力するセレクタ回路と、セレクタ回路の出力端子が入力端子に接続される第三のＤ型フリップフロップと、を備える。 （もっと読む）

集積回路パッケージ・デバイスを設けるための方法および装置。集積回路パッケージ・デバイスは、導電性リードフレームと、このリードフレーム上に配置された磁気センサ・エレメントとを備えている。リードフレームは、磁気センサ周囲において渦電流の流れを低減するスロット構成を含む。このスロット構成は、第２スロットに対して概略的に垂直な第１スロットを含み、第１スロットはセンサ・エレメントの下を貫通する。 （もっと読む）

【課題】磁気検出レベルが電源の内部抵抗の抵抗値に依存しにくい低消費電力の磁気センサ回路を提供する。
【解決手段】比較回路２１は、主にホール素子２５及び増幅回路２６が給電されることによって電源電圧ＶＤＤが電圧降下した状況でのサンプル後に生成された磁気に基づいた電圧Ｖｈ２と、その状況でのサンプル後の基準電圧Ｖｒｅｆと、を比較する。これらの電圧は、両方とも、内部抵抗３３によって電圧降下した電源電圧ＶＤＤに基づいて生成される。よって、磁気検出レベルＢｄｅｔが内部抵抗３３の抵抗値Ｒｖｄｄに依存しにくくなる。また、例えば、サンプル期間では比較回路２１が動作しないようにでき、比較期間ではホール素子２５及び増幅回路２６が動作しないようにできるので、その分、磁気センサ回路の消費電力が低くなる。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の測定精度を高めることで、検出精度を向上させる磁気センサを提供する。
【解決手段】外部磁界の方向を検出するための磁気センサ１は、それぞれが少なくとも１つの磁気抵抗効果素子からなる４つの抵抗素子部１１−１４によって構成され、外部磁界の方向に応じて出力が変化するようになっているブリッジ回路１０と、ブリッジ回路１０の各出力端子Ａ，Ｃにそれぞれ接続された２つの抵抗体２１，２２と、を有し、各抵抗素子部１１−１４の抵抗値が磁気抵抗変化により最小値となった時のブリッジ回路１０の抵抗値に対する、各抵抗体２１，２２の抵抗値の比が２以上である。 （もっと読む）

【課題】磁気検出部材とバイアス磁界発生源の磁石との間に実装バラツキが存在していても、バイアス磁界のバラツキを低く抑えることができる磁気センサの部品配置構造を提供する。
【解決手段】磁気センサは、複数の検出素子８ａ〜８ｄを持つ磁気検出素子チップ２と、この磁気検出素子チップ２にバイアス磁界を印加する磁石３とを備える。そして、磁石３の発磁面幅Ｗａを検出素子８のパターン幅Ｗｂよりも大きく設定し、磁石３の発磁面長さＫ１を、検出素子８のパターン間隔Ｋ２よりも小さく設定する。 （もっと読む）

【課題】 特に、出力のオフセットが許容所定内であるか否かを簡単に検出することが出来る磁気検出装置及び磁気検出装置のテスト方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の磁気検出素子を接続して成るブリッジ回路には、一方の直列回路の入力端子Ｖｄｄ側に設けられた出力部ａ１とグランド端子ＧＮＤ側に設けられた出力部ａ２の間、及び他方の直列回路の入力端子Ｖｄｄ側に設けられた出力部ａ３とグランド端子ＧＮＤ側に設けられた出力部ａ４との間に、第１，第２の抵抗部２５，２６が接続されている。各第１，第２の抵抗部２５，２６にテスト用抵抗部３３，３４を並列接続する。続いて、出力テストを行い、Low信号が出力されれば良品、High信号が出力されれば不良品とする。出力テスト終了後、前記テスト用抵抗部３３，３４を回路的に切り離して製品化する。 （もっと読む）

【課題】
耐ノイズ特性及び製造上のばらつきの低減化が図れる磁気センサを提供する。
【解決手段】
磁気センサ（１００）は、磁電変換素子（１１０）、定電流回路（１２０）、クランプ（１３０）及び増幅部（１４０）を有する。磁電変換素子（１１０）は一対の入力端子（１１０ａ，１１０ｂ）及び一対の出力端子（１１０ｃ，１１０ｄ）を有する。定電流回路（１２０）は一対のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳ１，ＰＭＯＳ２）で構成し、入力端子（１１０ａ）にＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１のドレイン側から定電流（ｉｄ１）を供給する。クランプ回路（１３０）は、入力端子（１１０ｂ）から流出する定電流（ｉｄ１ａ）を吸い込む。クランプ回路（１３０）の入力部及び増幅部（１４０）の入力段はそれぞれＰＭＯＳトランジスタの差動増幅器で構成する。 （もっと読む）

本発明はホールプローブ（２）を用いて磁界強度を検出するための測定装置並びにホールセンサ装置（１）の機能診断のための方法に関している。前記測定装置は、少なくとも１つのホールプローブ（２）を備えたセンサ装置（１）を含んでいる。本発明は、前記ホールプローブ（２）からガルバニック絶縁された電気的な診断用導体（４）によって特徴付けられる。本発明によればセンサ装置（１）ないしホールセンサ（２）の永続的でかつ包括的な診断を行うことのできる、ホールセンサ装置（１）とその機能診断のための方法が得られる。特にホールセンサ（２）は定量的な機能性や欠陥のみでなく、適正な較正に関しても定量的な検査が可能である。場合によってはセンサ（２）の即応的な補正も行うことができる。これにより特に温度ドリフトやセンサ（２）の機械的な緊張に基づく測定エラーが除去できるようになる。
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磁気抵抗（ＭＲ）検出デバイスは、ブリッジ回路を形成するように電気的に接続されたＭＲ素子と、ブリッジ回路ＭＲ素子の改善された整合のための１つまたは複数の非機能的（または「ダミー」）ＭＲ素子とを含む。
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【課題】簡易な構成で検出精度を向上させる。
【解決手段】検出回路は、センサの駆動を制御するためのデジタル制御信号を所定周波数のクロックに基づいて更新して出力する制御信号更新回路と、制御信号更新回路から出力されるデジタル制御信号を、前記センサを駆動すべくアナログ制御信号に変換して出力するＤＡコンバータと、アナログ制御信号に応じて変化するセンサの検出信号の電圧レベルと、所定レベルの基準電圧との比較結果信号を出力する比較回路と、比較回路から出力される比較結果信号と、所定周波数のクロックとに基づいて、検出信号に応じた時間をカウントして出力するカウント回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ハーフブリッジに備えられる一対の磁気抵抗素子間の抵抗値のばらつきを抑制した磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０において、共通の基板１４上に配置された一対の第１磁気抵抗素子１６、第２磁気抵抗素子１８が、その第１磁気抵抗素子１６の薄膜ヨーク３０、３２の感磁方向すなわち中心線Ｃ１の方向と第２磁気抵抗素子１８の薄膜ヨーク３０、３２の感磁方向すなわち中心線Ｃ２の方向とが相互に平行な方向となるように配置されていることから、一対の磁気抵抗素子１６、１８は基板１４上において一面に同時に成膜されたＧＭＲ膜のうち同じ方向のＧＭＲ膜が一対の磁気抵抗素子１６、１８のＧＭＲ膜３４としてそれぞれ用いられるので、一対の第１磁気抵抗素子１６の抵抗値Ｒ１および第２磁気抵抗素子１８の抵抗値Ｒ２の間のばらつきがそれぞれ好適に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子を構成要素とする複数の抵抗部を有するホイーストンブリッジ回路を備えた磁界検出装置において、検知磁界に対する出力の線形性や温度特性を損なうことなく、ホイーストンブリッジ回路を構成する抵抗部の抵抗値を調節することは困難であった。
【解決手段】 磁界検出装置を複数の抵抗部を有するホイーストンブリッジ回路を備えたものとし、抵抗部のうち少なくとも一つの抵抗部を、複数の磁気抵抗効果素子が並列に接続された素子群で構成する。 （もっと読む）

【課題】 外部から印加された磁界の磁束密度を正確に検出する。
【解決手段】 ホール素子１００の一辺の側に形成され、その一辺に設けられた端子Ｃ１０１にドレインが接続され、ホール素子１００を駆動するトランジスタＭＰ１０１と、その一辺の側に形成され、その一辺に設けられた端子Ｃ１０２にドレインが接続されたトランジスタＭＰ１０２と、その一辺に対向する他辺の側に形成され、その他辺に設けられた端子Ｃ１０３にドレインが接続されたトランジスタＭＮ１０１と、その他辺の側に形成され、その他辺に設けられた端子Ｃ１０４にドレインが接続されたトランジスタＭＮ１０２と、を備える。 （もっと読む）