【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 特にＳＦＰ構造における第１磁性層の膜厚を、耐熱性及びΔＭＲの観点から適正化してなるセルフピン止め型の磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性材料層を介して積層された積層構造を備え、固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、第１磁性層３ａは第２磁性層よりも高保磁力材料のＦｅ_xＣｏ_100-x（ただしｘは、５５ａｔ％以上で６５ａｔ％以下）で形成され、第１磁性層３ａの膜厚ｔ１は１４Å以上で２０．５Å以下の範囲内で第２磁性層よりも薄く、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃの磁化量の差が実質的にゼロである。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器、トランジスタ、コンデンサなどのような他の構成要素の内の１つ又はそれ以上を、磁気センサーと同じチップの一部として有する単一チップ設計、特に、チップ上に配置されているセット／リセットドライバー回路を有する設計を提供する。
【解決手段】磁気感知装置と、それを作成する方法及び使用する方法とが開示されている。感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度であり、かつ容易に形成することができる磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、４つ以上の強磁性層８と、４つ以上の強磁性層８のそれぞれの間に設けられた３つ以上のトンネル絶縁層９とを備え、外部から磁界Ｈｅｘを印加しない状態において３つ以上のトンネル絶縁層９のそれぞれを挟んで対向する強磁性層８の磁化１１方向は互いに反対方向である。 （もっと読む）

【課題】任意のサイズ、形状の磁性体の透磁率を計測でき、生産プロセスライン上のウエハ等において、切断や加工を施すことなく、プローブをスキャンすることにより、透磁率のウエハ内の分布を評価可能である磁性体の透磁率計測装置および磁性体の透磁率計測方法を提供する。
【解決手段】誘電体もしくは絶縁体を導体と地導体によって挟んだ構造を有し、その導体と地導体あるいは導体に磁性体を絶縁体を介して近接配置する。磁界印加部により導体から磁性体に磁界を印加し、磁界印加部による磁界印加の有無による信号の振幅情報あるいは複素情報の差分を信号計測器により測定する。信号計測器で測定された信号の差分から、磁性体の透磁率を最適化処理により求める。磁性体に対してプローブをスキャンすることによりウエハ内における透磁率の分布を評価可能である。 （もっと読む）

【課題】 三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。
【解決手段】 第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子１００は、面内磁化膜の磁化自由層１０３と、面内磁化膜の磁化固定層１０５と、磁化自由層１０３と磁化固定層１０５の間に設けられたトンネルバリア層１０４とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から３°以上３０°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構３０２と、磁化固定層１０５の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層１０３の膜面直方向の反磁界の比が０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における磁気センサ１は、基板２上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子１０と、前記磁気抵抗効果素子１０と電気的に接続された固定抵抗素子２０とを有し、前記固定抵抗素子２０は、Ｆｅ単層２２と、前記Ｆｅ単層２２よりも抵抗温度係数（ＴＣＲ）が低い非磁性層２１とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子１０よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。
【解決手段】複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。これら複数のＭＲ素子を、サブＡＰ２層１３の磁化方向を磁場方向に向けるのに十分な方向と大きさを有する磁場中に配置する。そののち、磁場の大きさを零になるまで減少させ、磁場の大きさが零になったときに、ＭＲ素子を熱処理する。それによって各サブＡＰ１層１５の磁化方向を当該ＭＲ素子の長手方向に沿うように固定する。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の電気比抵抗の増加率が相対的に小さく、かつ、電気比抵抗の増加率が均一な金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】（１）式で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填されたＭｇ−Ｆ系化合物からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサ。
(Ｆｅ_1-xＣｏ_x)_100-z(Ｂ_1-yＳｉ_y)_z ・・・（１）
但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦２０。 （もっと読む）

【課題】磁界の検出感度の高い磁気センサ及び磁界測定装置を提供する。
【解決手段】半導体（シリコン）基板上にＴａ層を形成し、その上にＣｏＦｅＢ層である磁化自由層５０、Ｃｕ層である導電金属層４０、ＣｏＦｅ層である磁化固定層３０、ＭｎＩｒ層である反強磁性層２０及びアルミニウム層１０、をこの順で積層した多層膜をリソグラフィで線幅３０［μｍ］、長さ２００［μｍ］のセンサ部７０を形成する。さらに、センサ部７０の、磁化自由層５０の磁化容易軸の方向と直角方向の両端に、幅６００［μｍ］、長さ６００［μｍ］の電極部６０，６１とを形成する。この磁気センサ５をブリッジ回路９０の１辺に配置し、発振器８０からブリッジ回路９０に交番電流を印加し、磁化自由層の磁壁を振動的に移動させ、外部磁界に対する抵抗変化をしやすくすることにより、磁気センサ５の感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】小型・軽量で高感度な磁気検知素子を提供する。
【解決手段】 元々薄膜技術等を用いて作製されるＴＭＲ素子２を用いて磁気検知素子１を構成することで、小型・軽量化を図るとともに、当該素子１の一面に磁性層４の抗磁力よりも低く、かつ、その異方性軸が磁性層４の異方性軸とは独立して設定された磁界感知補助用軟磁性膜７を備える構成とし、抗磁力の差を利用することで磁力検知を機能分離して行なえることから、センサとしての磁界感度が向上するようにした。 （もっと読む）

【課題】磁気センサとして感度が高く、測定レンジの大きなＭＩセンサを提供する。
【解決手段】本発明のマグネトインピーダンスセンサは、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤと前記感磁ワイヤの周囲に絶縁物を介して検出コイルを有し、前記感磁ワイヤに高周波電流を印加することで、外部磁場に応じて検出コイルより発生する電圧を検出するマグネトインピーダンス素子と、前記マグネトインピーダンス素子に高周波電流を供給する電流供給装置と、検出コイルからの出力を信号処理する信号処理回路を有するマグネトインピーダンスセンサにおいて、前記感磁ワイヤは少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有し、前記高周波電流は０．３以上、１．０ＧＨｚ以下の周波数を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ素子が安定して電気的に接続されたセンサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセンサ装置１０は、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置されたセンサ素子１４、１６、１８と、これらのセンサ素子を被覆する封止樹脂３２とを主要に備えて構成されている。センサ素子１４およびセンサ素子１６は、上面にセンサ部２６およびセンサ部２８が設けられており、上面に設けられた接続パッドが金属細線２４を経由して基板上のパッドと接続される。一方、センサ素子１８は、側面に設けられた接続パッド１８Ａが、回路基板１２の上面に配置された厚いポスト３５に半田１１を経由して接続される。 （もっと読む）

【課題】デザインルールを変更することなく電極パッドの配置を変更することによって、ペレット取数を増加させることを可能にすること。
【解決手段】基板１１上に設けられた導電層からなる十字型パターンである感磁部の周辺に電極パッド１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが配置されている。基板上１１の素子形状は長方形であり、この長方形の平面内に配置された感磁部１２の十字型パターンの一方の一対の端子１２ａ，１２ｂは、引き回し電極１３ａ，１３ｂを介して電極パット１４ａ，１４ｂに接続されている。十字型パターンの他方の一対の端子１２ｃ，１２ｄは、引き回し電極を介することなく電極パット１４ｃ，１４ｄに接続されている。長方形の長辺に沿って、電極パット１４ａと、電極パット１４ｃと、電極パット１４ｄと、電極パット１４ｂが、この順に横一列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体において、
磁気センサの磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を
受けて大きく変化し、設計値に対してオフセットを生じる。
【解決手段】 保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一部を薄肉化して
凹部を形成する。磁気抵抗効果素子と保護金属カバーとの間隔が局部的に広くなることで
、環境温度の影響を受けて保護金属カバーと磁気センサの素子面との対向状態が変化して
も、磁気抵抗効果素子内の温度分布が不均一になり難く、中点電位差が変化しにくい磁気
センサ組立体となる。 （もっと読む）

【課題】小型の磁気センサをウエハ状態で検査するときに磁気センサとコイルとの相対的な位置合わせを容易にし、かつ高精度な検査を実現可能にする。
【解決手段】１つの基板１１の主面１１ａ上に、少なくとも１つの磁気センサ素子１２と、該磁気センサ素子１２の周辺に少なくとも１つのコイル素子１３とが形成され、それぞれの磁気センサ素子１２およびコイル素子１３には電極パッド１２ｂ，１３ｂが設けられてなる磁気センサウエハ１０における磁気センサ素子の検査方法であって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの電極パッド１２ｂに測定用の針３を立てるとともに、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの周辺のコイル素子１３Ａ，１３Ｂの電極パッド１３ｂに通電用の針４Ａ，４Ｂを立てた後、通電用の針４Ａ，４Ｂからコイル素子１３Ａ，１３Ｂへ通電することによって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔに検査用の磁界Ｍ_Ｔを印加する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡素な工程を用い、且つ製造時の不良を低減することができる磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、樹脂ケース１０のピン端子挿入用貫通孔１６０に各ピン端子１３を装着する（Ｓ１０１）。次に、樹脂ケース１０の素子装着凹部１０１に磁気抵抗素子１１を設置し、リード端子１２が配列形成されたリードフレーム２０１を樹脂ケース１０の天面１１０側に配置する（Ｓ１０２→Ｓ１０３）。リード端子１２とピン端子１３とを熱圧着により接合する（Ｓ１０４）。樹脂ケース１０の切断用溝１２０に沿ってリード端子１２をリードフレーム２０１から切り離す（Ｓ１０５）。リード端子１２と磁気抵抗素子１１とを熱圧着により接合する（Ｓ１０６）。樹脂ケース１０にカバー１５を装着する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高感度かつ小面積の半導体磁気センサーを低コストで提供すること。
【解決手段】半導体基板上に化合物半導体から構成されたエピタキシャル成長層を分割することにより形成された３つのメサ領域が形成されている。メサ１０Ｃはホール素子部１００として使用される。メサ１０Ａ及びメサ１０Ｂは、それぞれホール素子部１００からの出力を増幅するための電界効果トランジスタ部２００Ａ、２００Ｂとして使用される。メサ１０Ｃとメサ１０Ｂ、メサ１０Ｃとメサ１０Ａはそれぞれ隣接して設けられているが、これらのメサ同士はエッチングにより分断されることによって絶縁されている。電圧検出用電極２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれ電界効果トランジスタ部２００Ａ及び２００Ｂのゲート電極４０Ａ、４０Ｂに直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、このホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６とを備え、軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、この有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。 （もっと読む）