【課題】簡便且つ精度良く絶縁性材料の誘電率を測定する方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る誘電率の測定方法は、極性基の含有率と誘電率とが既知である標準材料を用いて作成された、極性基の含有率と誘電率との関係を示す検量線を準備する工程と、絶縁性材料の近赤外吸収スペクトルを用いて絶縁性材料における極性基の含有率を求める工程と、得られた絶縁性材料における極性基の含有率と検量線とを照合することにより絶縁性材料の誘電率を求める工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】感光層の深さ方向に関して微小領域の誘電率を、デバイス状態のまま簡易で瞬時に得る。
【解決手段】レーザ光源８より感光体１に可視領域のレーザ光を照射すると共に感光層からのラマン散乱光成分を受光する分離光学素子と対物レンズ１７とを有する顕微光学系９と、ラマン散乱光成分を分光する分光器１０と、分光器により分光されたラマン散乱光の強度を検出する光検出器１１とを有し光検出部で検出されたラマン散乱光の強度からラマン散乱光スペクトルを得るラマン分光測定装置７を備える。さらに、予め測定された、感光層の特徴的なラマン散乱ピークの強度と誘電率との相関データとを格納する相関データ格納部１２と、ラマン分光測定装置で得られたラマン散乱光スペクトルから特徴的なラマン散乱ピークの強度を抽出して、相関データに基づき誘電率を演算する誘電率演算部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光を受けると起電力が発生する半導体試料においても、信頼性のある抵抗率測定を行うことができる半導体試料の抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。電圧測定部１７は、４探針プローブ１５の探針ｂ、ｃ間で検出した半導体試料２２の起電力を測定し、制御部１４へ出力する。制御部１４は、電圧測定部１７の測定結果に基づいて半導体試料２２の照度変化に対する抵抗率の変化を求め、表示部１９に表示する。 （もっと読む）

【課題】非破壊、非接触で効率的にかつ高精度で透明導電膜の抵抗率を計測すること。
【解決手段】事前に行われた検査条件選定方法により選定された波長を有するＰ偏光の照明光を該方法により選定された入射角で、製造ラインを搬送される透光性基板上に製膜された透明導電膜に膜面側から照射する光照射装置３と、透明導電膜において反射された反射光を検出する光検出装置２と、検出した光の強度に基づいて該波長についての反射光の光量に係る評価値を算出し、評価値と抵抗率とが予め関連付けられている相関特性を用いて、算出した評価値から抵抗率を求める情報処理装置７とを具備する抵抗率検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電性物質上に測定対象を載せた状態で測定対象の導電率の測定を可能にするとともに、溶かすことができない測定対象の分子量の測定を可能にする
【解決手段】非接触測定装置１は、試料を収納する試料収納部２と、試料収納部２にテラヘルツ光を照射するテラヘルツ光照射部３と、試料収納部２から出射するテラヘルツ光を検出する検出部４と、検出部４での検出結果に基づき解析を行う解析部５を備える。試料収納部２は、テラヘルツ光を反射し易い金属で構成されて試料が載置される試料載置板４１を備える。即ち検出部４は、試料を通り抜けて試料載置板４１で反射したテラヘルツ光を検出する。また解析部５は、検出部４での検出結果に基づき試料の透過率を算出する透過率算出部５１と、算出された透過率を用いて試料の導電率を算出する導電率算出部５２と、算出された透過率を用いて試料の分子量を算出する分子量算出部５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ベクトルネットワークアナライザ（ＶＮＡ）の測定に必要なシステムパラメータの数を大幅に削減し、作業性及び実用性を向上させる。
【解決手段】 従来の測定方法は電力比W=a2/a1の複素平面における３つの円の交点に基づくものであったが、本発明はＳパラメータのＳ平面における３つの円の交点に基づく。６ポート接合の入力ポートＰ１にのみ波を加えた場合における３つの出力ポートの電力比3K4, 3K5, 3K6（実数システムパラメータ）と、ＤＵＴにのみ波を加えた場合における３つの出力ポートの複素振幅比3k4, 3k5, 3k6（複素数システムパラメータ）を使用してＳパラメータを求める。本発明では、測定系の特性τjkはキャンセルされて前記システムパラメータに影響を与えることがなく、Ｓjkごとにシステムパラメータを決める必要がない。これにより、システムパラメータ数を大幅に減らすことができた。 （もっと読む）

本発明は、表面に配置された少なくとも１つのｐｎ接合部を含む半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを非接触で測定するための接合光起電力法と装置に関し、本方法は、半導体構造体のｐｎ接合部を有する表面を第１の波長の光ビームで照射して表面に過剰キャリアを生成する工程と、光ビームの光強度を単一の予め定義された周波数で変調する工程と、照射エリアの内側における第１の位置で第１の光起電力を測定し、かつ照射エリアの外側における少なくとも１つの第２の位置で第２の光起電力を測定する工程と、第１の光起電力および第２の光起電力に基づいて半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを計算する工程とを含む。この方法で、半導体構造体の電気的および／または物理的パラメータを非接触で測定する高速で正確かつ使用が容易な可能性を提供する。
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【課題】 ベクトルネットワークアナライザ（ＶＮＡ）の測定精度及び測定ダイナミックを大幅に向上させる。
【解決手段】 被測定デバイスＤＵＴのＳパラメータを測定するＶＮＡに７ポート接合を使用する。電源ＶＳからの波をポートＰ１に入れ、ＤＵＴからの波をポートＰ２に入れ、測定ポートＰ３〜Ｐ７の検波出力に基づきＤＵＴのＳパラメータを算出する。位相の測定に際して、低雑音増幅器ＬＮＡ／減衰器ＡＴＴを含む振幅比調整手段１０によりポートＰ１の波とＰ２の波の振幅をほぼ同じように調整することで、測定誤差を小さくできるとともに、ダイナミックレンジを拡大できる。７ポート接合は、ポートＰ１の電力を測定するためのポートＰ３と、ポートＰ２の電力を測定するポートＰ４とを備えるので、振幅比の測定は容易である。 （もっと読む）

【課題】 高周波計測システムの主流となっているＶＮＡの校正方法は、校正時に数種類の標準器の接続と取り外しが必要であり、人為的ミスが発生する原因となっており、測定精度低下の問題が発生していた。
【解決手段】 本願出願人が発明した積分校正法は、従来のような複雑な校正手順を踏むことなしに、１つの移相器と、１つの複素反射係数既知の標準器のみで校正することができるので、校正精度が向上し、Ｓパラメータを算出する際の誤差を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 時間幅が０．１ピコ秒以下の光パルスの照射によって発生する電荷の寿命を１ピコ秒以下とすることができる電磁波放射用アンテナを提供すること。
【解決手段】 この電磁波放射用アンテナ２８は、半絶縁性基板と、半絶縁性基板に形成された光伝導薄膜と、コプラナー伝送線路とを有し、コプラナー伝送線路は、一対の伝送線路電極本体と、各伝送線路電極本体からそれぞれ突出する突起電極とを有し、一対の伝送線路本体は平行に配置されており、突起電極は互いに向かい合っており、向かい合う２つの突起電極の間隔が最小となっている電流通過領域の周囲に不純物が含まれており、電流通過領域の幅は２μｍ以上１５μｍ以下である。この電磁波放射用アンテナ２８は、テラヘルツ電磁波発生・検出装置に用いられる。 （もっと読む）