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Fターム[2G041GA16]の内容

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Fターム[2G041GA16]に分類される特許

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本発明の実施形態は、多孔質シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板、このようなイオン化脱離を実施するための方法およびこれらの基板の製造方法を対象とする。シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板を対象とする一実施形態は、式(I);または式(II)の式を有する表面を有する基板を含む。上の式で、XはHもしくはYであり、Xの少なくとも25モルパーセントはYであり、Yは、ヒドロキシルまたは−O−RまたはO−SiR,R,Rであり、R、RおよびRは、CからC25の線状、環状または分岐状のアルキル、アリールまたはアルコキシ基、ヒドロキシル基またはシロキサン基からなる群から選択され、R、RおよびRの基は、置換されていないか、または1つまたはそれ以上の基(例えば、ハロゲン、シアノ、アミノ、ジオール、ニトロ、エーテル、カルボニル、エポキシド、スルホニル、陽イオン交換体、陰イオン交換体、カルバメート、アミド、尿素、ペプチド、タンパク質、炭水化物、および核酸官能基)で置換されている。

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少なくとも2つの異なる変数の関数として複数の成分を含む試料の成分を分離する能力を有する分離システム(10、50、60)内の少なくとも1つの試料から得られたデータを分析する方法であって、2つの変数の関数として表される、少なくとも1つの試料を表すデータをそのシステムから得ること、連続するレベルを有するデータ・スタック(70、74、78、82、84)を形成することであって、各レベルが、少なくとも1つの試料を表す連続データを含むこと、データ・スタック内のすべてのデータのコンパイルを表すデータ配列(R)を形成すること、および、データ配列を一連の行列に分離することを含む方法。この方法に従って動作する化学分析システム、およびシステムにこの方法を実行させるコンピュータ可読プログラム・コードを有する媒体。 (もっと読む)


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