【課題】高温を使用せず室温付近で検出でき、さらにフッ素系液体等からの妨害ガスの干渉も受けず、簡便にＣ₅Ｆ₈やＣ₄Ｆ₆等のフッ素化炭化水素を検出する方法及び検出センサーを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される、リン−窒素二重結合を有する化合物との反応を用いたフッ素化炭化水素の検出方法、及び検出部に、下記一般式（Ｉ）で表される、リン−窒素二重結合を有する化合物を用いたフッ素化炭化水素の検出センサー。
【化１】
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感度、選択性および長時間安全性を向上させることができる薄膜型高活性ガスセンサーを開示する。また、その薄膜型高活性ガスセンサーの製造方法であって、製造工程の単純化、薄膜化および小型化を図ることができるものを開示する。 （もっと読む）

【目的】感ガス素子の各電極ピンや補償素子の各電極ピンを外部基板へ直接半田付け可能とし、機器に実装する際の自由度を高めることを目的とする。
【構成】電極ピン４ａ、５ａのマウントベース２から外部へ突出した部分には、半田付け可能な材料からなる外部接続端子１０が取り付けられている。この外部接続端子１０は筒状に形成されており、各電極ピン４ａ、５ａのそれぞれが筒状の外部接続端子１０の空洞内に挿通され取り付けられている。各電極ピン４ａ、５ａと外部接続端子１０との固定はレーザー溶接法によって各々を接合固定するのが好ましい。尚、この外部接続端子１０は、ニッケル、銅、又はニッケルと銅の合金の何れかから選択された材料で形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】センサ構造及び製造プロセスが単純で、かつ、応答速度や感度が高いセンサを製造することが可能なガス検出用素子及びこのガス検出用素子を備えた水素センサを提供する。
【解決手段】基板上に設けられる導体又は半導体からなる薄膜上に、水素吸蔵能及び／又は水素放出能の異なる２種類以上の金属を含む金属層を設けた。 （もっと読む）

【課題】センサー対数線及び安定性の問題により、金属酸化物類型のようなセンサーが拡がっていない点を改善する湿度センサーを提供する。
【解決手段】少なくとも二本の長方形電極は、各々基板上に形成され、各長方形電極には各第一端子及び第二端子がある。また、少なくとも一対の櫛形電極は、それぞれ少なくとも二つの長方形電極の一端と接触する。湿度センサー膜は、親水性のイオン性高分子化合物を具え、且つ少なくとも一対の櫛形電極上に形成する。製造方法に於いて、（ａ）少なくとも二つの長方形電極は各々第一端子及び第二端子を含む。（ｂ）この基板上には少なくとも一対の相互関係はあるが、相互に接触しない櫛形電極を形成し、且つその櫛形電極は基板上の二つの長方形電極の第一端子と接触する。（ｃ）この櫛形電極を湿度センサー材溶液中に浸し、湿度センサー膜を形成する。そのうち、湿度センサー材は親水性のイオン性高分子化合物を具える。 （もっと読む）

【課題】低コストで、処理回路と制御回路と変換回路とを一体的に集積することができ、余計なマスクや工程を必要としないガス検知半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス検知半導体装置１は、シリコン基板２上に形成され、当該シリコン基板２は、ＣＭＯＳ技術互換性のある高温金属からなるヒーター６が埋め込まれた酸化ケイ素絶縁薄膜３を有している。上記高温金属は、タングステンである。上記装置１は少なくとも、絶縁層４によってヒーター６から隔離されるガス感受性層を備える１つの検知領域を有している。最終製造過程工程の１つの工程として、検知領域内に薄い膜を形成するために、基板がエッチバックされる。当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 （もっと読む）