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Fターム[2G046FE46]の内容

Fターム[2G046FE46]に分類される特許

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【課題】 部品点数を増加させることなく簡単な構成で、環境変化による影響を低減できるガス検知装置を提供する。
【解決手段】 半導体式ガスセンサ20を間歇駆動させてガスを検知するガス検知装置10において、半導体式ガスセンサ20の駆動開始直後のセンサ出力Vと、駆動開始後の安定した状態のセンサ出力Vとに基づき、V=V+C(V)(但し、V:センサ出力補正値、V:安定した状態のセンサ出力、V:駆動開始直後のセンサ出力、C:補正関数)として、半導体式ガスセンサ20のセンサ出力補正値Vを算出し、このセンサ出力補正値Vに基づいて、ベース出力の変動の有無を判定するガス検出判定手段30を有する。 (もっと読む)


【課題】 インピーダンス変化式検出素子の加熱により感応膜の付着成分を除去した後、被検出ガス中のアンモニアガス成分に対する当該検出素子の検出出力を設定し、この設定出力に基づき検出素子の検出出力を補正することで、アンモニアガス成分を精度よく検出するようにしたアンモニアガス検出装置及びアンモニアガス検出方法を提供する。
【解決手段】 インピーダンス変化式検出素子70は、選択還元触媒14の下流側にて排気ガスに含まれるアンモニアガス成分に感応しプロトンのホッピング伝導を利用して、上記アンモニアガス成分を検出し出力電圧として発生する。マイクロコンピュータは、検出素子70の加熱処理後、検出素子70からの出力電圧を零点電圧として設定し、その後の検出素子70からの出力電圧を上記零点電圧に対する変化率を算出して補正する。 (もっと読む)


【課題】 感応部と基板とが強固に密着しているとともに、極めて低濃度の揮発性有機化合物(VOC)を検知する高感度の感応部を有するガス検知素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 揮発性有機化合物を検知するガス検知素子1は、基板10と、前記基板上に設けられた金属酸化物を主成分とするガス感応部30とを含んでなり、前記金属酸化物が、高周波誘導プラズマ溶射法により溶射された後、熱処理されたものであることを特徴とする。揮発性有機化合物を検知するガス検知素子1の製造方法は、高周波誘導プラズマ溶射法により基板10上に金属酸化物を溶射する工程と、この溶射された金属酸化物を熱処理する工程とを含んでなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】匂いガスを高感度で且つ短時間に検出できるガス検出装置を提供する。
【解決手段】少なくとも匂いガスを含む検知対象ガスに感応して電気抵抗値の変化を生じる金属酸化物半導体に貴金属触媒を添加した感ガス体4と、感ガス体4中に埋設されて感ガス体4を加熱するヒータ兼用電極3aと、感ガス体4の温度を第1の設定温度に加熱する高温期間と第1の設定温度よりも低い第2の設定温度に加熱する低温期間とが交互に繰り返すようにヒータ兼用電極3aの加熱量を制御するとともに、感ガス体4の電気抵抗値から検知対象ガスのガス濃度を検出するマイコン11とを備え、マイコン11は、被検ガス雰囲気中の低温期間における電気抵抗値の、清浄空気中の低温期間における電気抵抗値に対する抵抗値変化から匂いガスのガス濃度を検出している。 (もっと読む)


【課題】 被検出ガスに含まれる水分の濃度の変動をも考慮して、当該被検出ガス中のアンモニアガス成分をインピーダンス変化式検出素子でもって精度よく検出するようにしたアンモニアガス検出装置及びアンモニアガス検出方法を提供する。
【解決手段】 インピーダンス変化式検出素子70は、選択還元触媒14の下流側にて排気ガスに含まれるアンモニアガス成分を検出し出力電圧として発生する。マイクロコンピュータは、第1及び第2の作動条件の各成立時にそれぞれ検出素子70により発生される各出力電圧を予め記憶し、これら各記憶出力電圧とは別に上記第1及び第2の作動条件の各成立時にそれぞれ検出素子70により発生される各出力電圧と上記各記憶出力電圧との間において排気ガス中の水分の濃度に応じた検出素子70のインピーダンスの変化を補正するように定めてなる所定の関係に基づき、上記検出素子70により任意に発生される検出出力を補正する。 (もっと読む)


統合センサデバイス及び該デバイスを製造する方法は、半導体基板のMOS回路と、配線導体を有する配線層と、絶縁誘電体とからなり、前記配線層は基板上に設けられてMOS回路を相互接続し、前記配線層には配線誘電体に埋め込まれた電極を有するセンサが組み込まれ、かつMOS回路はセンサ電極からの信号を処理するためのプロセッサを有する。
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本明細書に開示するのは、金属酸化物センサの配列の抵抗を、デジタル信号に変換するデバイスおよび方法であって、ここで、センサは、センサ配列を取り囲んでいるガスの濃度に応答する。このデバイスは、励起電圧をセンサに提供する電子励起デバイス、センサの抵抗をデジタル信号に変換するアナログ−ツー−デジタル信号変換デバイス、および、デジタル信号からガス濃度を算出する手段を含む。
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【課題】 酸化物半導体の抵抗値変化のオーバーシュートを抑制して、良好な応答性を呈するガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガスセンサ1は、セラミック基板3の上面に一対の対向電極5を形成し、更にその上面に、雰囲気中のガス濃度に応じて抵抗値が変化する酸化物半導体7を積層した構造となっている。また、酸化物半導体7の表面を含むセラミック基板3の全周には、雰囲気から酸化物半導体7に至るガスの拡散を制御する拡散制御層9が設けられている。拡散制御層9が上記ガスの拡散を適切な速度に制御するため、SnO2 のように感度が優れた物質を酸化物半導体7として使用しても、抵抗値変化のオーバーシュートを良好に抑制することができる。 (もっと読む)


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