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Fターム[2G046FE46]の内容

Fターム[2G046FE46]に分類される特許

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【課題】 従来のものに比べてより一層低消費電力化を図り、感度の向上を図る。
【解決手段】半導体ガスセンサのヒーターを駆動するに当たり、前以てクリーニングするために、−200〜0msの期間(30mWで約450℃に加熱する状態)を経た後、ガス検知するための低温の状態、ここでは約50〜400msの期間(4.5mWで約100℃に維持する状態)に移行するとき、センサへのパワー供給を一定値以下、例えば150msだけ停止することにより、この時間分だけパワー消費を低減させ、感度も向上させる。 (もっと読む)


【課題】運搬が容易で、牛や馬の呼気ガスに含まれる低濃度域の水素と高濃度域のメタンを共に検出することができる畜産用呼気検査装置を提供する。
【解決手段】畜産用呼気検査装置は、清浄空気と共に牛又は馬の呼気ガスが供給され、呼気ガス中のガス成分に応じて流動遅延を生じさせる部材を充填したガス分離カラムと、1〜100ppmの濃度範囲の水素、10〜4000ppmの濃度範囲のメタン及び10〜100ppmの濃度範囲の一酸化炭素に対して感度を有し、ガス分離カラムの排気側に設けられて、呼気ガスに含まれるH、CH、COのガス濃度に応じた出力を順次発生する半導体ガスセンサ30と、半導体ガスセンサ30の出力のピークおよびリテンションタイムをもとにH、CH、COのガス濃度をそれぞれ求める演算処理部33とを備える。 (もっと読む)


【課題】導電率のバラツキの低減し、安定した水素ガスの漏洩検知が可能である水素ガス検知センサを提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子に触媒粒子を分散担持して構成される検知膜を有する水素ガス検知センサの製造方法であって、金属酸化物を形成するための前駆体となる金属酸塩水溶液のイオン交換を行い、含水酸化物ゾルを得る工程S2と、当該含水酸化物ゾルに触媒を混合するために触媒前駆体である触媒金属の溶液及びアルコール(Cnn+1OH)系の有機溶媒を加えて均一に分散混合する工程S3と、該触媒混合された含水酸化物ゾルの混合溶液を絶縁性の基板に所定の膜厚に塗布する工程S4と、該含水酸化物ゾルの混合溶液が塗布された膜を焼結して検知膜を形成する焼結工程S5と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】常温においても、高感度で水素ガスを検知することができる白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】a)アルコール溶媒中の酸化タングステン前駆体を含む前駆体溶液を作製する工程と、b) 前記前駆体溶液に白金化合物を添加して、白金化合物含有前駆体溶液を形成する添加工程と、c) 前記白金化合物含有前駆体溶液を熟成させる熟成工程と、d) 熟成工程後に、前記白金化合物含有前駆体溶液を基材上へ塗布し、塗布層を形成する工程と、e) 前記塗布層を乾燥する工程と、f) 前記乾燥後の塗布層を焼成して、白金複合酸化タングステン膜を形成させる焼成工程、を含む、白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】触媒の耐被毒性を向上させ、基板加熱することなく,低消費電力で、高感度、高速応答性を有する水素ガス検知センサを提供する
【解決手段】水素ガスセンサであって、半導体基板1上に形成される一対の電極5a、5bと、一対の電極5a、5bを絶縁するゲート絶縁膜2を介して一対の電極5a、5b間上部に形成される水素ガスを検知するための検知膜8と、ゲート絶縁膜2と対向して半導体基板1の他面に形成される半導体基板1にバイアス電圧を与えるためのゲート電極7とを備え、検知膜8は、水素ガスを吸着してプロトン(H+)と電子(e)に解離する作用を有する触媒と当該作用で生じたプロトン(H+)と電子(e)との反応によって検知膜の電位が変化する金属酸化物からなり、前記触媒は、前記検知膜を構成する金属酸化物の粒子より径の小さい粒子を前記金属酸化物の粒子上に分散担持する粒子構造を有する。 (もっと読む)


【課題】短時間にて簡易に形成してなる感応層を有するアンモニアガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサの製造にあたり、感応層40は、YSZ粉末及びWO3粉末を互いに別々に併行して作製した後、これらYSZ粉末及びWO3粉末を混合して混合物とし、この混合物からなるペーストを基板10の電極表面側部位に一対の電極20、30を介しスクリーン印刷して形成されている。 (もっと読む)


【構成】 ガス検出装置のEEPROMへの基準信号の書き込みを可能にし、ガス検出装置を調整槽にセットする。そして例えば65ppmのCOを注入し、0秒目、6秒目、69秒目のセンサの抵抗値の対数をEEPROMに書き込む。次いでCO濃度を200ppmに増加し、同様の手順を行う。さらにCO濃度を400ppmまで増加させる。
【効果】 EEPROMに簡単に基準信号を書き込むことができ、可変抵抗を調整する必要が無く、調整作業が簡単になる。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィ技術を用いることなく、また、大型化を招くことなく、検出感度の非常に高い半導体ガスセンサを容易かつ低コストに得られるようにする。
【解決手段】 基板1上に設けた一対の電極2,3間に金属酸化物半導体層4を形成し、この金属酸化物半導体層4中に、導電性微細粒子群9を一対の電極2,3間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極2,3間に少なくとも一つの微小ギャップgが形成されるような拡散状態に混在させてある。
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【課題】 消費電力をできるだけ低減しつつ、測定感度を増大し、かつ、応答速度を速めることができ、また、同一特性のものの量産化を可能とする。
【解決手段】 中央部に平面視矩形状の空洞部1aを有するSi基板1上に設けられたダイヤフラム構造の絶縁膜2上の前記矩形状空洞部1aの全域または略全域に相当する範囲に、その周辺部の密度が最も大きく中央部に至るほど漸次密度が小さくなるパターン形状でヒータ4を形成することにより、前記絶縁膜2上の前記範囲Bをヒータ4により均一な温度に昇温可能とし、この均一温度範囲B内にのみ抵抗測定用電極6およびガス感応膜7を配置してある。
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【目的】ガス濃度に対するセンサ抵抗の変化率(勾配)が大きく、少なくともCO検知濃度範囲(30ppmCO〜500ppm CO/air)で出力の直線性が高いCOセンサを得ることができる薄膜ガスセンサの製造方法を提供する。
【構成】Si基板Bの1面に形成された絶縁支持薄膜L上に、少なくとも、薄膜のヒータHを形成し、この薄膜のヒータをSiO2などの絶縁膜L4で覆い、その上にガス感知膜用の電極Eを形成し、さらにSnO2を主成分とするガス感知膜Sを形成する薄膜ガスセンサの製造方法において、ガス感知膜の形成工程を、スパッタによるSnO2成膜工程と逆スパッタによるエッチング工程とを交互に行うようにする。 (もっと読む)


【課題】水素、COの検知感度が低く、特に空気清浄機や換気装置等におけるファンの運転制御用に好適に用いることができる半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】酸化タングステンを含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体1と、一対の検知用電極2,2とを具備する。前記感ガス体1が前記一対の検知用電極2,2の互いに対向し合う対向面に接触すると共に前記対向面間に挟まれた空間に配置されるコア部3を含む。前記コア部3は平均粒径2μm以上10μm未満の酸化タングステン粉末を含む粉体材料の焼結体にて形成されたものであることを特徴とするものである。このような半導体ガスセンサAでは、水素、CO以外の他種類のガスに対しては良好な感応性を示すと共に、水素、COに対する感応性が低くなる。 (もっと読む)


ガス検知半導体素子。ガス検知半導体素子1’は、CMOS回路のソース領域およびドレイン領域と同時に形成されるドープされた単結晶シリコンから成る抵抗性ヒータ6が埋込まれる二酸化シリコン薄層3’を有するシリコン基板2’上に作製される。素子1’は、絶縁層4’によってヒータ6’から分離されたガス感知層9’を備えた検知領域を含む。作製の最終工程の1つとして、基板2’は、検知領域に薄膜を形成するためにバックエッチングされる。ヒータ6’は、熱拡散プレート16’を包囲する略円形の構造を有し、弓形部分が互いに入れ子になって入り組んだ形態で相互接続されている2つの湾曲した抵抗器20’,21’から成る。CMOS回路のソース領域およびドレイン領域と同時にヒータを作製することは、CMOS工程後のバックエッチングおよびガス感知層の蒸着の他、IC処理工程で既に採用されている作製工程以外の工程を要することなくガス検知半導体素子が製造されるという点で、特に有利である。この円形の形状は、電力損失および加熱面積を一定として膜の大きさを最小にするには最善の解決策であることから、利点である。
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【課題】多種のガスに対して高い感度を有すると共に水素ガスについても安定した高い検知感度を有し、特にガスクロマトグラフにおける検知器に好適に用いることができる半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】酸化タングステンを含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体1と、一対の検知用電極2,2とを具備する。前記感ガス体1が前記一対の検知用電極2,2の互いに対向し合う対向面に接触すると共に前記対向面間に挟まれた空間に配置されるコア部3を含む。前記コア部3は平均粒径10μm以上20μm以下の酸化タングステン粉末を含む粉体材料の焼結体にて形成されたものであることを特徴とするものである。このような半導体ガスセンサAでは、多種のガスに対して良好な感応性を示すと共に、水素ガスに対しても安定した高い感応性を示すものである。 (もっと読む)


【課題】ヒータの温度を適切に制御することにより高い精度でガスを検出することができるガス検出装置の温度制御装置を提供する。
【解決手段】本発明のガス検出装置の温度制御装置は、ガスセンサ部12、温度に応じて抵抗値が変化するヒータ15と、ガスセンサ部12とヒータ15との間に配置された絶縁層と、ガスセンサ部12およびヒータ15の動作を制御するエンジン制御装置30を備えている。エンジン制御装置30は、ヒータ15への加熱のための通電を停止している期間におけるヒータ15の抵抗値に応じてヒータ15の温度を制御する。 (もっと読む)


【課題】 被検査部の状況を確実に認識し、迅速かつ的確なガス検知を行えるガス検知装置を提供する。
【解決手段】 被検知ガスと接触自在に設けられたガス感応部を備えたガス検知素子1と、ガス検知素子1から出力を得る出力検出部3と、出力検出部3で得られた値に基づき被検知ガスの濃度レベルを判別する判別手段9と、ガス検知対象となる被検査部から被検知ガスを採取するガス採取部8とを設けたガス検知装置Xにおいて、ガス採取部8の先端部分81及びその周辺の少なくとも何れか一方に向けて、照明光を照射可能な照明手段4を設ける。 (もっと読む)


【課題】 金属酸化物結晶形成の際の結晶子径制御と焼成時の結晶成長に伴うメソ構造崩壊抑制により、比表面積の大きいメソ多孔質金属酸化物結晶材料を提供し、金属酸化物ガス検出素子、光触媒等の高感度化、高効率化を実現する。
【解決手段】 メソ多孔質テンプレートの空孔に金属酸化物前駆体を充填し、金属酸化物前駆体充填メソ多孔質シリカを加水分解水溶液に添加し、空孔内部において金属酸化物前駆体の加水分解反応を進行させ、細孔内に多数の金属酸化物結晶を生じさせる。次いで、300℃以上で加熱焼成することにより結晶子径を1〜2nmに抑えつつ結晶成長させ、しかる後、テンプレート部分をNaOHまたはHF水溶液により溶出せしめることによりメソ多孔質を有し、結晶子径が1〜2nmの金属酸化物材料を形成する。 (もっと読む)


基板(1)に配置された第1のメタライゼーション平面と、この第1のメタライゼーション平面に被着された、コンタクト孔(7)によって構造化されたパッシベーション層(6)と、このパッシベーション層(6)にかつコンタクト孔(7)内に厚膜技術で形成された感応性のセラミックス層(9)とを備えたセンサにおいて、セラミックス層(9)の固着を改善するために、第2のメタライゼーション平面として形成されていて、パッシベーション層(6)とセラミックス層(9)との間に配置された定着剤層(8)が設けられていることが提案される。
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本発明は、半導体基板(2)上に構成されたダイヤフラム層(3)を備えたガスセンサであって、該ダイヤフラム層(3)上で評価領域(8)内に金属製の評価構造体(7)が配置され、かつ評価領域(8)の外に金属製の加熱構造体(9)が配置されており、評価構造体(7)及び加熱構造体(9)上に配置されたガス感応層(10)を備えており、該ガス感応層(10)が加熱構造体(9)によって加熱可能であって、ガス感応層(10)の電気抵抗が評価構造体(7)によって評価可能であって、加熱構造体(9)が、ダイヤフラム層(3)の上側で接着を行う酸化層(6)上に配置されていて、カバー酸化層(11)によってガス感応層(10)から分離されている形式のものに関する。確実な機能形式を得るために、このガスセンサにおいては、評価領域(8)内で、酸化エッチングの影響を受けない接着剤層(13)がダイヤフラム層(3)と評価構造体(7)との間に配置されているか、又は評価構造体(7)が評価領域(8)内で加熱構造体(9)に応じて、カバー酸化層(11)によってガス感応層(10)から分離されており、カバー酸化層(11)が接触孔(12)を有していて、該接触孔(12)が、評価構造体(7)とガス感応層(10)との間の直接的な接触を形成するために、それぞれ評価構造体(7)の表面の中央領域を露出している。
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【課題】導電率のバラツキの低減し、安定した水素ガスの漏洩検知が可能である水素ガス検知センサを提供する。
【解決手段】水素ガス検知センサにおいて、基板1上に積層される検知膜3は、水素ガスを吸着してプロトン(H+)と電子(e)に解離する作用を有する触媒粒子19と、当該触媒作用で生じたプロトン(H+)と電子(e)とに反応することによって導電率が増加する金属酸化物粒子18とから構成され、金属酸化物粒子18は、当該金属酸化物粒子18より径の小さい触媒粒子19を分散担持する構造を有し、基板1上に検知膜3が積層される基板表面積と、該基板表面積中の検知膜3が積層されずに露出される部分の基板の面積との面積比が4パーセント以下である。 (もっと読む)


【課題】電気接点数を低減することが可能な、ガスを検出するためのガス・センサ・アレーの作動回路装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの信号ラインを有する、センサ・アレー、特にガスを検出するためのガス・センサ・アレーの作動回路装置において、少なくとも1つの信号ラインが少なくとも2つの並列ライン・ブランチに分岐され、少なくとも2つの並列ライン・ブランチ内にそれぞれ、少なくとも1つのセンサと、それぞれのセンサに直列に結合されている少なくとも1つのダイオードとが配置される。この場合、少なくとも2つのダイオードは電気的に逆の遮断方向を有し、少なくとも1つの信号ラインに印加された電位の極性により、少なくとも1つの信号ライン内を流れる電流の少なくとも大部分が、第1の並列ライン・ブランチ内を流れたか、または第2の並列ライン・ブランチ内を流れたかが決定される。 (もっと読む)


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