【課題】従来技術を発展させた半導体ガスセンサを提供すること。
【解決手段】第１の端子部分が、半導体本体（２０）の表面に設けられたパッシベーション層（３０）を貫通する第１の成形部分（１１２）を有し、該第１の成形部分（１１２）は、参照電位に接続された導電性層（１１５）を備えた底面を有し、該第１の端子部分と制御電極（１００）とは第１の接合材（１３０）を用いて電気的接続かつ摩擦接続的に結合されている。第２の端子部分と前記制御電極（１００）とは第２の接合材（１４０）を用いて少なくとも摩擦接続的に結合されており、前記第１の接合材（１３０）は前記成形部分を少なくとも部分的に充填し、前記制御電極（１００）と前記導電性層（１１５）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の誘電体エレクトロウェッティング装置及び装置を操作する方法を提供する。
【解決手段】第１〜第Ｎ番目のアレイ素子（Ｎは、２以上の整数である）の順に空間的に配置されたＮ個のアレイ素子を備えており、上記Ｎ個のアレイ素子は、上記アレイ素子の動作を制御する、対応する書き込み入力信号の受信のための書き込み入力と、上記アレイ素子の特性を検知しているとともに、検知された上記特性に基づきセンサ出力を与える検知回路とを備えており、さらに、上記順の中の第ｎ番目のアレイ素子からのセンサ出力を第（ｎ＋１）番目のアレイ素子の書き込み入力へ直接接続している論理回路を備えているとともに、上記第ｎのアレイ素子からの上記センサ出力に基づいて、上記書き込み入力信号を上記第（ｎ＋１）番目のアレイ素子の書き込み入力へ与えるように設定された操作回路をさらに備えているアクティブマトリクス装置。 （もっと読む）

【課題】超薄膜プラチナ粒界ナノ空間に金属化合物が形成された薄膜をガスセンサの感応膜に適用し、プラチナとナノ化合物の構成金属や膜厚や占有比率や形成条件を変える事で、水素およびそれ以外の様々なガスのセンシングに対応でき、長期信頼性の高い超薄膜ガスセンサを実現するデバイスを提供する。
【解決手段】基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備し、ゲート電極は、酸素を含有する酸素ドープアモルファス金属と前記金属の酸化物結晶とが混合した金属酸化物混合膜と、前記金属酸化物混合膜上に設けられたプラチナ膜とを有し、プラチナ膜は、複数のプラチナ結晶粒と該プラチナ結晶粒間に存在する粒界領域から構成され、粒界領域は、金属酸化物混合物により埋められ、プラチナ結晶粒の周囲が金属酸化物混合物により囲まれた構造を有するガスセンサ。 （もっと読む）

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部として絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に塩基数３〜３５の短鎖プローブＤＮＡを、反応性官能基を介して結合させ、プローブＤＮＡに対し、ターゲットＤＮＡをハイブリダイゼーション反応させ、ハイブリダイゼーション反応により形成された二本鎖ＤＮＡを金属カチオンで修飾した後、金属カチオンで修飾された二本鎖ＤＮＡを緩衝液に接触させて、ハイブリダイゼーション反応によるプローブＤＮＡの負電荷の変化により生じる絶縁層の表面電位変化を検出する。
【効果】本発明のＤＮＡセンシング方法は、オンチップでの高感度のＤＮＡセンシングとして非常に効果的であり、完全相補配列を有するＤＮＡ及び一塩基多型等のミスマッチ配列のＤＮＡの解析を、高感度かつ高精度で実施することができる。 （もっと読む）

【課題】 毛髪や肌のダメージの程度を２次元画像として可視化できるイオンイメージセンサ及びダメージ計測装置を提供する。
【解決手段】 本発明によるイオンイメージセンサは、イオン濃度を検出するイオンイメージセンサであって、毛髪もしくは頭皮を含む肌に液体を介して接触するセンシング部を２次元状に配列して備え、該センシング部で検出したイオン濃度を２次元画像データとして出力する。イオン濃度としては、水素イオン濃度やカルシウムイオン濃度等が挙げられる。 （もっと読む）

本発明は、電気化学（EC）信号および電気（E）信号を使用して検体を検出することができる統合された検知装置を開示する。本装置は、相乗的な新しい性能をもたらすとともに、液相および気相での高濃度の干渉の存在を含む複合マトリクス中の検体の実時間検出における感受性および選択性を高める。

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【課題】正確に被検体を同定することができる半導体センサ及びそれを用いた同定方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板２にダブルゲート型薄膜トランジスタ３が設けられている。ダブルゲート型薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極４が絶縁基板２に形成され、ボトムゲート電極４上に下部絶縁膜５が成膜され、下部絶縁膜５上に半導体層６が形成され、半導体層６の両側に不純物半導体層７，８が形成され、不純物半導体層７，８上にソース電極１１，ドレイン電極１２が形成され、半導体層６上面中央部に上部絶縁層９が形成され、上部絶縁膜９の上面中央部にトップゲート電極１０が形成され、絶縁基板２上に形成された第１プローブ電極４１がボトムゲート電極４に接続されている。第２プローブ電極４２が第１プローブ電極４１に対向し、第１プローブ電極４１と第２プローブ電極４２の間に被検体９９が充填される。 （もっと読む）

仕事関数の変化により電界効果構造が制御されるガス感応層と参照層とから成るＦＥＴを基礎とするガスセンサであって、その際、これら２つの層の材料が、ターゲットガスに対する仕事関数の変化は起こらず、検出すべきでないガスに対する仕事関数の変化が総和で消えるように相互に調整されている。
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