【課題】光電子増倍管を用いて光子計数法で微弱光の強度を正確に測定する光測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】ホトマル１から測定光の入射光量に応じて出力されるパルス電流が回路３で電流／電圧変換及び増幅されて出力信号とされ、それがパルス２値化回路４でしきい値電圧との比較によりデジタル信号に２値化される。そのデジタル信号に含まれる出力パルスの数がカウンタ６でカウントされ、単位時間当たりの出力パルス数が測定結果として表示部７で表示される。高圧電源回路２からホトマル１へ印加される印加電圧をボリュームＶＲ１で調整すると共に、しきい値調整回路５のボリュームＶＲ２で上記しきい値電圧を調整することでホトマル１への入射光量と出力パルス数を線形な関係にして微弱光を測定する。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンスフリーで光軸調整の自動化を行うために、光軸の位置と角度の評価を１つのセンサで行うことのできる、光軸検出センサを提供することにある。
【解決手段】 本発明の光軸検出センサ１は、位置検出素子の位置検出フォトディテクタ２と、実質的な光透過孔を設けたＮＤフィルタ（減光透過フィルタ）３を組み合わせたことにより、１つのセンサによって位置と角度（平行性）を同時に検出するものである。実質的な光透過孔を設けたＮＤフィルタ３を配置することにより、光ビームの受光位置検出に加え、フィルタ３の実質的な光透過孔を通過した光ビームの光強度を検出することで角度（平行性）を評価する。 （もっと読む）

【課題】吸収膜で変換された熱の伝導方向に温接点自体が存在しないためサーモパイル出力が低であった。
また、熱電対及び温接点が存在しない部分の吸収膜に入射した赤外線の利用効率が低く、サーモパイル出力が低であった。さらにダイヤフラム寸法大のため歩留まり低であり、また、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差が大であった。さらには、隣接する検出域も出力が発生するクロストーク劣化が生じていた。
【解決手段】吸収膜下に位置する温接点を分散配置する。さらには、分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設ける。さらには、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクをプラズマエッチングで形成し、吸収膜下の温接点を分散配置乃至は分散配置した温接点と電気的接続が無いパターンを熱電対材料の何れか一方で形成する。 （もっと読む）

【課題】 単一枚の半導体基板の表裏両面の有効活用により、製作コストの著しい低減化並びに薄型化、小型化を達成しつつ、検出性能の向上を実現することができるようにする。
【解決手段】 シリコン基板２の表裏面のうち一方の面に異種金属の接合によるサーモパイル７などを用いた赤外線センサ部３がダイヤフラム１１上に支持させて形成されているとともに、他方の面に光学干渉多層からなる受光波長選択用光学フィルタ４が形成されている。
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