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Fターム[2H025BF02]の内容

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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物及びその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、酸発生剤成分(B)が、一般式(b1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含むレジスト組成物。
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【課題】酸の拡散の選択性に優れた酸転写樹脂膜を得ることができる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤、及び式(1)に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第1樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第2樹脂膜を形成する第2樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
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【課題】レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度、特に半導体レーザーを照射源とした最大発光波長が400nm〜410nmの範囲内にある活性エネルギー線に対して高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】(A)一般式(I)


で表される構造単位を有するビニル系重合体、(B)特定の構造で表される光酸発生剤、及び(C)特定の構造で表される増感色素を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】パターン硬化可能なレジスト材料、レジスト膜を硬化させる工程を含むパターン形成方法を提供することにより、ダブルパターニングプロセス等により高度な微細加工を可能にする。
【解決手段】一般式(1)で表されるナフタレン環を有する単量体、及びその単量体に由来する繰り返し単位を含有する高分子化合物。


(R1はH、F、メチル基又はトリフルオロメチル基。R2はC1〜10の二価の有機基。R3、R4はH、又はC1〜10の一価の有機基。R2とR3又はR2とR4は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。R3とR4は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。Xは水酸基、ハロゲン原子、又はC1〜10の一価の有機基。nは0〜7。) (もっと読む)


【課題】トリシクロデカン骨格を有し、光学特性などに優れた樹脂及びそれを用いる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示される構成単位を含む樹脂。


(式(1)中、Yは、独立して炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、エステル基又は水酸基を示す。mは0〜15の整数を示す。Xは式(2)で表される基を示す。) (もっと読む)


【課題】LERとエッチング耐性とのバランスがとれ、極微細で均一なパターン形成を可能とするリソグラフィー用重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィー用重合体の製造方法は、側鎖にOH基を有する繰り返し構造単位を少なくとも一つ有する高分子化合物(B)と、特定構造の多官能ビニルエーテル化合物(C)とを触媒の存在下で反応させてリソグラフィー用重合体を製造する方法であって、前記高分子化合物(B)に対して、OH基反応性官能基を1つ有する化合物(D)による前処理を施した後、高分子化合物(B)と化合物(C)とを反応させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本感放射線性組成物は、酸解離性基含有重合体(A)と、酸発生剤(B)とを含有するものであって、前記重合体(A)として、下式で表される繰り返し単位を含む重合体を含有する。


〔Xは置換若しくは非置換のメチレン基、炭素数2〜25の置換若しくは非置換の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数3〜25の脂環式炭化水素基。〕 (もっと読む)


【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の酸発生剤および当該酸発生剤として有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式(b1)で表される化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式(b1)中、Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基、Xは炭素数3〜30の脂肪族環式基;R11’〜R13’はそれぞれアリール基又はアルキル基であり、これらのうち少なくとも1つは一般式(b1−0)[R52は鎖状又は環状の炭化水素基、f及びgはそれぞれ0又は1を表す。]で表される置換基を有するアリール基であり、R11’〜R13’のうちの2つのアルキル基が相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。]
[化1]
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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、一般式(b1−1)で表される化合物を含む酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物。
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【課題】 レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂(c)を2以上含有する樹脂、及び(D)溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1−11)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。式(b1−11)中、R”〜R”のうち少なくとも1つは、置換基として下記一般式(I)で表される基を有する置換アリール基であり、式(I)中のWは2価の連結基である。
[化1]
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【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(1)第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はUVキュア後、現像して、第一のレジストパターンを、第一ライン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する不溶化レジストパターンとする工程と、(2)ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一スペース部に形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、(3)現像して、第一スペース部に第二ライン部を形成し、第一ライン部、第二ライン部、及び第一ライン部と第二ライン部との間に形成された、その幅(W)が、第一スペース部の幅(W)の0%を超えて30%以下である一以上の第二スペース部を有する第二のレジストパターンを形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト組成物用高分子化合物のモノマーとして有用な含窒素アクリル酸エステル誘導体の製造方法、および該含窒素アクリル酸エステル誘導体の合成中間体であるアクリル酸エステル誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】アシロキシ基を有する脂環式炭化水素に結合したスルホン酸ハライドとアクリル酸誘導体とのエステル交換により、アクリロキシ基を有するスルホン酸ハライドを合成し、これとアミン誘導体を反応させることによる、下記一般式(V)


で示される含窒素アクリル酸エステル誘導体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】通常露光(ドライ露光)のみならず液浸露光においても、パターン倒れに優れるとともに、上記トレードオフの関係を解消し、露光ラチチュードが広く、かつラインエッジラフネスが軽減されたポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により、エステル構造及びフッ素原子を有するスルホン酸を発生する特定の化合物、及び、ガラス転移温度が150℃以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖にアセタール型酸解離性溶解抑制基を有する特定構造の構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有する。 (もっと読む)


【課題】レジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜の露光後加熱を80℃以下で行う工程、
および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、該基材成分(A)を構成する全構成単位に対する酸解離性溶解抑制基を有する構成単位の割合が55〜80モル%であることを特徴とする、レジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】分子量分布が狭い重合体の製造方法を提供することを目的とし、レジスト組成物に用いた場合に重合体の現像液への溶解性並びにレジスト組成物の解像度および焦点深度に優れた性能を発揮できるようにする。
【解決手段】反応開始前の反応容器中の、ヒドロキシ基含有エステルのみからなる重合溶媒(A)に、ヒドロキシ基含有エステルの含有量が40質量%以下の重合溶媒(B)、単量体、および重合触媒を供給し、溶液ラジカル重合を行うレジスト用重合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ラインウィズスラフネスが小さいパターンを得られるとともに、露光ラチチュードが広いパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する繰り返し単位を少なくとも2種含有し、該2種の繰り返し単位は酸分解性基の反応活性化エネルギーが互いに異なり、該反応活性化エネルギーの差が40.0kJ/mol以下である樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性が向上し、良好な形状のレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の光塩基発生剤および当該光塩基発生剤として有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、露光により酸を発生する酸発生剤成分、および特定構造の露光により塩基を発生する光塩基発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジストパターンの倒れ、露光量変化に対する性能安定性(露光ラチチュード)が改良され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【手段】活性光線又は放射線の照射により、フッ素原子及びエステル結合を有する特定のスルホン酸を発生する化合物、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いた液浸露光によるパターン形成方法。 (もっと読む)


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