【課題】ろ過性、線幅均一性に優れたレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）環状アルキル構造を有する特定の繰り返し構造単位を含有する酸分解性樹脂、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）下記（ａ）群から選択される少なくとも1種の溶剤と、下記（ｂ）群〜（ｄ）群から選択される少なくとも1種の溶剤とを含む混合溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法。（ａ）群：アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（ｂ）群：アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、（ｃ）群：直鎖状ケトン、分岐鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、アルキレンカーボネート、（ｄ）群：乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル。 （もっと読む）

【課題】マイクロブリッジ欠陥やＢＬＯＢ欠陥と呼ばれる各種現像欠陥が低減されたパターンを得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により保護基が脱離してアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）フッ素原子または珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂、を含有してなり、樹脂(A)が、極性基を含む保護基を有する繰り返し単位を有し、かつ、疎水性樹脂（Ｃ）が、下記(x)〜(z)の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物：(x)アルカリ可溶性基；(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基；(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。レジスト膜１０２を構成するレジスト材料には、イオン性の光酸発生剤と、酸脱離基と親水性基とを含む第１のポリマーと、第１のポリマーと比べて光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第２のポリマーとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、パターン形状に優れた微細パターンを提供することができる、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を含む繰り返し単位及び下記一般式（Ｉ）で表される構造を含む繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（式（１）及び（Ｉ）中の符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】


【化２】
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【課題】感度、経時安定性、解像性、ラフネス特性、パターン形状及びアウトガス特性に優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アリール環上に電子供与性基を合計３つ以上有するジアリールヨードニウム塩を含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される高分子化合物の原料として有用な新規重合性化合物、それに対応するユニットを有する高分子化合物であり、溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の新規重合性化合物を提供する。
【解決手段】溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の特定のラクトン構造を有する新規重合性化合物。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】吐出エネルギー発生素子とインク流路および吐出口との位置関係を高精度かつ再現性良く制御でき、印字特性の良好なインクジェットヘッドを安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】液体を吐出する吐出口２と連通する流路１７を形成するための流路形成部材を基板１上に有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板１上に感光性樹脂からなる層を設け、その層上の流路１７に対応した部位にマスク層を設け、感光性樹脂からなる層に対して露光を行い流路１７の形状を有するパターンとし、このパターンを被覆するように流路形成部材となる層を設け、流路形成部材となる層の一部に吐出口２を形成し、そのパターンを除去して流路１７を形成することを含む液体吐出ヘッドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線等によるレジスト膜のリソグラフィーにおいて、解像性を損なわずに感度を向上させることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供できる。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、およびベンゾジオキソールまたはその誘導体（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】メッキ造形物の製造に好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）および／または（２）で表される構造単位（ａ）と、酸解離性官能基（ｂ）とを含有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）有機溶媒を含有し、かつ重合体（Ａ）１００重量部に対して、特定構造の感放射線性酸発生剤が１〜２０重量部含有することを特徴とするメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
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【課題】自由度を損なうことなく高解像度を実現する微細構造の作製方法を提供すること。
【解決手段】まず、図１（ｂ）のように、ネガ型レジスト１０２を基板１０１に塗布する。次に、図１（ｃ）のように、ネガ型レジスト１０２に、電子ビーム（エネルギービームに対応）１０３を第１のパターンで照射する（第１の露光ステップ）。ついで、図１（ｄ）のように、ネガ型レジスト１０２を現像して、ブロック状（第１の構造に対応）のレジスト１０２Ａを形成する（第１の現像ステップ）。そして、図１（ｅ）のように、ブロック状のレジスト１０２Ａに、電子ビーム１０３を第１のパターンとは異なる第２のパターンで照射する（第２の露光ステップ）。最後に、図１（ｆ）のように、ブロック状のレジスト１０２Ａを現像して、３本の直交ナノワイヤ状（第２の構造に対応）のレジスト１０２Ｂを形成する（第２の現像ステップ）。 （もっと読む）

【課題】特定の芳香族性を有する炭化水素基を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体及びこれを用いたエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、且つ優れた光学特性を持つフラーレン誘導体膜を提供する。
【解決手段】フラーレン骨格の下記式(Ｉ)で表される部分構造において、Ｃ^１が、水素原子又は任意の置換基と結合しており、Ｃ^６〜Ｃ^８が、各々独立に、−Ａｒ−（ＯＨ）_ｎ（式中Ａｒは炭素数８〜１８の芳香族性を有する炭化水素基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）で表される構造の有機基と結合していることを特徴とするフラーレン誘導体。（式(Ｉ)中、Ｃ^１〜Ｃ^１０は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表す。）
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【課題】液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素共重合体を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と側鎖に置換基を有してよいベンゼン環を有する構成単位（ｃ１）及び側鎖に置換基を有してよいナフタレン環を有する構成単位（ｃ２）を有する含フッ素共重合体（Ｃ）とを含有する液浸露光用レジスト組成物 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を従来よりも向上させたレジスト組成物を提供する。
【解決手段】レジスト組成物に、レジストと、ハロゲンを含まない芳香族系溶媒と、芳香族系溶媒に１０重量％以上溶解するフラーレン誘導体とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ性能、フォーカス余裕度が改良され、かつ良好な露光ラチチュードを有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の３級エステル構造を有する酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により特定構造のプロトンアクセプター性官能基を有する化合物を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（ａ０−１）［Ｒ^１は酸解離性溶解抑制基である。］で表される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導され、かつ、前記構成単位（ａ０）に該当しない構成単位（ａ１）とを有する高分子化合物。
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【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤を含有するレジスト材料。
Ｒ−ＯＣＯＣＦ(ＣＦ₃)ＳＯ₃^- Ｈ⁺ (1)
（Ｒはアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基。Ｒの置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル、ラクトン、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子から選ばれる一又は二以上を含んでいてもよい。）
【効果】本発明のレジスト材料は、その光酸発生剤がアルカンスルホン酸のα位にトリフルオロメチル基を有しているため、酸拡散制御を行うことができ、デバイス作製工程での塗布、露光前後焼成、露光、現像工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。ＡｒＦ液浸露光の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑える。 （もっと読む）

【課題】高い解像度を示し良好なラインエッジラフネスを与える化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）


（Ｒ²¹：炭素数１〜２０の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数３〜３０の置換されていてもよい環式炭化水素基（含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい））（Ｑ¹、Ｑ²：フッ素原子または炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基、Ａ⁺：有機対カチオン）で示されるオニウム塩と、式（II）


（Ａ⁺：式（Ｉ）のＡ⁺と同じ意味、Ｅ^-：有機対アニオン）で示されるスルホニウム塩とを含有する酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶または難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高度に制御された構造を有するハイパーブランチポリマーを、安定した収量を確保しつつ、簡易に大量合成すること。
【解決手段】金属触媒の存在下におけるモノマーのリビングラジカル重合を経てハイパーブランチコアポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合によって合成された重合物が存在する反応系から金属触媒を除去し、金属触媒が除去された反応系から微量金属成分を除去してから、微量金属成分が除去された反応系における重合物と前記モノマーとを分離するようにした。 （もっと読む）

【課題】水又は水に対する液浸媒体に対して高い撥水性及び耐水性を有し、剥離剤によって容易に剥離し、かつフォトレジスト層とのミキシングを起こさない保護膜を形成するための液浸リソグラフィー用レジスト保護膜形成用材料を提供する。
【解決手段】水又は水を主成分とする液浸媒体からフォトレジスト層を保護する非水溶性でかつ有機溶剤可溶性の保護膜を形成するための保護膜形成用材料であって、少なくとも下記一般式（１）


（式中、Ｘは少なくとも炭素数３〜１５の脂環骨格を有する基を示す）
で表される構成単位を有する樹脂を含むことを特徴とする液浸リソグラフィー用レジスト保護膜形成用材料。 （もっと読む）