【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記基材成分（Ａ）が式（ａ０−１１）で表される構成単位（ａ０１１）と式（ａ０−１２）で表される構成単位（ａ０１２）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】レジスト組成物用のクエンチャー成分として有用な新規な化合物、クエンチャー成分として該化合物を含有するレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、およびクエンチャー成分（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記クエンチャー成分（Ｄ）が、カチオン部に芳香族基を有さないオニウム塩（Ｄ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマーク欠陥やＢｌｏｂ欠陥等を抑制することができる上層膜用組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（１）及び（２）で表される単位のいずれか、並びにそれ以外の特定の単位を有する重合体（Ａ）を含む重合体と溶剤とを含有する上層膜用組成物。
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【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記基材成分（Ａ）が式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０１）と式（ａ０−３）で表される構成単位（ａ０３）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】耐熱性に優れた重合体、さらにはアルカリ現像できる感光性組成物を得ることができる化合物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物を提供する（式（Ｉ）中、Ｒ¹〜Ｒ³は水素原子、フッ素原子又は脂肪族炭化水素基を示す。Ｒ⁴〜Ｒ⁶は単結合又はアルキレン基を示す。Ｒ⁷は単結合又は脂肪族炭化水素基を示す。Ｒ⁸は脂肪族炭化水素基を示す。Ｒ⁹は水素原子又は脂肪族炭化水素基を示す。但しＲ¹〜Ｒ⁹のいずれか一つは、フッ素原子又はフッ素原子で置換されている基である。）。
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【課題】機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用であり、なかでも波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体の提供。
【解決手段】一般式（１）で示されるカルボキシル基を有するラクトン化合物。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ²、Ｒ³はＣ１〜１０の１価炭化水素基又はＨ。あるいは、Ｒ²、Ｒ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｗは−ＣＨ₂、−Ｓ−又は−Ｏ−。ｋ¹は０〜４の整数。ｋ²は０又は１。） （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、γ−ブチロラクトンと、一般式（ｄ１）［式中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭化水素基であって、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つが極性基含有炭化水素基であり、かつ、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つが疎水基である。ただし、Ｒ^１〜Ｒ^３のいずれか２つが相互に結合して式中の窒素原子と共に環を形成してもよい。］で表され、かつ、分子量が２００以上である含窒素有機化合物（Ｄ１）とを含有するレジスト組成物。
［化１］
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【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｂ）
（式中、Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０のヘテロ原子を含んでもよい一価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、スルホネートに、嵩高いステロイド構造を有しているため、適度な酸拡散制御を行うことができる。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。 （もっと読む）

【課題】広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、および（Ｂ）活性光線または放射線の照射によりフッ素を含有する酸を発生する化合物を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物。（式（II）〜(III)中の符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】露光量が変動した際のレジストパターン寸法の変化が小さいポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、（Ａ）成分は、一般式（ａ０）
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【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）が、一般式（ａ０−１）で表される構成単位および一般式（ａ０−２）で表される構成単位を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。
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【解決手段】（１）〜（３）の単位を含有する高分子。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、ＣＨ₃又はＣＦ₃、ＲｆはＨ、Ｆ、ＣＦ₃又はＣ₂Ｆ₅、Ａは二価の有機基。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は酸素を含有してもよい有機基、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が相互に結合して式中の硫黄原子と環を形成しうる。Ｎは０〜２の整数を示す。Ｒ⁸はＨ又はアルキル基、Ｂは単結合または二価の有機基。ａは０〜３、ｂは１〜３、Ｘは酸不安定基。）
【効果】感放射線レジスト材料のベース樹脂として有用。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥が低減されたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造の酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用によりネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、及び（Ｃ）溶剤を含有するネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供すること。
【解決手段】解離性基が解離することで、カルボキシル基を生じる特定のアクリル酸系構成単位とカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物、及び、波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス、及びパターン倒れが改善されたポジ型感光性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）オオニシパラメータが５．０以下のラクトン構造を有する繰り返し単位と、酸の作用によりカルボン酸を生成する一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。（式中の符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】放射線、特にＥＵＶ等の（極）遠紫外線に優れた感度で感応するとともに、ナノエッジラフネスに優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することのできる感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】酸解離性基が解離することでアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性又は難溶性の重合体（Ａ）を含有する感放射線性樹脂組成物であり、重合体（Ａ）の、波長１３．５ｎｍにおける吸収係数が１．７μｍ^−１以上であり、重合体（Ａ）が、フッ素原子を含有しないフェノール構造の繰り返し単位を含むものである。 （もっと読む）

【課題】感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供することである。
【解決手段】解離性基が解離することで、カルボキシル基を生じる特定のアクリル酸系構成単位を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、エポキシ基含有ラジカル重合性単量体から誘導される構成単位を含有する樹脂、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物（但し、エポキシ基含有ラジカル重合性化合物からなる構成単位を含有する前記樹脂を除く。）、波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（ＲＯは水酸基、又は炭素数１〜２０のオルガノオキシ基を示す。Ｒ¹は炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を示し、ＲＯと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜形成用組成物は、（Ａ）アリール基を有する重合体、（Ｂ）アセチレン基を有する界面活性剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する。更に、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）架橋剤等を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用レジスト組成物用の添加剤として有用な含フッ素化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｃ０）で表される含フッ素化合物。
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