【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、側鎖に、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基含有エステル基を有する構成単位（ａ０−１）を有し、質量平均分子量（Ｍｗ）が１００００以下の高分子化合物（Ａ１−１）と、高分子化合物（Ａ１−１）が有する構成単位と同一の構成単位（ａ０−１）を有し、Ｍｗが、高分子化合物（Ａ１−１）のＭｗの１．５倍以上である高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を側鎖に有するアクリル酸エステル系の特定の構成単位（ａ０−１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記有機溶剤（Ｓ）が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、および２−ヘプタノンを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、レジスト膜を形成する工程、高エネルギー線のパターンを露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させ、現像してポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋形成し、ポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、スペースパターン形成工程、スペースパターンを縮小させる工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターンにダメージを与えることなく、間隙に反転用膜形成用組成物を埋め込み、簡易かつ高精度にポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、溶剤除去するレジスト膜形成工程、格子状のシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシナフチル基及び／又はヒドロキシアセナフチレンを有する繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料で基板上に第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に上記レジスト膜を露光、現像し、その後高エネルギー線照射により第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第２のレジスト膜を露光、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジ型レジスト材料を用い第１パターンを形成後、波長２００nmを超え３２０nm以下の高エネルギー線による架橋反応によりアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に第２のレジスト材料で第２パターンを形成することでパターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行える。 （もっと読む）

【課題】 超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、抜け性の向上による高解像性とアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、及びその方法に用い得るポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを与え、かつアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、およびこれに好適な感活性光線または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上に、トップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記感活性光線または感放射線性樹脂組成物として、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を、該組成物中の全固形分に対し少なくとも１０質量％含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いることを特徴とするリソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】レジスト重合体を提供する。
【解決手段】式ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２Ｃ（Ｘ^Ａ）（Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａ）（ＣＨ_２）_ｎａＣＲ^Ａ＝ＣＨＲ^Ａで表される化合物の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を含むレジスト重合体（ただし、Ｘ^Ａは水素原子、シアノ基または式−Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａで表される基を示し、Ｚ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基を示し、ｎａは０、１または２を示し、Ｒ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲ^Ａは同一であってもよく異なっていてもよい。）。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザーを高原とするフォトリソグラフィー工程に用いられ、９０ｎｍ以下の線幅を可能とする短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、パターン倒れ耐性にも優れた樹脂の提供。
【解決手段】ノルボルナンカルボン酸に由来する特定のラクトン骨格を側鎖に有する（メタ）クリル酸エステル（ａ−１）および特定のアダマンタン骨格を側鎖に有する（メタ）クリル酸エステル構造単位（ａ−２）とからなる樹脂（Ａ）と、感放射線性酸発生剤とからなる樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焦点深度を広げることが可能な上層反射防止膜、該上層反射防止膜を形成するための上層反射防止膜形成用組成物および該上層反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体、
（Ｂ）ヒドロキシル基を有する３級アミン化合物及び
（Ｃ）水
とを含有することを特徴とする上層反射防止膜形成用組成物。
【化１】


〔一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２は、直接結合、−ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−Ａ−、又は−ＣＯＮＨ−Ａ−を示し、Ａは炭素数１〜８の２価の炭化水素基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、低欠陥性、即ち欠陥性にも優れる感放射線性樹脂及びその樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ノルボルナン環とラクトン環が縮合した複素環を有するアルコールの（メタ）アクリル酸エステル及びシクロペンタン環を有するアルコールの（メタ）アクリル酸エステルの共重合体樹脂（Ａ）及びその樹脂と感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）