【課題】 マッハツェンダ型光変調器の２本の変調導波路の間に配置された接地電極が変調導波路と交差する部分の作製のために、製造工程が複雑になる。
【解決手段】 半導体基板の上に、相互に間隔を隔てて第１及び第２の変調導波路(28,29)が配置される。さらに、第１及び変調導波路に接続される分波器(25)及び合波器(30)が配置される。第１の変調導波路の上に第１の信号電極(35)が配置され、第２の変調導波路の上に第２の信号電極(36)が配置される。第１の信号電極の両側の基板表面のうち、第２の信号電極側に第１の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第１の外側接地電極(37)が配置される。第２の信号電極の両側の基板表面のうち、第１の信号電極側に第２の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第２の外側接地電極(38)が配置される。第１の及び第２の内側接地電極は、第１の変調導波路及び前記第２の変調導波路のいずれとも重ならない。 （もっと読む）

【課題】光変調器の種類やバイアス制御方法に依存することなく、光位相調整部へのディザ重畳を行わずに、光位相制御を自動的かつ安定的に制御するバイアス制御機能を備えた光送信器を提供すること。
【解決手段】光源１５から出力されたキャリア光が分波してそれぞれ入力される光変調部２ａ，２ｂと、光変調部２ｂに接続され、印加される直流バイアスに応じて入力された光信号の光位相をシフトして出力する光位相調整部３と、合波／干渉部としての３ｄＢカプラ４と、３ｄＢカプラ４の出力から所定の割合でその一部を取得するタップカプラ５ａ，５ｂと、タップカプラ５ａ，５ｂにより取り出された光信号をそれぞれ受光する受光器７ａ，７ｂと、受光器７ａ，７ｂで検出された受光量の差分をゼロとするように、光位相調整部３に印加する直流バイアスを制御する制御部と、を備えた光送信器を提供する。 （もっと読む）

【課題】低容量化と高い変換効率とを両立し得る半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。メサ構造の光導波路は、複数のシングルモード光導波路１１Ｓと、これらシングルモード光導波路１１Ｓを介して光学的に直列で結合された１個以上のマルチモード干渉光導波路１１Ｍとを含む。光導波路全体の光伝搬方向の断面積は、光導波路の全長とシングルモード光導波路１１Ｓの幅との積の１．４倍以上３倍以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】光フィルタや復調器の形態にかかわらず本質的に位相誤差が発生することのない位相制御を実現する光位相モニタ装置等を実現する。
【解決手段】光周波数領域で占有帯域A（Hz）を有する光変調光源からの光信号の位相をモニタする光位相モニタ装置であって、光変調光源からの光信号を入射する自由スペクトル領域FSR（Free Spectral Range）がB（Hz）であるマッハツェンダ干渉計を有し、B（Hz）がB>Aの関係または、B=ｍA（ｍは２以上の整数）の関係であり、マッハツェンダ干渉計の２つの光出力ポートの光強度比により光変調光源からの光信号の位相をモニタする。光位相モニタ装置は位相調整機構を備えた光フィルタまたは光復調器の出力側の分岐に接続され、モニタ結果が目標の一定値となるように位相調整機構を制御する。出力信号光の劣化が極めて少ない多値光偏光装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】動作波長帯域が広く、作用長が短く、コンパクトな光変調器を実現する。
【解決手段】光変調器１を、マッハツェンダ干渉計４の第１光導波路２又は第２光導波路３を伝搬する光が結合する位置に、リング共振器５を構成するリング光導波路６が設けられており、伝搬する光の位相が変化するようにリング光導波路６の屈折率を変化させるための電極７が、リング光導波路６に沿って設けられているものとする。 （もっと読む）

光学装置（１）が提供される。光学装置（１）は、スイッチング層（２）と、少なくとも１つの配向層（６）と、光ガイドシステム（５）と、を備え、スイッチング層（２）は、その配向が可変な、光の吸収および光の放射のための発光材料（３）を含んでおり、光ガイドシステム（５）は放射光をガイドするものであり、スイッチング層（２）は少なくとも１つの配向層（６）と接触しており、発光材料（３）は異方性を有しており、光学装置（１）は、光ガイドシステム（５）と物理的に接触している光エネルギ変換手段（７）を備えている。
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【課題】光導波路デバイスにおいて、複雑で精密な製造工程なしに信号光Poutと同相でモニタリングを行う構成を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の面内に形成された、入力用光導波路と出力用導波路を有する光導波路と、前記基板上に、前記光導波路に対応して形成されている電極と、前記出力用導波路上に該出力用導波路の光軸に対して法線が所定角度を持って形成された反射溝と、前記反射溝により反射される出力光をモニタするモニタ素子を有する。 （もっと読む）

【課題】光信号の変調精度を向上させること。
【解決手段】ＬＮ変調器１２０は、アーム間の光信号の位相差を制御信号に応じて変化させる位相調整部を備えている。分岐部１２５、受光部１４１Ａおよび受光部１４１Ｂは、変調部により生成された正相信号と逆相信号を取得する。減算回路１５０は、分岐部１２５、受光部１４１Ａおよび受光部１４１Ｂにより取得された正相信号と逆相信号を減算する。パワーメータ１６１は、減算回路１５０により減算された差分信号のパワーを検知する。制御部１６３は、パワーメータ１６１により検知された信号成分強度に応じて、位相シフト部１２３へ出力する制御信号を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 光強度変調器や光スイッチ等を構成する屈折率制御可能なシリコン導波路において、従来技術に於いて困難であった、高速性、低電圧動作（高効率）、作製容易性を同時に満たす構造および作成方法を提供すること。
【解決手段】 基板表面（延在方向）の法線方向に接合界面を有するpn接合を複数個、導波路中に形成する。これにより、ドーピング濃度の変化が、基板に水平方向のみとなり、シリコン電子デバイスと同様の工程で作製が可能となり低コストの素子作製が可能となる。また、導波路内に二つ以上の接合界面を設け、屈折率変調領域の導波路に占める面積を増大させることにより、屈折率変調効率を増大させ、低電圧動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】同一の基板上に、Ａｌ系半導体材料からなる活性層１３を備えるレーザ部の光導波路とＡｌ系半導体材料からなる変調器層１８を備える変調器部の光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、非Ａｌ系半導体材料からなる共通導波路層を設け、非Ａｌ系半導体材料からなる結合部を設けると共に、結合部の光導波路のリッジ幅を、レーザ部及び変調器部の光導波路のリッジ幅より大きくし、更に、活性層１３と結合部の半導体層２３及び変調器層１８と結合部の半導体層２３の結合面を、導波路方向に直交する方向に対して傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】４^N値の直交振幅変調（ＱＡＭ）信号光を良好な信号品質で出力可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本光変調器は、入力光を光合波部１で４つに分岐した後、該各分岐光を位相変調部２１〜２４でそれぞれ位相変調し、該各位相変調光を光合成部３で合成して１６ＱＡＭ信号光を生成する。このとき、光位相調整部４により各位相変調光の光位相の相対的な差が可変に調整され、また、光パワー調整部５により各位相変調光のパワー比が可変に調整される。 （もっと読む）

【課題】単一のデバイスで負チャープ特性及びゼロチャープ特性のいずれでも動作させることが可能なＭＺ変調装置を提供する。
【解決手段】ＭＺ変調器１０は、強度の等しい２つの分岐光をそれぞれ第１及び第２の変調電圧信号の印加によって光位相変調を行う第１及び第２導波路２０ａ、２０ｂを有し、当該第１及び第２の導波路の上記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、第１及び第２の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、中心電圧が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】新たな位相シフタを設けなくても光信号の変調特性を向上させることができる光変調装置および光変調方法を提供すること。
【解決手段】識別回路１３０は、入力されたデータ信号を第１クロック信号のタイミングによって識別する。第１変調器１１０は、識別回路１３０によって識別されたデータ信号に基づいて光を変調する。第２変調器１２０は、第２クロック信号のタイミングによって光を変調する。遅延制御部１４０は、あらかじめ設定された識別回路１３０の位相余裕の範囲内で第１クロック信号を遅延させるとともに、第２クロック信号を遅延させることでデータ信号と第２クロック信号の位相ずれの状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で制御が容易な波長可変フィルタ及び半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】 波長可変フィルタ１０は、第１の基板１２と、第１の基板上に設けられた光導波路コア層２０と、光導波路コア層の光軸方向に略直交する方向に位置しており光導波路コア層に光学的に結合している回折格子２４と、回折格子の光軸方向における一部２５ａに波長調整用の信号を供給するための第１の電極Ｅ２とを備える。そして、回折格子の光軸方向における一部の長さは、回折格子の光軸方向における他の部分２５ｂの長さより短い。電極による波長調整用の信号供給で、回折格子の一部の屈折率が変化するため位相シフト効果を得ることができる。その結果、第１の電極からの信号の供給量を調整することで、回折格子のストップバンド内において透過波長を容易に変えることが可能である。 （もっと読む）

【課題】波長分散および波長分散スロープの可変補償器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による波長分散および波長分散スロープの可変補償器は、複数の方向性結合器を備え、隣り合う方向性結合器間の２本の導波路長の差がΔＬ_bである部分と、ΔＬ_aである部分とが交互に形成されたラティス型回路を含む。ここで、導波路長差ΔＬ_aの絶対値は、導波路長差ΔＬ_bの絶対値よりも大きい。また、導波路長差がΔＬ_bである部分は、少なくとも一方の導波路に位相調節手段を備えている。この構成において、導波路長差ΔＬ_bの大きさおよび位相調節手段の位相を調節することによって、光の通過導波路長の波長依存性がＷＤＭチャネル毎に変化し、光ファイバの波長分散スロープ特性を補償する特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の光信号処理装置は、単レンズを含む空間光学系において、集光レンズの球面収差に起因して発生する光結合損失の低減が十分でなかった。面収差は、非球面レンズを利用や複数のレンズの使用によって減らすこともできるが、高価なレンズを多数使用する必要がある。光信号処理装置では、コストの面からも、球面単レンズを使用してかつ光結合損失を減らすことが望ましい。
【解決手段】本発明の光信号処理装置は、使用するレンズによって生じる球面収差に基き、予めこの球面収差を補償する等位相波面を生成できるようにＡＷＧのアレイ導波路を構成する。球面レンズの収差自体を減らすのではなく、ＡＷＧから出射される光信号の波面に着目し、空間光学系へ非平面波の光信号を出射するようアレイ導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造誤差が生じた場合でも光損失の増加を抑制する。
【解決手段】第１の導波路１１は、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である。第２の導波路１２は、第１の導波路１１よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である。外溝２１は、折り返し導波路１０の外側に沿って基板３００に形成した溝である。光入力側内溝２２ａは、第１の導波路１１の内側に設けられ、第１の導波路１１と第２の導波路１２との光入力側の結合部近傍の基板３００に形成した溝である。光出力側内溝２２ｂは、第１の導波路１１の内側に設けられ、第１の導波路１１と第２の導波路１２との光出力側の結合部近傍の基板３００に形成した溝である。 （もっと読む）

【課題】低損失、小型、低コストの光マルチキャリア発生装置およびそれを用いた光マルチキャリア送信装置を実現する。
【解決手段】連続光発生手段と、マッハ・ツェンダ型光強度変調器と、基本波と第３次高調波とから第（２ｎ−１）次高調波（ｎは２以上の自然数）までのｎ個の正弦波の和のＲＦ信号を発生させるＲＦ信号発生手段と、マッハ・ツェンダ型光強度変調器を、透過率が最小となる点を中心にゼロチャープでＲＦ信号により駆動する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら、光波の伝搬損失を低減すると共に、伝搬損失低減手段によって高周波帯域における光応答特性が劣化しないように維持した光導波路素子を提供すること。
【解決方法】
電気光学効果を有する基板と、該基板の主面に形成されたマッハツェンダー型光導波路と、該光導波路内を導波する光波を制御するための制御電極とを備えた光導波路素子において、該マッハツェンダー型光導波路は、該制御電極による光波の制御を行なう光導波路部分である作用部と、該作用部に光波を導入又は該作用部から光波を導出する光導波路部分である入出力部（２，２１，２２）とに分けられ、該制御電極が信号電極３と接地電極（３２１〜３２３）から構成され、該接地電極が該入出力部を跨いで配置される際には、該入出力部上の少なくとも一方の該接地電極に光損失低減手段を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。 （もっと読む）