【課題】従来の多層の光導波路は樹脂材料を積層することで構成されていたため電気光学定数の大きな光学結晶材料の利用は不可能であった。
【解決手段】光学研磨された第１の基板１０１と、第２の基板１０２とを接合してなり、第１の基板の接合面側にリッジ１０３を有する第１の導波路１０５と、第１の基板の接合面とは反対の面側にリッジ１０４を有する第２の導波路１０６と、を備えたもので、電気光学定数の大きな光学結晶材料の利用が可能であり、また導波路に直接電界印加が可能となり、従来の構造に比べて、変調速度、変調電圧、小型化を大幅に改善できる。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶の形成に、高価な装置を必要とせず、単純なプロセスで実現できる微粒子の自己組織化現象を利用して形成し、かつ、得られたフォトニック結晶の空隙に媒体を充填あるいは除去することにより屈折率を変化させ、フォトニックバンドギャップの位置を制御するとともに、大パワーのレーザー光であっても光学装置自体の熱損傷を防ぎ、常に安定した特性を発揮させるようにする。
【解決手段】周期的な空隙を有する第一の材料１０２から成る３次元周期構造物において、空隙に第一の材料とは屈折率の異なる第二の材料１０６から成る物質を充填、および除去することにより空隙の屈折率を変化させる。 （もっと読む）

光送信機は、光源及び光源と結合されたＳＢＳ抑制回路を有する。光源は、１つ以上の波長を有する光信号を生成するよう機能する。光源は、上限帯域及び下限帯域を有する信号スペクトラムを有する。ＳＢＳ抑制回路は、光源による受信のため雑音電流を伝達するよう機能する。雑音電流は、光信号の信号スペクトラムを拡大するよう機能する。光源は、雑音電流を、上限帯域と下限帯域との間に存在する信号スペクトラムの雑音成分に変換するよう機能する。
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光最小シフトキーイング(minimum shift keying, MSK)変調された信号を生成する方法、光ＭＳＫ変調された信号を生成するために、入力データストリームをプレコーディングする方法、光ＭＳＫ変調された信号を復号する方法、ＭＳＫ送信機、光ＭＳＫ変調された信号を生成するために、入力データストリームを符号化する符号器構造、および光ＭＳＫ変調された信号を復号する受信機構造。光最小シフトキーイング(ＭＳＫ)変調された信号を生成する方法は、クロック周波数をもつクロック信号を利用して、第１の光信号を振幅変調し、搬送波を抑圧されたゼロ復帰（carrier suppressed return-to-zero, CS-RZ)の第２の光信号を生成することと、第２の光信号を、第１および第２のアームにおいて第３および第４の光信号にそれぞれ分割することと、第１のアームにおいて実質的に１ビットの時間遅延を加え、第２のアームにおいて位相シフトを加え、第１のアームと第２のアームとの位相差がπ／２になるようにすることと、それぞれのビット系列にしたがって、第１および第２のアームにおいて位相変調を加えることと、第１および第２のアームからの第３および第４の信号を、光ＭＳＫ変調された信号に結合することとを含む。 （もっと読む）

１つの光ビームを変調する１つの装置及び方法。一実施形態では、本発明の複数の実施形態による１つの方法は、第１波長及び複数の第２波長をそれぞれ持つ複数の第１及び第２光ビームを、半導体材料内に配置された複数の第１及び第２導波路を通って共に伝播する複数の分離された第１及び第２光ビームに分離する。第１光ビームは、その上に符号化された１つの信号を有する。複数の第１及び第２導波路内にそれぞれ配置された複数の第１及び第２多量子井戸（ＭＱＷ）ｐｉｎ構造体において、第１光ビーム上に符号化された信号に応答して複数の自由電荷キャリアを生成する。複数の第１及び第２ＭＱＷｐｉｎ構造体において生成された複数の自由電荷キャリアに応答して、複数の分離された第２光ビームを位相シフトする。位相シフトされた複数の分離された第２光ビームを結合して第２光ビームを変調する。
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【課題】本発明は、簡易な構成及び制御で、信号光の入力レベルが大きく変動する場合でも、光増幅後の雑音指数の劣化を抑制することを可能とする光伝送装置及び光制御方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の光増幅器１００は、信号光を可変的に減衰する可変光減衰器１と、信号光を増幅する光増幅部５ｂと、そして信号光を、光増幅部５ｂから可変光減器１に戻す環状の光回線５０とを備えており、可変光減衰器１は、戻された信号光を、さらに可変的に減衰する。 （もっと読む）

装置規模を縮小させることができるようにした、光デバイスである。 Ｍ（Ｍは自然数）個のサーキュレータ（１１ａ，１１ｂ）と、該Ｍ個のサーキュレータ（１１ａ，１１ｂ）からの各方路がそれぞれ接続されるＭ本の第１入出力導波路（１２１ａ，１２１ｂ）が一端に形成されるとともにＭ×Ｎ（Ｎは自然数）本の第２入出力導波路（１２５ａ−１〜１２５ａ−Ｎ，１２５ｂ−１〜１２５ｂ−Ｎ）が他端に形成された導波路型回折格子（１２）と、上記Ｍ×Ｎ本の第２入出力導波路（１２５ａ−１〜１２５ａ−Ｎ，１２５ｂ−１〜１２５ｂ−Ｎ）のうちの隣接するＭ本の導波路ごとの光路を反射させるとともに戻り先の導波路を切り替えるための、Ｎ個の反射型光スイッチ（１３−１〜１３−Ｎ）と、を縦列に配列して構成することにより、例えばＷＤＭ伝送システムにおける波長選択光スイッチとしても機能することができる。
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光信号に、例えばＲＺ−ＤＰＳＫ変調形式で、強度変調及びＤＰＳＫ変調を施す光信号送信器の、バイアス及び整合を制御するための方法及び装置である。低速光検出器によって、バイアス信号に適用されたディザ信号の出力パワーが検出され得る。低速制御ループにおいて、検出された信号を低周波ディザ信号と混合することによって取得された誤り信号に応答して、１つ以上のバイアス信号が調節され得る。
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【課題】 テラヘルツ電磁波検出器に用いられ、第１結晶基板（入射側）と第２結晶基板（出射側）を接合してなる電気光学結晶素子であって、第２結晶基板の厚さを厚くすることなく該第２結晶基板のバックサイドにおけるテラヘルツ電磁波の反射の影響を低減できる電気光学結晶素子を提供する。
【解決手段】 テラヘルツ電磁波検出器用の電気光学結晶素子を、電気光学効果を有するＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶からなる第１結晶基板（テラヘルツ電磁波入射側）と、前記第１結晶基板よりも低抵抗でかつ電気光学効果が小さく、前記第１結晶基板と同じ成分組成を有する第２結晶基板とを接合して構成するようにした。 （もっと読む）

【課題】従来の光サブキャリア送信器に比べ高出力で、なおかつ振幅の小さなデジタル信号で駆動可能な光サブキャリア送信器を提供することにある。
【解決手段】利得領域１０１の一端側に、印加された電界に伴って光の吸収係数が変化する電界吸収型光変調領域１０２を光学的に結合し、利得領域１０１の他端側上面に出力光の光スペクトルが主たる２本の縦モードからなるよう設計されたブラッグ反射鏡領域１０３を形成し、利得領域１０１を間に挟んで光学的に結合し、前記利得領域１０１に直流電流を入力する電流入力手段１０５と、前記電界吸収型光変調器領域１０２に外部から高周波信号を入力する高周波信号入力手段１０６と、前記ブラッグ反射鏡領域１０３にデジタル信号で変調されたバイアス電流を入力する変調電流入力手段１０８，１０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ内の波長分散の修正について、簡単な構成で大きい分散レンジと広い光帯域幅を持つ可変分散補償器を提供する。
【解決手段】モニタは分散補償器のフリースペクトルレンジ又はその約数若しくは倍数に一致するフリースペクトルレンジを持つマッハツェンダー干渉計を含む。モニタの２つの出力は差動検出制御回路の２つの光検出器に結合される。差動検出制御回路は光検出器間の電流差を用いて温度制御器を制御し、モニタ及び分散補償器の温度を設定する。このようにして、ＷＴ−ＤＣは自動的に入力信号の波長に追従する。好適な実施例では、モニタ及び分散補償器は同じプレーナ光波回路チップに集積され、半波プレートを含む。モニタが分散補償器と同じチップ上に統合さるので、最小限のコストでモニタ及び分散補償器の波長が温度に追従することを確実にする。 （もっと読む）

変調、減衰、偏波制御、及び光信号の切替を必要とする用途に用いられる、導波路デバイス及び導波路デバイスの製造方式を提供する。本発明の一実施形態によれば、集積光デバイスを製造する方法を提供する。この方法は、（ｉ）電極支持面を規定する支持ウエハを用意するステップと、（ｉｉ）支持ウエハの電極支持面の上方に電極パターンを形成するステップと、（ｉｉｉ）電極パターンの少なくとも一部の上、及び支持ウエハの少なくとも一部の上方に、非ポリマ・バッファ層を形成するステップと、（ｉｖ）非ポリマのシリカ・ベースのバッファ層の上方に導波路コア材料層を形成するステップと、（ｖ）導波路コアを規定するために、コア材料層の一部を除去するステップと、（ｖｉ）クラッディング材料を導波路コアと光連通状態に配置し、バッファ層、クラッディング材料、及び導波路コアが、光学的クラッド導波路コアを規定するようにするステップとからなる。
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【課題】マトリクス光スイッチ作製時に発生する誤差によって回路特性が変動する場合において、回路の組み合わせにより作製誤差によらない十分な消光比を備えたマトリクス光スイッチを提供する。
【解決手段】互いに交差する１本の入力光導波路１１ａ−１１ｂおよび１本の出力光導波路１２ａ−１２ｂ、さらに前記入出力光導波路１１ａ−１１ｂ，１２ａ−１２ｂを接続するバイパス光導波路１３ａ−１３ｂからなり、前記バイパス光導波路１３ａ−１３ｂと前記入力光導波路１１ａ−１１ｂとの間で１×２光スイッチ１８ａと、前記バイパス光導波路１３ａ−１３ｂと前記出力光導波路１２ａ−１２ｂとの間で２×１光スイッチ１８ｂと、前記１×２光スイッチ１８ａおよび前記２×１光スイッチ１８ｂ間に１×１光ゲートスイッチ１８ｃを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層（40-52）を含む量子井戸構造（38）からなり、半導体層（40-52）は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＳＯＩ−ベースの光学構造内の光の操作を二次元で能動的に制御する構成が、シリコン−絶縁体−シリコン容量性（ＳＩＳＣＡＰ）構造のＳＯＩ層とポリシリコン層内に形成されたドープ領域を使用する。この領域は、逆にドープされて、能動デバイスを形成しており、ここで、逆にドープされた領域間の電圧電位の印加が、影響を受ける領域中の屈折率を変化させ、当該領域内を伝達する光学信号の特性を変えるように機能する。ドープ領域は、有利なことに、あらゆる所望の「形状」（例えば、レンズ、プリズム、ブラッググレーティング、他）を示すように形成されており、伝達ビームをこれらのデバイスの公知の特性の機能として操作する。本発明の一またはそれ以上の能動デバイスが、ＳＩＳＣＡＰ内に形成されたＳＯＩ−ベースの光学エレメント（例えば、マッハ−ツェンダ干渉計、リング共鳴器、光学スイッチ、他）内に含まれており、能動的な、チューニング可能なエレメントを形成する。 （もっと読む）

複数の変調／多重化ユニットと、マスタ光分配ハブと、複数の付加光分配ハブと、複数の建造物局とを備えている光アーキテクチャを提供する。変調／多重化ユニットの各々は、（ｉ）光信号の目標波長帯域の多重分離成分の選択的変調を可能とし、（ｉｉ）選択的に変調した光信号を多重化し、（ｉｉｉ）多重化した信号をマスタ光分配ハブに導くように構成されている。マスタ光分配ハブは、変調／多重化ユニットのそれぞれからの多重化信号を、複数の付加光分配ハブの対応するものに分配するように構成されている。複数の付加光分配ハブの各々は、多重化光信号を多重分離し、目標波長帯域のそれぞれの異なる波長部分を建造物局のそれぞれに分配するように構成されているアレイ状導波路格子を備えている。
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