【課題】位相符号型のＯＣＤＭで、符号の変更が必要な場合に、符号器／復号器を交換することなく所望の符号に変更でき、かつ、符号器及び復号器を長期間安定に維持する。
【解決手段】同一の光ファイバ中に、複数個の同一構造の単位ＦＢＧを有しており、隣接する単位ＦＢＧの間隔が一定のＳＳＦＢＧを用いる。ＳＳＦＢＧで構成された符号器に光信号が入力されると、一定の時間間隔で光チップパルスが出力され、隣り合う光チップパルス間の位相差が一定になる。この位相差を符号として用いる。ＳＳＦＢＧの温度を変化させると、隣接する光チップパルス間の位相が変化するので、温度変化により、符号器あるいは復号器の符号が変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、さらには偏波面回転量の調整が可能な電磁波偏波面回転装置を提供する。
【解決手段】平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１に、偏波面回転させたい対象電磁波２と、この電磁波とは周波数が異なり誘電体電磁波導波路にキャリアを生成させるためのキャリア発生用電磁波３とを同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路１の進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から供給することにより、対象電磁波２を偏波面回転させた目的電磁波４を誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２から出力する。 （もっと読む）

【課題】光変調器において、電極のパターニング精度を向上させて歩留りを向上させるのと共に、電極を厚くして電極損失を減少させることである。
【解決手段】光変調器は、電気光学材料からなる基板５、基板５上に設けられた変調用電極２Ａ、３Ａ、２Ｂ、および基板５に設けられた光導波路１ｃを備えている。変調用電極に変調電圧を印加することによって、光導波路１ｃを伝搬する光を変調する。変調用電極の少なくとも一部が、基板５上に設けられている基部２ａ、３ａと、この基部よりも幅の狭い突出部２ｂ、３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板の上に形成されたバッファ層２と、該バッファ層の上方に配置された中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げることにより設けた凹部により形成されるリッジ部とを具備し、該リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、凹部における接続用接地導体４ｂ^（５）の厚みを厚くするとともに、光導波路３ａ、３ｂの中心線Ｖに対して中心導体４ａと接地導体４ｂ^（４）を含む電極を対称に配置する。 （もっと読む）

【課題】補正回路を用いることなく、DCドリフトの影響を除去する。
【解決手段】分波器20と、第１EA変調器30と、第２EA変調器40と、１８０°位相回転器50と、合波器60とを備えて構成される。分波器は、入力光パルス列を、第１入力光パルス列と第２入力光パルス列とに２分岐する。第１EA変調器は、第１入力光パルス列を強度変調して、第１OOK信号を出力する。第２EA変調器は、第２入力光パルス列を強度変調して、第２OOK信号を出力する。１８０°位相回転器は、第１OOK信号と第２OOK信号とに１８０°の相対位相差を与える。合波器は、１８０°の相対位相差を有する第１OOK信号及び第２OOK信号を合波して、出力信号としてＢＰＳＫ信号を生成する。ここで、入力された電気データ信号が２分岐され、一方は第１EA変調器を駆動し、他方は、反転回路で反転された後、第２EA変調器を駆動し、また、分波器から合波器までの各光路の光路長が互いに等しい。 （もっと読む）

【課題】振動面が互いに直交する２つの偏光について、中心波長における温度特性を調整して、同一温度において同一の中心波長を得る。
【解決手段】光導波路は、光導波路の内部に残留応力を持たせることによって、光導波路の共振波長の温度無依存化を図り、また、光導波路を伝播する直交する偏光の共振波長の温度特性が異なることを用い、温度制御を行うことによって両偏光の共振波長差を制御して共振波長の偏光無依存化依を図る。さらに、この温度無依存存化および偏光無依存化において、コアに紫外線を照射することによって共振波長をトリミングし、共振波長を所望の波長に制御する。 （もっと読む）

【課題】 制御が容易であって、出力する光の波長を変更可能な半導体発光素子及び半導体光源装置を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１１Ａは、出力端部４７から出力される光の波長を変更可能な半導体発光素子であって、キャリヤが注入されることで光を発生可能な半導体層５７ａを有する発光ダイオード部１３と、発光ダイオード部から出力される光から所定の波長λｒの光を選択して出力端部４７側に出力すると共に、所定の波長を変更可能な波長可変フィルタ部１５と、発光ダイオード部及び波長可変フィルタ部を設ける基板Ｓと、を備え、出力端部は、波長可変フィルタ部から出力される光の反射を抑制する低反射膜Ｒ１を有しており、波長可変フィルタ部は、光路長が互いに異なっており光学的に結合された複数のリング状導波路２９，３１と、複数のリング状導波路の少なくとも一つに信号を印加するための電極２５，２７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的な負担を掛けずに光信号の高周波化を実現する。
【解決手段】比較的波長幅の広い光パルスを光源より発して波長フィルタリングデバイスの波長選択性を有しない入射側光導波路に入射し（Ｓ１０）、マイクロリング共振器で周期的な波長間隔を有する変調光を生成する（Ｓ１２）。その光パルスを波長分散デバイスに入力して、波長に応じて速さが異なる処理を与えることで、波長ごとに独立な時間パルスに分離する（Ｓ１６）。波長分散デバイスからは、入射光よりも高周波の時間軸方向に強度が変調された光パルス列（時間強度変調信号）が出力される。波長フィルタリングデバイスと波長分散デバイスは、パッシブ部品であるので、電気的な負担を掛けずに、高周波数の光パルス列を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＢｉ系ガーネットが本質的に持っている波長約１.６μｍ以上での吸収を忌避するものであり、ＧｄＢｉ系ガーネットのθfの温度変化率の改善したビスマス置換型ガーネット厚膜材料及びその製造方法を提供し、更に、波長の中でも、約１.５μｍを越える波長帯域で使用できるファラデー回転素子を提供すること。
【解決手段】ガーネット基板上に、液相成長法により育成されたＧｄ，Ｙｂ，Ｂｉ，Ｆｅ及びＡｌを主成分とする光学用のガーネット厚膜であって、前記ガーネット厚膜の組成式が、Ｇｄ_3-x-yＹｂ_xＢｉ_yＦｅ_5-zＡｌ_zＯ₁₂、（ただし、０＜ｘ≦０.４５，０.８５≦ｙ≦１.５５，０＜ｚ≦０.９５で表わされるＧｄＢｉ系ガーネット厚膜材料。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板の上に形成されたバッファ層２と、該バッファ層の上方に配置された中心導体４ａと接地導体４ｃ、１１からなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げることにより設けた凹部により形成されるリッジ部とを具備し、該リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、また基板には凹部９ｃを挟んで外周部１０ｂが形成され、少なくとも中心導体用リッジ部に光導波路３ｂを有する光変調器において、接地導体用リッジ部の上に形成された接地導体の厚みよりも、外周部の上に形成された接地導体の厚みの薄い箇所が少なくとも一箇所ある。 （もっと読む）

【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力および回路規模を増大させることなく、また、高速性を阻害することなくリンギングを抑制する。
【解決手段】半導体光増幅器１ａは、入力される光信号を駆動回路２から出力される駆動電流に応じて出力する。ダイオード１ｂは、半導体光増幅器１ａに並列に接続される。これにより、リンギングを抑制するための大きな抵抗を回路に接続することなく、リンギングを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電極端子が絶縁膜の中に窪んだ平面型光回路で、異方性導電膜を介して配線基板の電極を低抵抗で接続でき、かつ配線不良を抑制できる平面型光回路における電極端子の接続構造を提供する。
【解決手段】平面型光回路の電極端子１９１の開口部１８１に、基板３０１上に形成された配線３３１と、配線３３１につながる電極３２１とから成る配線基板３１１であって、基板３０１の上面から電極３２１の上面までの高さがｔである配線基板３１１の電極３２１が、粒子径φの導電粒子２１１を有する導電膜２１０を介して電気的に接続され、電極端子１９１の開口幅が配線基板３１１の電極３２１の幅よりも広く、かつ、絶縁膜１６８の上面から電極端子１９１の開口部１８１の上面までの深さｄが、０≦ｄ≦ｔ−φとなるよう電極端子１９１を形成する。 （もっと読む）

【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電気信号に変換せずに入力される光強度変調信号により光信号を位相変調する簡便な構造の光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光位相変調装置は、３つの入射ポートと、１つの出射ポートと、３本のアーム、３本のアームと入射ポートの１つとを接続する第１の入力導波路、アームの１本と入射ポートの１つとを接続する第２の入力導波路、アームの１本と入射ポートの１つとを接続する第３の入力導波路、３本のアームと出射ポートとを接続する出力導波路、アームにそれぞれ配設された半導体光増幅器、および２本のアームにそれぞれ配設された半導体位相調整器を備え、３本のアームに接続されている入射ポートにプローブ光のパルス列光が入射され、入射ポートの残りの２つに独立した２つの２値に強度変調された信号光がそれぞれ入射され、出射ポートから信号光により４値位相変調されたプローブ光のパルス列光が出力される。 （もっと読む）

【課題】導波路型の光スイッチであって、複数の波長それぞれの光の経路を一括して切り替える光スイッチを提供する。
【解決手段】第１の導波路１０の一部である第１領域上には強誘電性液晶層２２と、強誘電性液晶層２２に電圧を印加して強誘電性液晶層２２の配向方向を制御する第１の電極２４が形成されている。第２の導波路３０の一部である第２領域は、クラッド層３２により被覆されている。強誘電体液晶層２２の屈折率は該強誘電体液晶層２２の配向方向により変化し、前記第１領域の屈折率は、強誘電体液晶層２２の屈折率の変化に起因して変化する。クラッド層３２の屈折率は、強誘電体液晶層２２の屈折率の下限値以上上限値以下である。前記第１領域の屈折率の下限値から上限値の間のいずれかの値と前記第２領域の屈折率との差と、前記第１領域の光路長との積を、前記入力光の位相に換算した場合、該位相がπの奇数倍である。 （もっと読む）

【課題】従来の電界吸収型光変調素子における低反射窓構造では，寄生容量の増加と，パイルアップのトレードオフが問題であった。これは，窓構造におけるｐｎ接合の容量密度が，光吸収領域となるｐｉｎ接合に比べて大きいこと，また，電極構造を光吸収領域と窓構造の接合部より遠ざけた場合，光吸収領域への電界印加が不充分となり，光吸収領域において発生したフォトキャリヤの排出が困難になるためである。
【解決手段】光吸収領域と低光反射窓構造との間に，その導波路構造を構成する各多層の組成波長が信号光より十分短く，かつ平均的な屈折率が光吸収領域と同程度の組成波長・膜厚構造からなるアンドープの導波路構造を設ける。電極構造を，光吸収領域とアンドープ導波路の接合界面は横断し，かつ，アンドープ導波路と窓構造の接合界面には架からないように形成すれば，窓構造のｐｎ接合による寄生容量の増加と，パイルアップの両者を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】熱光学係数、耐溶剤性、耐熱性に優れ、更には、分子量の制御された安定した品質の光学素子材料を提供する。
【解決手段】式（１−０）で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体を用いて光学素子を作製する。


式（１−０）において、Ｒは独立して、炭素数１〜４０のアルキル、任意の水素がハロゲンまたは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよい炭素数６〜４０のアリール、またはアリールにおける任意の水素がハロゲンまたは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよい炭素数７〜４０のアリールアルキルである。 （もっと読む）

【課題】複数のサブキャリアを含む電気信号を、アナログ光変調により伝送する場合において、従来技術より、相互混合ノイズによる影響を低減できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、複数のサブキャリアに対応する側波帯を含む搬送波抑圧片側側波帯光信号を受信し、光信号を生成する生成手段と、生成した光信号と、受信した側波帯を含む光信号を結合する結合手段と、結合された光信号を電気信号に変換する変換手段とを備えており、側波帯の中心との周波数差が側波帯の帯域の１．５倍以上あり、側波帯が上側側波帯である場合には、側波帯より周波数が低く、側波帯が下側側波帯である場合には、側波帯より周波数が高い光信号を生成手段は生成する。 （もっと読む）

【課題】出力光の状態をモニタするためのモニタ光を、出力光が出力される面とは異なる側面から出力する光変調器であって、基板の寸法が小さく、かつ製造を容易にする。
【解決手段】半導体積層基板２０の一方の主表面２０ａ側に、光導波路３０と、反射用導波路５０とを備えて構成される。光導波路は、さらに、入力導波部３０ａ、変調導波部３０ｂ及び出力導波部３０ｃを備えている。入力導波部は、半導体積層基板の一方の第１端面２０ｂ側から入力された入力光を導波する。変調導波部は、入力導波部から受け取った入力光を変調して変調光を生成する。出力導波部は、変調導波部から受け取った変調光を第１出力光と第２出力光とに２分岐して、その結果得られた第１出力光を信号光として第１端面に対向する第２端面２０ｃ側から出力する。反射用導波路は、出力導波部から受け取った第２出力光を、半導体積層基板の第１端面及び第２端面とは異なる側面２０ｄに導く。 （もっと読む）