【課題】部品点数の削減と歩留まりの向上及び半導体レーザと集積したモジュールの小型化を図ることができ、消光比の劣化を抑制できる光集積回路を提供する。
【解決手段】光集積回路１は半導体マッハツェンダ干渉計型変調器部（半導体ＭＺ変調器部）２と、フォトダイオード部３とを備える。半導体ＭＺ変調器部２は、入力側導波路４に接続された１×２ＭＭＩカプラ１０と、出力側導波路５に接続された１×２ＭＭＩカプラ１１と、１×２ＭＭＩカプラ１０，１１の間に接続された導波路８，９とを備える。入力側導波路４、１×２ＭＭＩカプラ１０，１１、導波路８，９、及び出力側導波路５は、InP基板７上に形成されている。フォトダイオード部３は半導体ＭＺ変調器部２の入力側導波路４にインラインに集積されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光分岐結合回路を有していても、後段の光分岐結合回路で放射光の再結合を抑制するように構成することで、良好な特性を示す導波型光回路を提供する。
【解決手段】導波型光回路は、下部クラッドと、下部クラッドの上面に配設されたコアと、コアを覆う上部クラッドとで構成された導波路構造を有し、第１と第２の少なくとも２つの光分岐結合回路で構成されている。第１と第２の光分岐結合回路が導波光と放射光が結合する構造を有し、第１の光分岐結合回路の出力導波路に第２の光分岐結合回路の入力導波路が接続されている。第１の光分岐結合回路の放射光が下部クラッドを伝搬することにより第２の光分岐結合回路で導波光と再結合しないように、上部クラッドの屈折率が下部クラッドの屈折率よりも低くされている。 （もっと読む）

【課題】伝搬光の一方の偏波モードを選択的に減衰させる簡略な光導波路構造を持った光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の光導波路デバイスは、光導波路の形成された基板１０上に、コア１１より屈折率の高い材料を用いた高屈折率層２１と、コア１１より屈折率の低い材料を用いた低屈折率層２２とをそれぞれ１層以上積み重ねて形成した多層クラッド２０を設け、この多層クラッド２０の構造複屈折を利用して光導波路の偏波依存性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】消光比や光挿入損失を保持しつつ、光導波路デバイスの小型化や駆動電圧の低減を可能とするような光導波路デバイスを提供することである。
【解決手段】光導波路デバイスは、電気光学材料からなる基板本体、光導波路９、および光導波路９に電圧を印加するための接地電極および信号電極を備えている。光導波路９が、入射部９ａ、出射部９ｋ、および入射部９ａと出射部９ｋとの間に設けられており、接地電極および信号電極と相互作用する相互作用部１０を備えている。入射部９ａの長さａが出射部９ｋの長さｂより短い。 （もっと読む）

【課題】ヒーター発熱時にその熱が隣接するクラッドに影響を与えるのを抑制することができるとともに、ヒーターによる加熱を繰り返したとしても、ヒーター発熱時およびヒーター発熱停止時のコアの応答性が劣化するのを抑制することができるようにする。
【解決手段】光導波路基板１Ａは、光を導波するコア５を覆い、基材２上に所定間隔を隔てて並列に配設されるクラッド４と、これらのクラッド４の基材２と反対側の表面４ａに設けられるヒーター６とを備えている。基材２には、隣り合うクラッド４の間に介在する隔壁部３が連設されているとともに、基材２および隔壁部３がクラッド４よりも熱伝導率の大きな材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】
非導波光の光導波路への入射を抑制し、光変調特性などの光学特性に優れた光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された基板と、該基板の表面又は裏面に形成された光導波路とを含む光制御素子において、該光導波路の伝搬定数β_０〜β_３は、部分的に異なる値に設定されていることを特徴とする。
また、好ましくは、光導波路の伝搬定数と、該光導波路外を伝搬する非導波光に係る伝搬定数が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発生する迷光の伝搬を抑えることができる光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。 （もっと読む）

【課題】 消光比が高く、最大消費電力の少ない光分岐挿入スイッチを提供する。
【解決手段】 スルー入力ポート（ＴｈｒＩｎ）から入力された信号光を任意の減衰量によりクロス経路で出力するＶＯＡ２２２と、アドポート（Ａｄｄ）から入力された信号光を任意の減衰量によりクロス経路で出力するＶＯＡ２２３と、バー状態でＶＯＡ２２２から入力された信号光を選択し、クロス状態でＶＯＡ２２３から入力された信号光を選択して、出力ポート（Ｏｕｔ）へ出力する光スイッチ２２４と、入力ポート（Ｉｎ）から入力された信号光を、クロス状態でスルー出力ポート（ＴｈｒＯｕｔ）へ出力し、バー状態でドロップポート（Ｄｒｏｐ）へ出力する第２光スイッチ２２１とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光のオン／オフを任意に制御することができる高効率の光スイッチを実現する。
【解決手段】本発明では、電気光学材料１３と該電気光学材料に電圧を印加する電極１５ａ，１５ｂと、それらを保持する基板１１からなるキャビティー型の光スイッチ１０において、電気光学材料１３に光が入斜する入射面（ミラー面）１２の法線方向（Ｚ方向）と、電気光学材料１３への電圧の印加方向（Ｘ方向）とが略垂直であり、入射面（ミラー面）１２と基板１１とのそれぞれの法線方向（Ｚ方向）が略平行であることを特徴としており、基板と電気光学材料のミラー面（光学研磨面）が平行であれば、ミラー面に誘電体多層膜のような精密な成膜が可能となる。このため電気光学材料１３の入射面に誘電体多層膜を形成することができ、光吸収の非常に少ないミラー面を形成することができるので、高効率の光スイッチを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】プロジェクターや光通信などの光をスイッチングする装置に用いる光スイッチにおいて、誘電体多層膜と欠陥層を用いたキャビティー型の光スイッチでも、光のＯＮ−ＯＦＦ比の満足できるものがなかった。欠陥層にＰＬＺＴ単結晶を用いた光スイッチもあるが、単結晶の厚さが１００μｍと厚いことから、透過率スペクトルの半値幅Ｗｔが狭いことによって、光スイッチとしては消光比を大きく取ることができない。
【解決手段】欠陥層３としてＰＬＺＴの焼結材を用い、研磨することによって、欠陥層３を薄膜化し、その厚さｄを欠陥層の材料の屈折率ｎとの関係で所定の式を満足させることにより、ＬＤを入射光として用いた場合のスペクトルの半値幅が１ｎｍ程度の大きさがあっても、十分な消光比が取れるだけの透過率スペクトル半値幅Ｗｔを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの強度を高精度に調整することにより、高精度な階調を表現する。
【解決手段】 画像形成装置は、レーザ光源ユニット１８と、ポリゴンミラー２０と、感光体ドラム２４と、を備える画像形成装置である。レーザ光源ユニット１８は、連続発振するレーザビームを出射する半導体レーザ１２と、入射したレーザビームの一部を出射する複数の光変調部４６を有する空間光変調器１６と、複数の光変調部４６のオンオフを制御することにより、出射するレーザビームの強度を調整する制御部４３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 増大した消光比を有する電界吸収型変調器を提供する。
【解決手段】 本発明の電界吸収型変調器は、基板と、基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、第２の量子井戸領域が第１の量子井戸領域に埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器が形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】電界吸収型変調器ＭＤにおけるＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４上からアノード１０９ｂまでの、ガイド層１０５、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第１の半導体層領域の抵抗Ｒ１の値と、ガイド層１１０、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第２の半導体層領域の抵抗Ｒ２の値とを、異ならしめる。よって、光電流Ｉｐｈ１が大きい箇所で抵抗Ｒ１を小さく、光電流Ｉｐｈ２が小さい箇所で抵抗Ｒ２を大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４に印加される電圧を光進行方向Ｄ１において均一に近づけることが可能で、消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器の形成された半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
光変調器における放射光と伝搬光とを効果的に分離又は放射光を除去し、光変調器のロス、消光比の劣化を抑制可能とした光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された厚みが２０μｍ以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極とを含む光変調器において、該光導波路が複数の光導波路部分が合波する合波部を有し、該放射光の一部を遮蔽するための遮蔽手段を有することを特徴とする。
好ましくは、該遮蔽手段が、薄板に形成された凹部又は貫通孔で、最も導波路に接近している距離が５〜１０μｍ、導波路に垂直な方向の長さがファイバ径の０．５倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い消光特性を維持しつつ、より少ない段数で構成されるマトリクス光スイッチを提供する。
【解決手段】 １×２素子ｎ・（ｎ−１）個および２×１素子ｎ・（ｎ−１）個および１×１素子２・ｎ個（ここで、ｎはｎ≧３の自然数）で構成されており、該単位光スイッチ素子が（ｎ＋１）段に配置され、第１段は１×２素子ｎ個からなり、第（ｎ＋１）段は２×１素子ｎ個からなり、第２段は１×２素子ｎ個と１×１素子ｎ個からなり、第ｎ段は２×１素子ｎ個と１×１素子ｎ個からなり、第１段、第２段、第ｎ段および第（ｎ＋１）段を除く第ｉ段（ここで、ｉは３≦ｉ≦ｎ−１の自然数）は１×２素子ｎ個と２×１素子ｎ個からなる、ｎ入力×ｎ出力のマトリクス光スイッチとした。 （もっと読む）

【課題】歪が導入された量子井戸層を活性層とする半導体レーザあるいは電界吸収型変調器においてバンド構造、特にΔEcとΔEvが独立に調整することができないため、レーザ特性、或いは変調特性の適正化に限界が生じていた。
【解決手段】n型InP基板1上に、n型InGaAlAs-GRIN-SCH層3、MQW層4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層5、ｐ型InAlAs電子ストップ層6等を順次積層し、MQW層4がInGaAlAsの歪井戸層とInGaAlAsSbで構成され井戸層とは符号が逆の歪を有する障壁層から構成される。 （もっと読む）

電気光学変換器は、光軸上に連続して設置された：少なくとも１つの光点灯器、それぞれが少なくとも１つの平行平板又は少なくとも１つの最大内面反射プリズムの形態である１つの透過サポート又はＭ個の透過サポート、少なくとも１つの線変調器、少なくとも１つの可視化器、認識装置、少なくとも１つの制御装置を具備する。それぞれの線変調器は、透過サポートに取り付けられ透明ゲル様層で覆われた透明導電性層、並びに、線変調器のそれぞれに対応する第二サポート上の一平面内に配置され、透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで設置され、対応する制御装置に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極及び接地電極を具備する。それぞれの透過サポートは対応する少なくとも１つの線変調器と共に線要素を形成する。光点灯器は光軸上に連続して設置された長光源及び照明コンバーチブルレンズで構成され、可視化器は光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び可視化絞りを具備する。光源はパルス又は連続波である。光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続される。それぞれの画素に対し歯は対応する電極と一緒になって相互に分離した２つの導電性櫛のように見える。櫛の歯は長光源に対し平行に設置され、一方制御歯と接地歯のペアの配置周期λ_teethは関係式：λ_teeth ≦√2λ_light/α_divから計算され、ここでλ_lightは長光源の波長、α_div.（ラジアン単位）は櫛の歯に直交する光源の放射の発散である。
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【課題】 低チャーピングで、高入力時にも高速動作が可能であり、かつ、十分な消光比を有し、半導体レーザとの集積も可能な光変調器を実現することを課題とする。
【解決手段】 半導体基板上に形成され、二次元的な屈折率の周期構造を光の波長オーダで有するフォトニック結晶を用いたフォトニック結晶半導体デバイスにおいて、前記フォトニック結晶（１２）に光を所定の方向から入射させる光入射部（１３）と、前記フォトニック結晶から光を取り出す光出射部（１４）と、前記フォトニック結晶に電圧あるいは電流を印加する電極（１５）とを有し、かつ、前記フォトニック結晶（１２）中に多重量子井戸構造（２４）が形成されており、前記電圧あるいは電流の印加により前記フォトニック結晶（１２）中の光の伝搬方向が変化することを特徴とする。特に、光の入射方向と周期構造のいずれか一つの対称軸とのなす角度を０°より大きく１５°より小さくする。 （もっと読む）

【課題】マトリクス光スイッチ作製時に発生する誤差によって回路特性が変動する場合において、回路の組み合わせにより作製誤差によらない十分な消光比を備えたマトリクス光スイッチを提供する。
【解決手段】互いに交差する１本の入力光導波路１１ａ−１１ｂおよび１本の出力光導波路１２ａ−１２ｂ、さらに前記入出力光導波路１１ａ−１１ｂ，１２ａ−１２ｂを接続するバイパス光導波路１３ａ−１３ｂからなり、前記バイパス光導波路１３ａ−１３ｂと前記入力光導波路１１ａ−１１ｂとの間で１×２光スイッチ１８ａと、前記バイパス光導波路１３ａ−１３ｂと前記出力光導波路１２ａ−１２ｂとの間で２×１光スイッチ１８ｂと、前記１×２光スイッチ１８ａおよび前記２×１光スイッチ１８ｂ間に１×１光ゲートスイッチ１８ｃを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、光信号をフィルター処理する方法および装置を提供する。本方法は、少なくとも一つの入力光信号を受信し、その少なくとも一つの入力光信号を使用して第一および第二光信号を形成し、複数の非導波電気−光位相調節装置を使用して該第一光信号の少なくとも一部を修正することを含む。本方法は、信号の少なくとも一つが修正された第一光信号を、第二光信号と組み合わせることにより、出力光信号を形成することも含む。
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