【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】高い消光比、超小型、低駆動電圧を実現した光導波路型Ｑスイッチ素子およびＱスイッチレーザ装置を得る。
【解決手段】コア５およびクラッド４ａ、４ｂからなる平面導波路構造の光導波路３と、光損失手段７ａ、７ｂおよび電極２ａ、２ｂと、電極２ａ、２ｂに電圧を印加するＱスイッチ駆動装置６とを備える。クラッド４ａ、４ｂはコア５の上下面に設けられ、光損失手段７ａ、７ｂはクラッド４ａ、４ｂの上下面に設けられ、電極２ａ、２ｂは光損失手段７ａ、７ｂの上下面に設けられる。コア５は、電界が印加されると電気光学効果によって屈折率が変化し、電界未印加時はクラッド屈折率よりも高く、電界印加時は、高電位側の屈折率がクラッド屈折率よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ型変調器の出力特性の向上を図る。
【解決手段】マッハツェンダ型変調器１０は、第１光導波路１３ａ及び第２光導波路１３ｂと、第１光導波路１３ａに設けられた第１変調電極１６ａ及び第１調整電極１７ａと、第２光導波路１３ｂに設けられた第２変調電極１６ｂ及び第２調整電極１７ｂとを備える。このマッハツェンダ型変調器１０において、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の位相差を維持しながら、第１調整電極１７ａと第２調整電極１７ｂにそれぞれ電気信号を供給し、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の損失差を調整する。このような方法で位相差及び損失差を適切に調整することにより、消光比、チャープ特性の向上を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】プリチャープ伝送時にも良好な伝送特性を得ることができる半導体光変調器及びそれを用いた半導体光送信機を提供する。
【解決手段】半導体光変調器には、基板１上に設けられた光導波路４ａ及び４ｂを備えたマッハ・ツェンダ型光干渉計と、光導波路４ａ上に形成された電極１１ａと、光導波路４ｂ上に形成され、電極１１ａとは長さが相違する電極１１ｂと、が設けられている。更に、基板１上に光導波路４ａ及び４ｂから、光導波路４ａ及び４ｂから被変調光の波長以上離間して設けられた半導体メサ構造体７と、半導体メサ構造体７上に形成され、電極１１ｂに電気的に接続された補助電極１２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】消光比の高いアイソレータを得る。
【解決手段】透光性基板４、５上に形成された複屈折性材料層を加工して、断面形状が凹凸状の周期構造を有する回折格子１、２をそれぞれ作製し、回折格子１、２の凹部に複屈折性材料層の常光屈折率に等しい屈折率を有する等方性透明材料３を充填して偏光性の回折格子を構成して、それぞれの偏光性の回折格子と透光性基板６とを積層して複層回折型偏光子１００を得て、アイソレータとして用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部における不要な高次モードの励起を抑制し、出力光の安定化を図ると共に、放射モード光を効率良く導出することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板にマッハツェンダー型導波路を形成した光導波路素子において、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部１３に入力される２つの導波路１１，１２の傾きが０度であり、該合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路であり、さらに、該合波部から出力される導波路が、出力主導波路１４とそれを挟む２本の出力副導波路１５，１６からなる３分岐導波路で構成される。 （もっと読む）

【課題】光分岐部および光合分岐部を構成する方向性結合器もしくは多モード干渉光カプラの結合率が製造誤差等によって５０％からずれた場合でも、消光比の高いが得られる光スイッチ及び波長選択スイッチを提供すること。
【解決手段】入力された光波を４つに分岐する入力分岐部１００１、それぞれの光波を位相変調する位相シフタ部２、及び位相変調された４つの光波を合分岐して出力する出力合分岐部３から構成される。入力分岐部１００１、位相シフタ部２及び出力光合分岐部３は、全て同一の平面光波回路上に形成されている。また、入力分岐部１００１と出力光合分岐部３とは、位相シフタ部２に対して対称な回路構成となっている。本光スイッチにおいて、第２段方向性結合器１３１と第３段方向性結合器３１１を結ぶ経路、及び第２段方向性結合器１３２と第３段方向性結合器３１２とを結ぶ経路は全て光路長が等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大する光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１１と、基板１１の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部１２と、活性部１２の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部１３，１４とからなる電界吸収型光変調器を有し、上クラッド部１３の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部１５をもつ、リッジ導波路構造を作製し、リッジメサ部１５の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ埋め込み部１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】RZ光変調器の直流バイアス電圧最適点探索手法に関し、特に光送信波形における消光比の品質改善ができる光送信器を提供することを目的にする。
【解決手段】入力光を複数の位相データに変換する第１の光変調器と、前記位相データが変化するポイントを覆う第２の光変調器と、この第２の光変調器から出力される信号の光出力強度を表す交流波形の直流バイアス電圧の最適点を前記第２の光変調器に印加するフィードバック制御手段とからなる光送信器において、前記フィードバック制御手段に前記直流バイアス電圧の最適点になった値を負側のオフセット値に収束させるオフセット収束用電圧制御手段を備えることにより、光出力波形の品質を維持できる光送信器を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い消光比及び高いQ値が得られるマッハツェンダ干渉型光変調器の駆動方法を提供する。
【解決手段】MZ変調器10の駆動方法は、第1及び第2変調信号が、電圧振幅が第1レベルにある第１時間Toff1、Toff2と、第1レベルから第2レベルへ移行する第1移行時間Tr1、Tr2と、第2レベルにある第2時間Ton1、Ton2と、第2レベルから第1レベルへ移行する第2移行時間Tf1、Tf2とを有し、Tr1とTr2とは時間軸上で重なっており、且つTf1とTf2とは時間軸上で重なっており、第１及び前記第２変調信号が共に第２レベルにあるときに出力光がオンとなり、第2変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差を、第1変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差よりも小さくし、且つTr2<Tr1、且つ、Tf2<Tf1、且つ、Toff2がToff1+(Tr1-Tr2)+(Tf1-Tf2)>=Toff2>Toff1+(Tr1-Tr2)×0.5+(Tf1-Tf2)×0.5なる関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】
ＤＱＰＳＫ変調などに用いられる複数のマッハ・ツェンダー型導波路を薄型の基板上に集積化した光導波路素子において、ｏｎ／ｏｆｆ消光比を改善した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された厚みが２０μｍ以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路を有する光導波路素子において、該光導波路が複数のマッハツェンダー型導波路部を有すると共に、少なくとも２つ以上のマッハツェンダー型導波路部から出力される光波を合波する構成をし、該マッハツェンダー型導波路部（ＭＺＡ）内の合波部には、出力用導波路（ｃ１）と該出力用導波路を挟むように配置される２本の放射光用導波路（ｂ１，ｂ２）から構成される３分岐導波路が形成され、該３分岐導波路の該出力用導波路と該放射光用導波路との間には、高次モード光吸収領域（ｄ１，ｄ２）が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易、低コスト、小サイズかつ高精度に、光スイッチの動的動作の調整を行う。
【解決手段】光スイッチ調整回路２は、入力信号光ＩＮＬを分岐させて参照信号光ＲＬとして出力する分配器３と、光スイッチ１からの出力信号光ＯＵＴＬを分岐させてモニター信号光ＭＬとして出力する分配器４と、参照信号光ＲＬとモニター信号光ＭＬとの位相関係をシフトさせる光位相シフタ５と、光位相シフタ５によって位相シフトされた参照信号光ＲＬとモニター信号光ＭＬとを重ね合せて干渉させる干渉信号光生成部６と、干渉信号光ＩＬのパワーを検出する光検出器７と、光検出器７によって検出された光パワーの時間平均値に応じて、出力信号光ＯＵＴＬのアイ開口が最大となる位相バイアス条件を光スイッチ１へフィードバックする位相バイアス調整部８とから構成される。 （もっと読む）

【課題】表示装置等を小型化できる、反射型の磁気光学式空間光変調器を提供する。
【解決手段】光の入出射側に偏光フィルタ９１を配置して、偏光フィルタ９１を透過した入射偏光Ｌ_inを入射されて、反射した光を偏光フィルタ９１に再び透過させて取り出す空間光変調器であって、入射した光の偏光方向を異なる２値の角度θ_P，θ_APで回転させて出射する光変調素子１を備えた画素４上にファラデー回転子５を備える。入射偏光Ｌ_inおよび画素４からの反射光が透過するファラデー回転子５のファラデー回転角θ_Fを（±４５°−θ_P／２）とすることにより、画素４でθ_P旋光して反射した光が入射偏光Ｌ_inに対して９０°旋光した出射偏光Ｌ_out0となって偏光フィルタ９１で遮光される。 （もっと読む）

【課題】高い消光比を有する空間光変調器および該空間光変調器を装備して優れた描画品質でパターンを描画することができるパターン描画装置を提供する。
【解決手段】５本の第１電極３３３が電気光学結晶基板３３１の周期分極反転構造内を進む入射光ＬＩの進行方向Ｚと略垂直なＸ方向に互いに離間して電気光学結晶基板３３１の一方主面３３２上に配列されている。各第１電極３３３は電位付与部３３６と電気的に接続されており、電位付与部３３６が第１電極３３３に印加する電圧を制御して第１電極３３３の各々と第２電極３３５間での電界発生を制御し、第１電極３３３ごとに周期分極反転構造内での回折効率を変調する。周期分極反転構造内で生じる回折格子がブラッグ回折の条件を満足するように、各第１電極３３３は電気光学結晶基板３３１に対して傾斜して配置されており、上記制御によりブラッグ回折光ＢＬまたは０次光を出射する。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）

本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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【目的】低周波領域から高周波領域にいたるまで安定して優れたＳ_２１とＳ_１１を得ることができる高周波接続配線基板を提供する。
【構成】本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板であって、高周波接続配線基板が台座を介して取り付けられる筐体には、高周波電気信号を外部から入力するための高周波コネクタが、その芯線が筐体と所定の距離Ｇを有した状態で筐体と固定され、また高周波コネクタの芯線と中心導体の一端側とが接続されており、中心導体の一端側において、中心導体から台座へ向かう電気力線の本数が中心導体から接地導体へ向かう電気力線の本数よりも多くなるように、中心導体の一端側における中心導体と接地導体との距離Ｗ_３と距離Ｇとが所定値に設定されている。 （もっと読む）