シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ（ｃｈｉｒｐ）」（すなわち、経時変化する光学位相）の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第１の領域（例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域）に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧（ＯＭＡが大きくなる）及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号（及び逆位の信号）は別個の入力として、変調素子の各アームの第２の領域（例えば、ＳＯＩ領域）に印加される。 （もっと読む）

【課題】反射型の偏波変換デバイスにおいて、出力光の偏波消光比の劣化を効果的に防止する。
【解決手段】偏波変換デバイスは、第１導波路２に入力された光の偏波状態、すなわち、光のＴＥ／ＴＭモードを変換して第１導波路２から出力する。第１導波路２に入力されたＴＭモードの光は、接続導波路４を伝搬する間に１／４波長板２０を２回通過してＴＥモードに変換され（モード変換部）、偏波ビームスプリッタ１０に入力する。偏波ビームスプリッタ１０は、入力した光をＴＥモードの光とＴＭモードの光とに分離し、ＴＥモードの光を第１導波路２に出力する（偏波分離部）。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ高速応答を可能とし、光変調度を向上させた磁気光学式空間光変調器を提供する。
【解決手段】２次元配列された画素４に光変調素子５０を備える空間光変調器１であって、光変調素子５０は、２つのスピン注入光変調素子５，６を、それぞれの磁化反転層５３，６３の側を対向させて非磁性金属からなる接続層５５を挟んで備え、それぞれの磁化固定層５１，６１はその磁化方向が互いに反平行に固定される。上部電極２および下部電極３から供給される電流の向きに応じてスピン注入光変調素子５，６はスピン注入磁化反転するが、それぞれの磁化反転層５３，６３は同じ磁化方向を示すため、光変調素子５０に入射した光は、２層の磁化反転層５３，６３を透過することによりファラデー効果による旋光角（θ_Ｌｒ１，θ_Ｄｒ１）の変化が増大する。 （もっと読む）

【課題】磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層の順に下から積み上げていく基本概念を踏襲した上で、温度プロセス・ルールを守り、圧電体の分極処理を、ＴＦＴに損傷を与えることなく容易に行うことができ、圧電体の特性劣化が生じず、しかもＴＦＴの特性改善も行えるようにする。
【解決手段】基板１０上に磁気光学層（ＹＩＧ１２）及び圧電層（ＰＺＴ１６）を形成した後、ＴＦＴのＭＯＳ構造まで作製した段階で、水蒸気アニールによる欠陥修復処理を行い、次いでゲート電極及びソース／ドレイン領域にコンタクトホール３０を形成し、該コンタクトホールを通してそれらを一括接続するベタ導電膜３６を設け、ベタ導電膜と圧電層の共通電極１４間に電界を印加して分極を行い、その後、前記ベタ導電膜を除去する。これによって、基板上に磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層を、その順序で積層形成する。 （もっと読む）

【課題】
３０μｍ以下の厚みを有する基板を用いた場合でも、光損失の増加や消光比の劣化を改善することが可能な光導波路素子を提供すること。さらには、光導波路素子全体をより小型化することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚さが３０μｍ以下の基板１と、前記基板に形成された光導波路２１〜２８と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極（信号電極３）とを有する光導波路素子において、該基板１は、対向する２つの端面（１０，１１）と２つの側面（１２，１３）を有し、該光導波路に該変調電極の電界が主として作用する光導波路の作用領域は、該側面（１２，１３）と略平行に配置され、該光導波路の入射側端部２１は、該側面１３に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たな位相シフタを設けなくても光信号の変調特性を向上させることができる光変調装置および光変調方法を提供すること。
【解決手段】識別回路１３０は、入力されたデータ信号を第１クロック信号のタイミングによって識別する。第１変調器１１０は、識別回路１３０によって識別されたデータ信号に基づいて光を変調する。第２変調器１２０は、第２クロック信号のタイミングによって光を変調する。遅延制御部１４０は、あらかじめ設定された識別回路１３０の位相余裕の範囲内で第１クロック信号を遅延させるとともに、第２クロック信号を遅延させることでデータ信号と第２クロック信号の位相ずれの状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、方向性結合器を使用しない消光比の高い光信号処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に作製された、少なくとも１つの入出力導波路（１０２）と接続された第１のスラブ導波路（１０４）と、第１のスラブ導波路と接続導波路アレイ（１０６）で接続されたアレイ導波路格子であって、第２のスラブ導波路（１１２）およびアレイ導波路（１１４）を含む少なくとも１つのアレイ導波路格子（１１０）と、アレイ導波路格子から出射した光を集光するレンズ（２００，３００）と、集光された光に位相シフトを与える位相変調素子を有する位相変調器（４００）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】デバイスの製造バラツキによる消光比の個体差に対応し信号品質を良好にする。
【解決手段】第1の位相変調器と、第２の位相変調器と、入力光を異なる光パワーで前記第１の位相変調器と前記第２の位相変調器とに供給する光スプリッタと、独立した駆動信号を前記第１の位相変調器と前記第２の位相変調器に供給する変調器ドライバと、前記第１の位相変調器と前記第２の位相変調器とからの光変調信号を結合する結合器と、前記駆動信号の少なくとも一方の振幅を制御することにより前記第１の位相変調器と前記第２の位相変調器から出力される平均光パワーが等しくなるように制御する駆動電圧制御装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い精度で動作点の調整ができる光変調器を提供する。
【解決手段】一方の位相シフト光導波路３ａ上において、バッファ層４を除去した窓部６が配置され、光導波路３を形成する物質よりも屈折率の低い物質からなる位相調整部７が、窓部６における位相シフト光導波路３ａ上の少なくとも一部の領域に配置されている。位相調整部７の位相シフト光導波路３ａ上における長さに応じて、光変調器の動作点が調整されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造誤差に強い導波路型光干渉計回路を提供することである。
【解決手段】本発明の導波路型光干渉計回路は、それぞれ独立した導波路型光干渉計を少なくとも２段に縦続して接続した導波路型光干渉計回路において、前記導波路型光干渉計は、所望の光路長差を設けた導波路を有し、前記少なくとも２段の導波路型光干渉計の一方の前記光路の長い方の導波路と、それぞれの前記導波路型光干渉計の入力側から出力側に引かれた中心線に対し、前記少なくとも２段の導波路型光干渉計のもう一方の前記光路の長い方の導波路とが反対の方向に配置されて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏光面の回転が無い内部反射光を極力抑制することにより、基板付き磁性ガーネット膜からの出射光のコントラスト（オン時の光量／オフ時の光量）を改善し、磁気光学式空間光変調器の変調特性を向上させる。
【解決手段】非磁性ガーネット基板上に、ファラデー効果を有する磁性ガーネット膜が設けられている磁気光学素子である。ここで非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜との間にガーネット中間膜が介在しており、該ガーネット中間膜の屈折率ｎ１は、ｎｓ＜ｎ１＜ｎ２（但しｎｓは非磁性ガーネット基板の屈折率、ｎ２は磁性ガーネット膜の屈折率）で、且つガーネット中間膜の屈折率ｎ１と膜厚ｄ１との積が、ｎ１・ｄ１＝λ／４±１０％（但し、λは使用波長）に収まっている。 （もっと読む）

【課題】波長が１．３μｍ〜１．６μｍ帯の光に対するファラデー回転能が４５°程度、かつ逆方向挿入損失が大きい値を有する磁気光学素子を提供する。
【解決手段】磁気光学素子は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶によって構成されたものであって、フラックスとして鉛化合物を用いない液相エピタキシャル法によって育成された厚さが３５０μｍ以上有するものであり、かつ白金を含み、白金の式量ｘが０．０２≦ｘ＜０．０４の関係を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】光変調装置において、変調信号による変調を行いながらであっても高い消光比を安定して実現する。
【解決手段】光変調器１０から出力される周波数ｆ_０、ｆ_＋１、およびｆ_−１の各成分を持つ光をモニタし、第２光検出手段１４ｂで全成分のパワーＰ２を測定するとともに第１光検出手段１４ａで分離手段１２により切り出された周波数ｆ_０成分のパワーＰ１を測定して、これら受光パワーＰ１およびＰ２に基づき、光変調器１０の各マッハツェンダー光導波路ＭＺ−Ａ、ＭＺ−Ｂ、ＭＺ−ＣそれぞれのＤＣ電極により付与する位相差を制御している。制御は、受光パワーＰ１を最小、受光パワーＰ２を最大とするように行う。 （もっと読む）

【課題】低コヒーレンス光源を用いても位相に信号を重畳することを可能にし、通常の光通信と同様なビットレートと信号重畳フォーマットを可能にする。
【解決手段】送信機１００に非対称干渉計１２０やアンチスクイズド光生成器を設置してパルス列５１０を２重パルス列５２０に変換し、受信機３００にも非対称干渉計３２０を設置し、受信機内の非対称干渉計が与える遅延時間を２重パルスの遅延時間に一致させ、受信機においては起源を一にするパルス同士を干渉させることで低コヒーレンス光源を用いた場合でも位相に信号を重畳すること可能にする。非対称干渉計の遅延時間（光路長差）はパルス光源からの周期の半分よりも長く設定し、２重パルスの後ろ側のパルスと次の２重パルスの前側のパルスを一組にして送信機で変調する。受信機では平衡型検出器で受信し、干渉パルスのみが出力され、非干渉パルスは出力されない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いサイドバンド抑圧度を得ることのできる光変調器の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る光ＳＳＢ変調器は、光波長フィルタ１５を用いて側波帯の一方を抑圧する光ＳＳＢ変調器において、光強度変調器１４にて光強度変調を行うためのマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器１１に加え、さらに、マルチキャリア電気信号とは異なる一定周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器１２を備え、合波器１３においてマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化する。マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化した信号によって光強度変調を行うことで、シングルキャリア電気信号による側波帯の一方を新たな光キャリアとして利用可能とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】案内されるモード及び案内されないモードを有する光を受ける光導波管装置は、ほぼ対向する第１表面と第２表面、入力端、及び出力端を有する光学的に透明な基板を有し、光学的導波領域が、基板内に配置され、入力端から出力端へ伸長する複数の電極が、光学的導波領域に関する第２表面上の所定の位置に配置される。該光導波管装置において、案内されないモードを遮断する既知の空間フィルタ構成は効率的ではなく、最適な価格／性能比を提供していない。
【解決手段】導波管装置は、複数の光学バリアを有する。各光学バリアは、第１表面及び第２表面の１方に近接して位置され、案内されないモードの異なる光学経路を遮断するように配置される。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比および高記録密度を実現できる空間光変調器、ホログラム記録装置およびホログラム記録方法を提供する。
【解決手段】ホログラム記録装置において、空間光変調器１６は、液晶パネルで構成される空間光変調部１７と、レンズアレイ１８とを有しており、明暗パターンを表す信号光が空間光変調部１７からレンズアレイ１８に入射されると、明暗パターンに含まれる「明」部分が集光され、面積を狭められて離散的になる。このような信号光がフーリエ変換レンズ２０によりフーリエ変換されて光記録媒体２４にホログラムとして記録されることにより、高Ｓ／Ｎ比および高記録密度を実現できる。 （もっと読む）

【課題】熱光学効果を有する光学材料を用いたＹ分岐型光スイッチにＳ字状彎曲型光導波路を接続することにより、高消光比を有し、且つ低消費電力の導波路型光スイッチ、アレイ型導波路型光スイッチを提供する。
【解決手段】平面基板上に形成されたコア及びクラッドからなる導波路と、導波路上に設けられるヒータ電極とを有する導波路型光スイッチであって、導波路は、Ｙ分岐型導波路と、Ｙ分岐型導波路の導波路出力端に接続される可変光減衰器とで構成され、可変光減衰器は、少なくとも２つ以上の彎曲部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｙ分岐導波路において光が等分に分岐されないことによる変調比の低下を防止できる光変調器、および前記光変調器を有する光変調モジュールの提供。
【解決手段】個別に設けられ、末端において再結合する個別単一モード導波路１Ａ、１Ｂを備える変調部２２と、導入された光を分岐させて前記個別単一モード導波路１Ａ、１Ｂの夫々に導入する光分岐部２１と、変調部２２の一方の面における個別単一モード導波路１Ａ、１Ｂに対応する位置に設けられた変調電極３Ａ、３Ｂと、変調部２２の他方の面に設けられた接地電極８とを備え、光分岐部２１は、個別単一モード導波路１Ａ、１Ｂに導入される光の強度比を変化させることができるように形成された光変調器。 （もっと読む）

光学干渉計とともに電子吸収を使用して光信号を変調するための方法および装置について記載する。信号を分割して複数の光学モードになるように変調し、ＥＡＭを用いてこれらのモードのうちの少なくとも１つのモードを変調した後に、これらのモードを干渉結合させることにより、従来の方法よりも振幅が小さい変調器駆動信号を用いて位相シフト・キーイング変調を実現することができる。本発明を使用すると、所与の駆動電圧でＡＳＫの消光比性能を著しく改善することができ、あるいは大幅に低い駆動電圧で所望の消光比を実現することもできる。したがって、消光比と帯域幅の間のトレードオフ関係を克服することにより、ＥＡＭの電子光学的帯域幅を改善することができる。さらに、本発明を使用して、はるかに低い駆動電圧でＱＰＳＫやＱＡＭなどの他の変調フォーマットを生成することができ、それにより変調用の高速駆動電子装置のコストおよび消費電力が低減する。
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