【課題】使用環境における周囲光の強さにより、光センサーの検出レベルが変化しても、同じ周囲光の強度において、経年変化や、環境温度による特性劣化によって、光センサーの検出レベルが変化しても、指の接触を検出することができる液晶表示装置を得る。
【解決手段】タッチパネル機能を内蔵した液晶表示装置であって、アレイ基板３にマトリクス状に設けられ、周囲光を検出する複数の周囲光センサー７と、複数の周囲光センサー７の一部をブラックマトリクス４で覆い隠して遮光した遮蔽光センサー７Ａと、遮蔽光センサー７Ａによって検出したセンサーレベルに、α（一定値）を加算してしきい値を求め、周囲光センサー７によって検出したセンサーレベルと前記しきい値を比較して、周囲光センサー７によって検出したセンサーレベルが前記しきい値よりも低い場合には、周囲光センサー７上に遮光物があったことを検出する制御部１０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】光書き込み時の感度が高い光書き込み型表示媒体を提供すること。
【解決手段】対向配置され、且つ、互いに対向する面に各々電極を設けた一対の基板と、該一対の基板の間に配置された液晶層および光スイッチング層を含む２つ以上の層とを有し、前記液晶層に水溶性樹脂が含まれ、前記液晶層の含水率が、０．５％以下であることを特徴とする光書き込み型表示媒体。 （もっと読む）

【課題】２つのセンサ出力の差分による物体を検出する検出信号のＳ／Ｎ比を、さらに向上させる。
【解決手段】表示面２００Ａと、入力データに応じた強さの光を発生し表示面２００Ａに出力する光学素子（液晶素子）を含む画素領域ＰＡ１と、入射光をそれぞれ受光して光電変換する受光素子（第１および第２センサＳ１,Ｓ２）を対で含むセンサ領域ＰＡ２と、センサ領域ＰＡ２内で第１センサＳ１と表示面２００Ａとの間に配置され、可視光域ＶＬの入射光を吸収して遮断し、非可視光域（ＩＲ光）の入射光を透過する光学フィルタ部６０と、第１センサＳ１に対し近接配置される第２センサＳ２と表示面２００Ａとの間に配置され、入射光（ＶＬ,ＩＲその他の非可視光）を吸収して遮断する光吸収性の遮光部７０と、センサ出力の差分を求める演算部（不図示）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、タッチパネル機能を有する液晶装置において、指等の指示手段を正確に検知する。
【解決手段】光検出素子（１９１）が入射光を受光した際には、受光素子（１９１）に光電流が生じ、リセット用ＴＦＴ（１６３）、電圧増幅用ＴＦＴ（１５４）、及び出力制御用ＴＦＴ（１５５）の夫々の動作に応じて、光検出素子（１９１）に電気的に接続された電源線（３５２）及びノード（ａ）間の電圧Ｖに対応した信号が読み出し信号線（６ａ２）に読み出される。尚、読み出し線（６ａ２）に読み出される信号、即ち、入射光に基づいて指示手段を特定する信号は、画像処理回路の制御下でその動作が制御される光検出素子（１９２）から出力された補償信号によって補償される。また、画像処理回路において信号を処理する際に、メモリ等の記憶装置から読み出されたデータに基づいて入射光の光強度に対応した信号を補償することも可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の上方からの光の受光感度の向上を図ることが可能な光センサー、およびこの光センサーを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１上の半導体薄膜２４中に、ｐ領域（ｐ型の不純物領域）２４ｐと、ｉ領域（ｉ型の不純物領域）２４ｉ、ｎ領域（ｎ型の不純物領域）２４ｎとをこの順に接して設けてなる光センサーＳ１において、第１基板２１と半導体薄膜２４との間には、第１基板２１側から順に、ｉ領域２４ｉに積層された反射材料層２２ｓと、これを覆うゲート絶縁膜２３とが設けられている。反射材料層２２ｓは、ｎ領域２４ｎに接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力の過大な増加を招くことなく、使用状況によらずに簡易な構成で確実に物体の検出を行うことが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】非可視光ＬIRを表示面１０から出射すると共に、検出対象物体１２で反射された非可視光ＬIRを表示面１０上で検出光として検出し、この非可視光ＬIRの検出光に基づいて検出対象物体１２を検出する。表示面１０の表示状態、すなわち画像データに応じた輝度変化の影響や、さらに例えば周囲の状況（明るい場合や暗い場合など）など、そのときの使用状況の影響を受けることなく、確実に検出対象物体１２が検出される。また、例えばタッチパネルなどの部品を別途設ける必要もないので、簡易な構成で実現される。さらに、光源１００からの非可視光ＬIRが表示面１０を透過して出射するため、光源１００から発せられる非可視光ＬIRの利用効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】外光の状態に適合した条件でカラー画像を表示することのできる液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０のダミー画素領域１０ｄに形成された光センサ素子４０は、対向基板２０側から入射してカラーフィルタ２２を透過した外光を受光する。このため、光センサ素子４０での受光結果に基づけば、入射光に含まれている可視光の程度や、どのような可視光成分がどのような割合で含まれているかを判定できるので、かかる判定結果に基づいて、液晶装置１００の駆動条件を制御すれば、外光の状態に適切に対応した条件でカラー画像を表示することができる。 （もっと読む）

【課題】フィルタを設けない画像表示装置に比べて、背景部が暗くなることなく高精細な画像を表示することができる、画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置１０は、液晶パネル１４に設けられた、色フィルタ８１Ｇ、８１Ｒ、８１Ｂを含むカラーフィルタ８０を透過することによりそれぞれ異なった各波長の光６Ｇ、６Ｒ、６Ｂが表示記録媒体１２の光導電層３８に照射される。光導電層３８は各波長毎に異なった吸収感度をもち、各波長に応じた電荷が発生する。これにより光導電層３８における電位分布９１がシャープになる。 （もっと読む）

【課題】携帯電話等で、複雑な操作を経ること無しに、特定の機能を容易に選択できるようにする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０の間に液晶３０が挟持されている。ＴＦＴ基板１０の有効画面の周辺に特定機能を選択するためのフォトセンサ１３０を配置する。フォトセンサ１３０に対応する部分のカラーフィルタ基板に窓２４を設けておき、この窓を指で触れることにより、外光を遮断し、この信号を特定機能選択のための信号として使用する。フォトセンサ１３０に隣接して補正用センサ１３３を設置することによって温度分布、迷光等によるノイズを除去し、フォトセンサの誤動作を防止する。 （もっと読む）

【課題】閲覧面側から書込む光書込み表示媒体において、閲覧のために読出し光の照射を受けることによる経時的な光導電層の劣化に基づく表示画像品質の劣化を防止する。
【解決手段】光書込み型表示媒体１０は、印加される電圧に応じて選択的に光学特性が変化し、入射した可視光を選択的に透過又は反射させる表示層１８と、この表示層１８を透過した所定範囲の波長を有する可視光のうち、第１の波長領域の可視光の照射に応じて電気抵抗が変化する光導電層２６と、表示層１８を透過した第１の波長領域に含まれる波長を有する可視光を透過させ、少なくとも第１の波長領域以外の波長を有する第２の波長領域の可視光を吸収する選択透過層２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】 画面に入射する光量に従ったより細かい輝度の調整が可能な情報処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＬＣＤパネル２６に表示される画面の輝度を制御する際は、光センサ２４によって検出される光量に応じて、バックライトＬＥＤ２５ａの明るさを制御する。この時、光センサ２４ａによって検出される光量に応じて、各ピクセルに対応するバックライトＬＥＤ２５ａの明るさをＥＣ／ＫＢＣ２０によって制御することができる。各画素３０や画素３１に対して少なくとも一つの光センサ２４が設けられることとなり、光センサ２４によって検出された光量に応じて画素３０や画素３１に対応して表示画面の輝度を調整することができる。このような構成とすることで、画素ごとに輝度を制御することが可能となり、画面の視認性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】人間が感じる外部環境の明るさに応じて表示部の輝度を調節することのできる電
気光学装置を提供する。
【解決手段】素子基板１１と対向基板７０との間隙に封入された液晶Ｅと、素子基板１１
上に形成されて外部環境の明るさを検知するＰＩＮダイオード３１と、ＰＩＮダイオード
３１からの光電流信号に基づいて、バックライトの輝度を調節する制御部とを備える。Ｐ
ＩＮダイオード３１に対する外光Ｌ２の入射経路上であって、ＰＩＮダイオード３１より
も表示面側に、緑色の光を強調した上で外光Ｌ２をＰＩＮダイオード３１に出射する誘電
体多層膜からなる波長選択フィルタ５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】 光ペン入力に対応しながら、配線の鏡面反射による表示品質の低下を回避することができ、半透過にも対応可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素内に光センサ１０が配置され、点光源（光ペン６０）からの光を光センサ１０により検出する。バックライト光を照射するバックライト（背面光源）７上に各画素の駆動トランジスタが形成されたアレイ基板２とカラーフィルタが形成された対向基板３がこの順で重ねられ、光センサ１０はアレイ基板２上に形成されている。光センサ１０においては、バックライト光が遮光されていない。また、光センサ１０においては、背景部における白画素割合と光ペン６０からの光が照射される光照射部における白画素割合の差が３０％以上となるように露光条件が設定されている。 （もっと読む）

【課題】表示媒体への露光光による書込みにおける明暗差の低下を抑制可能な表示媒体、書込装置、及び書込方法を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられ、前記一対の電極間に印加された電圧により形成された電場下で予め定められた波長領域の露光光が照射されることにより該露光光の強度分布に応じた電気的特性分布を示す光導電層と、前記一対の電極に印加された電圧による前記光導電層の電気的特性分布に応じて分布した分圧が印加され、該分圧に応じて光学的特性分布による画像が表示される表示層と、前記光導電層より前記露光光の照射方向上流側に設けられ、前記露光光の波長領域の光は透過する遮光層と、を少なくとも含む表示媒体。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線と同一面上に設けられた島状のソース配線と、島状のソース配線及び半導体層に電気的に接続された接続電極とを有し、島状のソース配線は画素毎に配置されており、１つの島状のソース配線と隣の画素の島状のソース配線とは、接続電極によって電気的に接続されている。接続電極は金属膜を用いて形成されており、容量配線は、ゲート配線と平行に配置された部分を有し、平行に配置された部分において、容量配線と画素電極とは部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】光変調素子について、比較的簡単な構造でありながら、発色画像の彩度、特に可視光領域内の中波長域から長波長域の発色画像の彩度を向上させること、および、かかる光変調素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表示側が透明である一対の電極層５，６の間に、少なくとも、特定波長域の光を選択反射するコレステリック液晶によって構成される表示層７と、書き込み光を吸収して該吸収した光の光量に応じて抵抗値を変化させる光導電層１０とが積層挟持されてなる光変調ユニット２を、少なくとも１組含む光変調素子１であって、光変調ユニット２のうちの少なくとも１組において、光導電層１０が、前記特定波長領域以外のいずれかの波長領域の光を吸収する性質を有し、かつ、表示側に光導電層１０が、非表示側に表示層７が、それぞれ位置するように積層されてなることを特徴とする光変調素子およびその駆動方法である。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比で高速な光信号の読出しが可能な光センサ回路を備え、外乱光の影響が小さく、誤認識の少ないタッチパネル機能を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する表示画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部内に複数の光検知画素とを具備する画像表示装置において、観測光を受ける第一の光検知素子と、観測光を受けない第二の光検知素子を電気的に接続し、その接続点における電位の変調を信号電圧として出力する光検知画素において、青のカラーフィルタと第一の光検知画素をオーバーラップさせ、緑または赤のカラーフィルタと第二の光検知画素をオーバーラップさせる構成とする。 （もっと読む）

【課題】受光面において十分な光量の環境光を受光可能な液晶装置及び電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶層２１を挟持するＴＦＴアレイ基板２２及び対向基板２３と、ＴＦＴア
レイ基板２２及び対向基板２３の間に設けられて液晶層２１を封止するシール材とを有し
、背面側から照明光が照射される液晶パネル１１と、液晶パネル１１の前面側に配設され
た第１偏光板１２と、液晶パネル１１に表示する画像の表示状態を制御するバックライト
制御回路とを備え、液晶パネル１１が、環境光を受光する受光素子３５を有し、受光素子
３５の受光面３５Ａの少なくとも一部が、平面視でシール材及び第１偏光板１２と重なら
ない位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高感度の光センサを構成する。
【解決手段】 絶縁基板２３と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層と、前記絶縁基板と前記半導体層との間に形成されるゲート電極７６と、によって構成されるスイッチング素子と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層によって構成されたＰＩＮ型ダイオード２９と、前記ゲート電極と同層で前記ＰＩＮ型ダイオードを構成する半導体層に対向して形成された反射部５９と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）