【課題】 本発明の目的は、両面フレキシブルプリント基板が用いられた上記従来の液晶表示装置よりも安価に作成可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板１と、第１の基板１と共に液晶層を挟持する第２の基板２と、第２の基板２の一方の主面に実装された半導体回路３とを備える。第２の基板２は、半導体回路３と電気的に接続された配線を一方の主面に含む。また、液晶表示装置は、第１の主面１および第２の主面２を有し、第１の回路１を第１の主面に有し、第１の回路１と電気的に接続された第２の回路２を第２の主面に有する硬質基板６と、第２の回路２と第２の基板２に設けられた配線とを電気的に接続する配線が一方の主面にのみ形成され、可撓性材料により形成される内部接続用フレキシブルプリント基板５とをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑でなく安定した多重ドメインを形成することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板、絶縁基板上に形成されている第１配線、絶縁基板上に形成されていて、第１配線と絶縁状態で交差している第２配線、第１配線及び第２配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されていて、切開部によって複数の小部分に分割されていて、これら小部分の間を接続する架橋を有する画素電極、第１配線及び第２配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されていて、所定の切開部と重畳する所定の部分を有する方向制御電極を含み、画素電極の小部分の最も長い２辺は互いに平行で、方向制御電極と重畳する所定の切開部は画素電極の小部分の最も長い２辺のうちの１つを構成する、薄膜トランジスタ基板を提供する。
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【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びＴＦＴ動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 （もっと読む）

本発明は、単結晶シリコン半導体を回路駆動部及び画素アレイの製造に用いる可撓性を有する高解像度液晶表示装置などの可撓性電気光学装置及びその製造方法に関する。本発明による可撓性電気光学装置は、可撓性単結晶層の上に電子素子が形成される素子層を備える可撓性下部基板部と、前記下部基板部に組み付けられた可撓性上部基板部と、前記下部基板部と前記上部基板部との間に配設された電気光学的物質層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を解消する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および各色用画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間に、ベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青のフィルタ層ＣＦ（Ｒ）、ＣＦ（Ｇ）、ＣＦ（Ｂ）を備える液晶表示セル１１０において、各色用画素電極ｄｐｉｘＲ、ｄｐｉｘＧ、ｄｐｉｘＢと対向電極Ｅｃｏｍとのそれぞれの間隙距離ｄＢ，ｄＧ，ｄＲを異ならせ、 ｄＢ＜ｄＲ，ｄＢ＜ｄＧであり、かつ │ｄＢ−ｄＲ│≦０．４μｍ │ｄＢ−ｄＧ│≦０．４μｍにする。 （もっと読む）

【課題】各種電子デバイスの小型化（特に、小面積化）に貢献し得る接続線の形成方法、電子デバイス用基板、および、この電子デバイス用基板を備える電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】接続線の形成方法は、基板７の少なくとも一方の面に、形成される接続線８１に接続される配線パターン７１を形成する工程と、基板７の縁部７２に、基板７の両面７２１、７２２および端面７２３に亘って、導電層８を形成する工程（第１の工程）と、導電層８の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線８１に分割する工程（第２の工程）とを有している。また、導電層８を形成する工程（第１の工程）において、導電層８の少なくとも一部は、基板７を切り出す前の原板に形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、視認性に優れた多重ドメイン液晶表示装置及びそれに用いられるトランジスタ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板、絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線、絶縁基板上に第２方向に形成されていて第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線、第１信号線及び第２信号線に連結されている第１薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタが連結されている第１信号線及び第２信号線に連結されている第２薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタに連結されている第１画素電極、第２薄膜トランジスタに連結されている第２画素電極を含み、第１薄膜トランジスタの第１ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第１静電容量、第２薄膜トランジスタの第２ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第２静電容量が互いに異なる薄膜トランジスタ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】横電界の影響を軽減して、高コントラストの画像を得る。
【解決手段】第１基板１１上にはマトリクス状に画素電極１１１を形成すると共に、画素電極１１１間に、ストライプ状に信号電極１１２を形成する。一方、第２基板１２上には、カラーフィルタ１２２を形成し、カラーフィルタ上１２２上に遮光膜１２３を形成する。この遮光膜１２３上に格子状に金属膜１２１を形成する。金属膜１２１及びカラーフィルタ上に、走査電極１２５を形成する。金属膜１２１は、走査電極１２５相互間の隙間に形成される。これにより、信号電極１１２には走査電極１２５又は金属膜１２１が必ず対向する。これにより、信号電極１１２からのリーク電流は対向する走査電極１２５又は金属膜１２１に進行し、横電界の発生を抑制することができ、高コントラストの画像を得ることができる。 （もっと読む）