【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板ＴＦＴの液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極２２と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体層を薄膜トランジスターのチャネル領域として使用した場合でも薄膜トランジスターのオン／オフ比の低下やオン電流のばらつきが発生しない半導体装置の製造方法、半導体装置、該半導体装置を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスター１ｃのチャネル領域７ｃを酸化物半導体層により構成するにあたって、高抵抗の酸化物半導体層からなる半導体層７ａを用いるため、プラズマの影響によって、半導体層７ａの抵抗値が低下する問題が発生しにくい。また、半導体層７ａに接するように易酸化性金属層５ａを形成しておき、加熱工程によって、半導体層７ａ（酸化物半導体層）から易酸化性金属層５ａに酸素を移動させるため、半導体層７ａの抵抗値を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力を開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、パターニング後、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力をパターン側面を含めて開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】実質的な開口率が高くてノート型パソコンに適用可能であるとともに、表示品質がより一層良好なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】１つの画素内に透過率−印加電圧特性が相互に異なる複数の副画素領域を有する液晶表示装置において、相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、第１及び第２の基板間に封入された液晶からなる液晶層と、液晶層中に形成されて電圧印加時における液晶分子の配向方向を決めるポリマーと、副画素領域のうち透過率−印加電圧特性のしきい値電圧が最も低い副画素領域又はそれに隣接する領域に配置されて液晶層の厚さを決定するスペーサ１６１とを有する。 （もっと読む）

【課題】静電容量結合方式のタッチセンサを液晶表示装置側の基板に形成して機能内蔵することで厚みを低減した液晶表示装置は、タッチセンサ回路に液晶表示回路が近接しており、液晶駆動の電界に影響されて指に結合された静電容量の変化を高感度で検出できず、正常な機能を実現できない問題がある。
【解決手段】液晶層１１３を挟持した一対の透明基板の一方の基板１０１上にカラーフィルタ層１０７を有する横電界により液晶を駆動させる液晶表示回路を形成し、対向する他方の基板１１６において、液晶とは反対側に静電容量結合方式のタッチセンサ回路層１１７を有することで、タッチセンサ回路に液晶表示回路が近接せずに、タッチセンサの静電容量の変化を高感度で検出することが可能となる。これにより、タッチセンサとしての機能、性能を維持しつつ、機器を生産性良く実現できる静電容量結合方式タッチセンサを組み込んだ液晶表示装置を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】オン電流を低下させることなくオフ電流を低減し、画素回路やゲート駆動回路の制御に適用可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、中央部がチャネルとなる微結晶シリコン層４と、この微結晶シリコン層４上に設けられた非晶質シリコン層５とを備え、ソース電極７およびドレイン電極８を、コンタクト層６ａ、６ｂにそれぞれ接続された下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａと、この下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極７ｂの上面に形成された上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂとの２層で構成するとともに、上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂのチャネル側端部をそれぞれ下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａのチャネル側端部に対して庇状に突出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺ＴＦＴ１１０のゲート電極１２５と対向する窒化シリコン膜１８０の表面に、さらにゲート電極１９５を形成する。この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性のバラツキが少ないＴＦＴを備えた電気光学装置の製造方法及び電気光
学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電気光学装置１０の製造方法は、表示領域１２の周囲の少なくとも
１箇所に、ＴＦＴの製造時に、同時に、同条件で、同じ層構造の半導体層を備える膜厚測
定用素子Ｘ部分を形成する工程と、前記ＴＦＴのチャネルエッチング時に前記膜厚測定用
素子Ｘ部分の半導体層も同時にエッチングする工程と、得られた膜厚測定用素子Ｘの半導
体層の膜厚を測定することによって前記ＴＦＴのチャネル領域の半導体層の膜厚を求める
工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】開口率を小さくすることのない垂直配向型の薄膜トランジスタアレイ基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上に形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層を含む前記絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、前記パッシベーション層に形成されるとともに前記エッチング停止層に通ずる凹部と、前記凹部を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記凹部に対応して凹んだ画素電極と、を備え、前記エッチング停止層は、透明半導体よりなる。 （もっと読む）

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】 チャネル層に本発明の特定の積層構成を適用することで、電気的特性に優れ、且つ、組成変動に対する特性変化が小さいＴＦＴを提供する。
【解決手段】 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、
前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１のアモルファス酸化物半導体層と、ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１つの元素と、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素と、を含む第２のアモルファス酸化物半導体層を含み、前記第１のアモルファス酸化物半導体層と、前記第２のアモルファス酸化物半導体層とは組成が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第１の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第１の酸化物半導体より導電率が低い第２の酸化物半導体領域を形成することによって、第２の酸化物半導体領域は第１の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第１の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。 （もっと読む）