【課題】チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に形成されるゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上層に積層される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一部の領域の上層に、前記第１の半導体層に接して積層される酸化シリコン膜と、前記第１の半導体層の上層に前記一部の領域以外に接して積層される不純物が添加された２つの第２の半導体層と、保護膜とを有する薄膜トランジスタを備える表示装置であって、前記２つの第２の半導体層は、前記酸化シリコン膜の側面と上面の一部と接し、且つ所定の離間距離を有して前記上面で互いに対向し、前記保護膜は少なくとも前記酸化シリコン膜の前記上面のうち、前記第２の半導体層と接していない領域と接して形成され、前記酸化シリコン膜の膜厚は２００ｎｍ以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと接続するソース電極あるいはドレイン電極のスルーホールにおけるコンタクト抵抗を減少させ、表示装置の動作効率を向上させる。
【解決手段】スルーホールにおいて、ＴＦＴのソース部とソース電極８が接続している。ソース電極８は、バリヤメタル、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３の３層から形成されている。バリヤメタルは半導体層と接触する下層８１ａとＡｌ合金と接触する上層８１ｂとに分かれている。バリヤメタルの下層８１ａをスパッタリングして形成した後、熱処理し、その後、ベースメタルの上層８１ｂ、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３を連続してスパッタリングによって形成する。Ａｌ合金８２と接触するバリヤメタルの上層８１ｂは酸化されていないので、スルーホールにおけるコンタクト抵抗の上昇を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気的特性を実現できる薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、窒化膜を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも窒化膜と接する界面部に微結晶半導体層４１が形成された半導体層４と、を備え、微結晶半導体層４１は、少なくとも窒化膜との界面付近において、窒化膜からの拡散により含有された窒素よりも高濃度の酸素を含むものである。 （もっと読む）

【課題】工程中に酸化物半導体パターンの劣化が発生することを防止することができる薄膜トランジスタ基板およびそれの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板１０、前記絶縁基板１０上に形成されたゲート電極２４およびゲート絶縁膜３０、前記ゲート絶縁膜３０上に配置された酸化物半導体パターン４２、前記酸化物半導体パターン４２上に形成されたエッチング防止パターン５２、前記エッチング防止パターン５２上に形成されたソース電極６５およびドレーン電極６６を含み、前記エッチング防止パターン５２のすべての側面は前記酸化物半導体パターン４２の側面の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】表示特性を向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶層を囲むシール材を介して対向配置された素子基板と、液晶層側に凸状の形状を有する対向基板と、を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、素子基板にＴＦＴ素子を形成する工程Ｓ１１と、ＴＦＴ素子を覆うように素子基板上に層間絶縁膜を形成する工程Ｓ１２と、シール材によって囲まれる領域の少なくとも一部の層間絶縁膜の表面の高さが、シール材と平面的に重なる領域の層間絶縁膜の高さよりも低くなるようにエッチング処理を施す工程Ｓ１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの不純物添加を行うことなく閾値電圧を大きくすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極２０と酸化物半導体膜４０との仕事関数差φＭＳが大きくなり、閾値電圧Ｖｔｈが大きくなる。 （もっと読む）

【課題】周囲が薄暗い環境下でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透光性を有する領域との双方を有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】第一の電極膜に接して形成されている導電膜を有する表示装置と、その製造方法の提供。
【解決手段】ゲート電極膜と、第一の電極膜及び第二の電極膜と、第一の電極膜に接続され、第一の導電層及び第一の導電層と重ねて形成される第二の導電層を含む導電層からなる導電膜と、を備える表示装置の製造方法であって、第一の電極膜と第二の電極膜とを形成する電極膜形成工程と、導電層を第一の電極膜及び第二の電極膜に接続するように形成する導電層形成工程と、導電層のうち所定の領域以外を除去することにより、導電膜を形成する導電膜形成工程と、を含み、導電層形成工程は、第一の導電層を第一の電極膜及び第二の電極膜それぞれの上面に形成する第一の導電層形成工程と、第一の導電層の上面に第二の導電層を形成する第二の導電層形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図る。
【解決手段】 第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶層の散乱による黒表示の光漏れを低減でき、コントラスト比が高い優れた画質性能を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】一対の基板と、一対の基板に挟持された液晶層と、一対の基板の一方に形成され、液晶層に電界を印加するための電極群と、を有する液晶パネルと、一対の偏光板と、一対の基板の外側に配置する光源ユニットと、を有し、電極群は共通電極，画素電極を含み、画素電極および共通電極の一方は、櫛歯状であり、液晶層は、常光屈折率が１.４６以上１.４９以下であり、異常光屈折率が１.５４以上１.５９以下であり、平均弾性定数が１１.２×１０^-12Ｎ以上２５×１０^-12Ｎ以下であって、ネマティック相を示す液晶材料を有し、液晶パネルのコントラストは１０００以上であり、最大輝度表示に対する相対輝度５％の値と最小輝度との比で示す階調コントラスト比が少なくとも５０である液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法において、効率的なレイアウトを有する積層構造を形成することによって、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、第１の導電層（７）を形成する工程と、第１の絶縁層（１４）を介して第２の導電層（８）を形成する工程と、第２の絶縁層（１５）を形成する工程と、第１及び第２の絶縁層並びに第２の導電層を貫通するようにコンタクトホール（３３）を形成する工程と、第２の導電層のうちコンタクトホールに面する領域を酸化することで、絶縁部（８ｂ）を形成する工程と、コンタクトホールを埋めるように第３の導電層（９）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）