表示装置、および表示装置の製造方法
【課題】 表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図る。
【解決手段】 第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。
【解決手段】 第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に係わり、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、例えばＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られている。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に構成し、画素電極と対向電極とによって電界を発生させて液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際の表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、１サブピクセルの構造として、面状の対向電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する画素電極が配置された画素構造や、この逆の構成で面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造が知られている。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５は、従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭ１の現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）を形成した状態を示す図である。
【０００５】
フリンジ電界を利用したＩＰＳモードで、特に、面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造では、映像線ＤＬと画素電極（ＰＩＸ）とを同一層に形成することができるので、従来は、図５（（ａ）〜（ｅ））に示すように、映像線（ＤＬ）を形成した後に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成するプロセスとなっている。
ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが基板上に付着することがある（図５（ｂ）参照）。異物ｄｐは洗浄工程で容易に脱落し除去できるが、もしも異物ｄｐが金属膜１２からなる映像線（ＤＬ）上に付着すると（図５（ｂ）参照）、異物ｄｐが脱落した箇所において映像線（ＤＬ）が剥き出しの状態となる（図５（ｃ）参照）。
この後、図５（ｄ）に示すように、一連のホトリソグラフィ工程（レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３をパターンニングするためのホトレジスト・マスクＲＭ１を形成するが、この現像工程では浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。
そのため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり（図５（ｄ）参照）、図５（ｅ）に示すように映像線（ＤＬ）が溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、映像線上にも画素電極の形成材料として使用する透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）が残るようにすることで達成される。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。
（２）前記（１）において、前記第１の電極は、第２透明導電膜で構成され、前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜と同層の膜で構成される。
（３）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、複数のスリットを有し、前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極である。
（４）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、一端が互いに連結され他端が開放された複数本の櫛歯電極を有し、前記第１の電極は、前記複数本の櫛歯電極と重畳する面状の電極である。
（５）前記（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。
（６）前記（５）において、前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。
【０００７】
（７）第１基板を有し、前記第１基板は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置の製造方法であって、前記第１基板上に、前記映像線の前記金属膜を形成する工程１と、前記映像線の前記金属膜を含む前記第１基板上に透明導電膜を形成する工程２と、ホトリソグラフィ技術により、前記透明導電膜上に、前記映像線の前記金属膜を覆うようにレジスト膜を形成する工程３と、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜を形成する工程４とを有する。
（８）前記（７）において、前記工程３において、前記透明導電膜上に、前記第１の電極パターン状にレジスト膜を形成し、前記構成４において、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして、前記第１の電極を、前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜と一緒に形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施例である液晶表示装置において、１サブピクセルの電極構成を示す平面図である。
【図２】図１のａ−ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図３】図１のｂ−ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例である液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施例では、表示装置の一つであるＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
本実施例の液晶表示装置は、カラー表示で２４０×３２０×３程度の小型の液晶表示パネルを有するＩＰＳ方式の液晶表示装置であり、携帯電話機などの携帯機器の表示部として使用される。
図１乃至図４は、本発明の一実施例の液晶表示装置に係る図であり、
図１は、１サブピクセルの電極構成を示す平面図、
図２は、図１のａ−ａ線に沿った断面構造を示す断面図、
図３は、図１のｂ−ｂ線に沿った断面構造を示す断面図、
図４は、液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【００１１】
本実施例の液晶表示装置は、図２及び図３に示す液晶表示パネル１を備えている。液晶表示パネル１は、図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板とも言う）と第２基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板，カラーフィルタ基板とも言う）との間に、多数の液晶分子からなる液晶層（ＬＣ）を挟持した構成になっており、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面が観察者側となっている。第１及び第２基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）としては、例えばガラス等の透明な絶縁性基板が用いられている。液晶層（ＬＣ）の液晶としては、例えばポジ型液晶、或いはネガ型液晶が用いられている。
また、液晶表示パネル１は、図１に示すサブピクセル２がマトリクス状に複数配置された表示部と、この表示部の周囲に配置された周辺部とを有する構成になっている。複数のサブピクセル２の各々は、画素電極（ＰＩＸ）と、対向電極（ＣＴ）とを有している。
【００１２】
また、液晶表示パネル１は、同一平面内において互いに直交する２つの方向をＸ方向（第１の方向）とＹ方向（第２の方向）とした時、Ｘ方向に沿って延在する走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）と、Ｙ方向に沿って延在する映像線（ＤＬ）とを有している。走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、Ｙ方向に所定の間隔を置いて複数本配置され、映像線（ＤＬ）は、Ｘ方向に所定の間隔を置いて複数本配置されている。複数の走査線（ＧＬ）は複数の映像線（ＤＬ）と絶縁膜を介して交差しており、これらの走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とが交差する各交点近傍には、サブピクセル２のスイッチング素子として使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）ＴＦＴが設けられている。複数の対向電極線（ＣＴＬ）は、複数の走査線（ＧＬ）と絶縁膜を介して平面的に重畳して配置されており、複数の走査線（ＧＬ）と同様に複数の映像線（ＤＬ）と交差している。
なお、複数のサブピクセル２の各々は、Ｘ方向及びＹ方向においてマトリスク状に配置されており、Ｘ方向に沿って１列に配置された複数のサブピクセルで１表示ラインが構成され、この１表示ラインはＹ方向に複数設けられている。
【００１３】
図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面には、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）が形成され、更にこの走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うにようにしてゲート絶縁膜（ＧＩ）が形成されている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層１１、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極（ＳＤ１，ＳＤ２）が形成され、更に映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）が形成されている。ここで、本明細書では、便宜上ＳＤ１の方をソース電極と呼び、ＳＤ２の方をドレイン電極と呼ぶが、その逆の場合もある。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として機能すると共に、走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とを絶縁分離する層間絶縁膜としての機能も有する。半導体層１１は、例えばアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）からなり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル形成領域として機能する。
ソース電極（ＳＤ１）は、一部が半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、他の部分が半導体層１１の外側に引き出されている。ソース電極（ＳＤ１）の一部分は半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続され、ソース電極（ＳＤ１）の他の部分は画素電極（ＰＩＸ）と電気的にかつ機械的に接続されている。
【００１４】
ドレイン電極（ＳＤ２）は、映像線（ＤＬ）から分岐して半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続されている。ゲート電極（ＧＴ）は走査線（ＧＬ）の一部からなり、半導体層１１は下層のゲート電極（ＧＴ）と平面的に重なるように配置されている。即ち、本実施例の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面に、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）がこの順番で積層された逆スタガ型構造になっている。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）、映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）等を覆うようにして層間絶縁膜（ＰＡＳ）が形成され、この層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）が形成されている。
層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には、対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）等を覆うようにして配向膜（ＯＲ１）が形成されている。また、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ１）が配置されている。
【００１５】
図２及び図３に示すように、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶側の面には、第２基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）、赤・緑・青のカラーフィルタ（ＦＩＲ）、保護膜（ＯＣ）、配向膜（ＯＲ２）等が形成されている。また、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ２）が配置されている。
【００１６】
図１に示すように、対向電極（ＣＴ）は、対向電極線（ＣＴＬ）から分岐して一体に構成されており、対向電極線（ＣＴＬ）と電気的に接続されている。対向電極（ＣＴ）は、長尺状のスリット（ＳＬＴ）が並設して複数配置された構造になっており、スリット（ＳＬＴ）で分割された部分が対向電極（ＣＴ）の線状部分（ＣＴａ）となる。本実施例ではスリット（ＳＬＴ）の両端が閉じた構造になっているが、スリット（ＳＬＴ）の一端側が開放された構造であってもよい。この場合の対向電極（ＣＴ）は、図示していないが、一端側が互いに連結され、他端側が開放された複数の線状部分（櫛歯電極）（ＣＴａ）を有する櫛歯電極構造となる。画素電極（ＰＩＸ）は、面状で形成されている。
図２に示すように、対向電極（ＣＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）側において画素電極（ＰＩＸ）よりも上層に形成されている。対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）は、層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳、具体的には対向電極（ＣＴ）のスリット（ＳＬＴ）及び線状部分（ＣＴａ）と面状の画素電極（ＰＩＸ）とが層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳されており、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）とによって発生する電界により、液晶層（ＬＣ）の液晶を駆動して表示を行う。即ち、本実施例のサブピクセル２は、面状の画素電極（ＰＩＸ）上に絶縁膜を介して複数の線状部分（ＣＴａ）を有する対向電極（ＣＴ）が配置された構造になっている。
【００１７】
走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。対向電極（ＣＴ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成されている。
画素電極（ＰＩＸ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３で構成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。映像線（ＤＬ）は、例えばアルミニウム等の金属膜１２と、この金属膜１２を覆う、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３とで構成されている。
映像線（ＤＬ）の金属膜１２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）と同層の膜で構成されている。映像線（ＤＬ）の金属膜１２とドレイン電極（ＳＤ２）とは一体に連結し、これら映像線（ＤＬ）及びドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）とは電気的にかつ構造的に分離されている。
映像線（ＤＬ）の透明導電膜１３は、画素電極（ＰＩＸ）と同層の膜（透明導電膜１３）で構成、換言すれば画素電極（ＰＩＸ）と同一工程で形成され、画素電極（ＰＩＸ）とは電気的にかつ構造的に分離されている。
【００１８】
ここで、本実施例の映像線（ＤＬ）は、前述したように、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。このような映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るようにすることで形成できる。以下、本実施例の映像線（ＤＬ）の形成方法について、図４を用いて説明する。
同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭの現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）及び映像線（ＤＬ）を形成した状態を示す図である。
【００１９】
まず、第１基板（ＳＵＢ１）の主面（液晶層側の面）上に走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を形成し、その後、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うようにして第１基板（ＳＵＢ１）の主面上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を形成する（図４（ａ）参照）。
次に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上に例えばａ−Ｓｉからなる半導体層１１を形成し、そのこの半導体層１１を所定のパターンにパターンニングする。
次に、半導体層１１上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に、映像線（ＤＬ）や、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）等を形成するための金属膜１２を形成し、その後、金属膜１２をパターンニングして、図４（ａ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を形成する。この工程において、金属膜１２からなるソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）も形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３を形成する。この工程において、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着することがある。
次に、洗浄工程を施す。この工程において、図４（ｃ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着した異物ｄｐは容易に脱落し除去されるが、異物が脱落した箇所において映像線（ＤＬ）の金属膜１２が剥き出しの状態となる。
【００２０】
次に、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する。この工程において、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成する（図４（ｄ）参照）。
ここで、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭは、一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して形成されるが、この現像工程では、浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。従来は、図５（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭ１を形成していないため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり、図５（ｅ）に示すように映像線ＤＬが溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
これに対し、本実施例では、図４（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成しているため、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が発生したとしても、現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。
【００２１】
次に、ホトレジスト・マスクＲＭから露出している透明導電膜１３をエッチング、即ちホトレジスト・マスクＲＭのパターンに基づいて透明導電膜１３をパターンニングして、図４（ｅ）に示すように、透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成すると共に、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を覆う透明導電膜１３を形成する。この工程により、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とからなる映像線（ＤＬ）が形成される。
【００２２】
本実施例の映像線（ＤＬ）は、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。この映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンのホトレジスト・マスクＲＭとすることにより形成することができる。
このようにすることで、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部が発生したとしても現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。これにより、液晶表示装置の製造歩留まり向上及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。
更に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、導電性をもつ材料であるため、別起因で映像線（ＤＬ）の金属膜１２が断線したとしても冗長構造として働くため、断線に対するマージンが飛躍的に向上する。結果として、液晶表示装置の製造上の歩留及び製品信頼性を著しく向上することが可能になる。
【００２３】
なお、前述の実施例では、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで映像線（ＤＬ）を構成し、この映像線（ＤＬ）の金属膜１２と一体の金属膜１２でドレイン電極（ＳＤ２）を構成している。映像線（ＤＬ）と同様に、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とでドレイン電極（ＳＤ２）を構成してもよいが、ドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）との間のマージンを考慮すると、本実施例のようにドレイン電極（ＳＤ２）は金属膜１２のみで構成することが望ましい。
また、本実施例では、映像線（ＤＬ）が半導体層１１上を横切っている。このような場合、段差の緩和を考慮すると、映像線（ＤＬ）は、半導体層１１と重畳する部分１４ａ（図１参照）では金属膜１２のみの構成とし、半導体層１１と重畳しない部分１４ｂ（図１参照）では金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３との構成となるように透明導電膜１３を選択的に成形することが望ましい。
なお、前述の実施例では、表示装置として液晶表示装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置等の他の表示装置に適用することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００２４】
１ 液晶表示パネル
２ サブピクセル
１１ 半導体層
１２ 金属膜
１３ 透明導電膜
ＢＭ 遮光膜
ＣＴ 対向電極
ＤＬ 映像線（ドレイン線、ソース線）
ＦＩＲ カラーフィルタ層
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＧＬ 走査線（ゲート線）
ＧＴ ゲート電極
ＬＣ 液晶層
ＯＣ オーバーコート層
ＯＲ１，ＯＲ２ 配向膜
ＰＡＳ 層間絶縁膜
ＰＩＸ 画素電極
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２ 偏光板
ＲＭ，ＲＭ１ ホトレジスト・マスク
ＳＬＴ スリット
ＳＵＢ１ 第１基板（ＴＦＴ基板）
ＳＵＢ２ 第２基板（ＣＦ基板）
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＳＤ１ ソース電極
ＳＤ２ ドレイン電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に係わり、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、例えばＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られている。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に構成し、画素電極と対向電極とによって電界を発生させて液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際の表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、１サブピクセルの構造として、面状の対向電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する画素電極が配置された画素構造や、この逆の構成で面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造が知られている。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５は、従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭ１の現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）を形成した状態を示す図である。
【０００５】
フリンジ電界を利用したＩＰＳモードで、特に、面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造では、映像線ＤＬと画素電極（ＰＩＸ）とを同一層に形成することができるので、従来は、図５（（ａ）〜（ｅ））に示すように、映像線（ＤＬ）を形成した後に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成するプロセスとなっている。
ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが基板上に付着することがある（図５（ｂ）参照）。異物ｄｐは洗浄工程で容易に脱落し除去できるが、もしも異物ｄｐが金属膜１２からなる映像線（ＤＬ）上に付着すると（図５（ｂ）参照）、異物ｄｐが脱落した箇所において映像線（ＤＬ）が剥き出しの状態となる（図５（ｃ）参照）。
この後、図５（ｄ）に示すように、一連のホトリソグラフィ工程（レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３をパターンニングするためのホトレジスト・マスクＲＭ１を形成するが、この現像工程では浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。
そのため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり（図５（ｄ）参照）、図５（ｅ）に示すように映像線（ＤＬ）が溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、映像線上にも画素電極の形成材料として使用する透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）が残るようにすることで達成される。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。
（２）前記（１）において、前記第１の電極は、第２透明導電膜で構成され、前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜と同層の膜で構成される。
（３）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、複数のスリットを有し、前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極である。
（４）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、一端が互いに連結され他端が開放された複数本の櫛歯電極を有し、前記第１の電極は、前記複数本の櫛歯電極と重畳する面状の電極である。
（５）前記（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。
（６）前記（５）において、前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。
【０００７】
（７）第１基板を有し、前記第１基板は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置の製造方法であって、前記第１基板上に、前記映像線の前記金属膜を形成する工程１と、前記映像線の前記金属膜を含む前記第１基板上に透明導電膜を形成する工程２と、ホトリソグラフィ技術により、前記透明導電膜上に、前記映像線の前記金属膜を覆うようにレジスト膜を形成する工程３と、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜を形成する工程４とを有する。
（８）前記（７）において、前記工程３において、前記透明導電膜上に、前記第１の電極パターン状にレジスト膜を形成し、前記構成４において、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして、前記第１の電極を、前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜と一緒に形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施例である液晶表示装置において、１サブピクセルの電極構成を示す平面図である。
【図２】図１のａ−ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図３】図１のｂ−ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例である液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施例では、表示装置の一つであるＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
本実施例の液晶表示装置は、カラー表示で２４０×３２０×３程度の小型の液晶表示パネルを有するＩＰＳ方式の液晶表示装置であり、携帯電話機などの携帯機器の表示部として使用される。
図１乃至図４は、本発明の一実施例の液晶表示装置に係る図であり、
図１は、１サブピクセルの電極構成を示す平面図、
図２は、図１のａ−ａ線に沿った断面構造を示す断面図、
図３は、図１のｂ−ｂ線に沿った断面構造を示す断面図、
図４は、液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【００１１】
本実施例の液晶表示装置は、図２及び図３に示す液晶表示パネル１を備えている。液晶表示パネル１は、図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板とも言う）と第２基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板，カラーフィルタ基板とも言う）との間に、多数の液晶分子からなる液晶層（ＬＣ）を挟持した構成になっており、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面が観察者側となっている。第１及び第２基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）としては、例えばガラス等の透明な絶縁性基板が用いられている。液晶層（ＬＣ）の液晶としては、例えばポジ型液晶、或いはネガ型液晶が用いられている。
また、液晶表示パネル１は、図１に示すサブピクセル２がマトリクス状に複数配置された表示部と、この表示部の周囲に配置された周辺部とを有する構成になっている。複数のサブピクセル２の各々は、画素電極（ＰＩＸ）と、対向電極（ＣＴ）とを有している。
【００１２】
また、液晶表示パネル１は、同一平面内において互いに直交する２つの方向をＸ方向（第１の方向）とＹ方向（第２の方向）とした時、Ｘ方向に沿って延在する走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）と、Ｙ方向に沿って延在する映像線（ＤＬ）とを有している。走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、Ｙ方向に所定の間隔を置いて複数本配置され、映像線（ＤＬ）は、Ｘ方向に所定の間隔を置いて複数本配置されている。複数の走査線（ＧＬ）は複数の映像線（ＤＬ）と絶縁膜を介して交差しており、これらの走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とが交差する各交点近傍には、サブピクセル２のスイッチング素子として使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）ＴＦＴが設けられている。複数の対向電極線（ＣＴＬ）は、複数の走査線（ＧＬ）と絶縁膜を介して平面的に重畳して配置されており、複数の走査線（ＧＬ）と同様に複数の映像線（ＤＬ）と交差している。
なお、複数のサブピクセル２の各々は、Ｘ方向及びＹ方向においてマトリスク状に配置されており、Ｘ方向に沿って１列に配置された複数のサブピクセルで１表示ラインが構成され、この１表示ラインはＹ方向に複数設けられている。
【００１３】
図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面には、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）が形成され、更にこの走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うにようにしてゲート絶縁膜（ＧＩ）が形成されている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層１１、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極（ＳＤ１，ＳＤ２）が形成され、更に映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）が形成されている。ここで、本明細書では、便宜上ＳＤ１の方をソース電極と呼び、ＳＤ２の方をドレイン電極と呼ぶが、その逆の場合もある。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として機能すると共に、走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とを絶縁分離する層間絶縁膜としての機能も有する。半導体層１１は、例えばアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）からなり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル形成領域として機能する。
ソース電極（ＳＤ１）は、一部が半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、他の部分が半導体層１１の外側に引き出されている。ソース電極（ＳＤ１）の一部分は半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続され、ソース電極（ＳＤ１）の他の部分は画素電極（ＰＩＸ）と電気的にかつ機械的に接続されている。
【００１４】
ドレイン電極（ＳＤ２）は、映像線（ＤＬ）から分岐して半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続されている。ゲート電極（ＧＴ）は走査線（ＧＬ）の一部からなり、半導体層１１は下層のゲート電極（ＧＴ）と平面的に重なるように配置されている。即ち、本実施例の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面に、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）がこの順番で積層された逆スタガ型構造になっている。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）、映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）等を覆うようにして層間絶縁膜（ＰＡＳ）が形成され、この層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）が形成されている。
層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には、対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）等を覆うようにして配向膜（ＯＲ１）が形成されている。また、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ１）が配置されている。
【００１５】
図２及び図３に示すように、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶側の面には、第２基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）、赤・緑・青のカラーフィルタ（ＦＩＲ）、保護膜（ＯＣ）、配向膜（ＯＲ２）等が形成されている。また、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ２）が配置されている。
【００１６】
図１に示すように、対向電極（ＣＴ）は、対向電極線（ＣＴＬ）から分岐して一体に構成されており、対向電極線（ＣＴＬ）と電気的に接続されている。対向電極（ＣＴ）は、長尺状のスリット（ＳＬＴ）が並設して複数配置された構造になっており、スリット（ＳＬＴ）で分割された部分が対向電極（ＣＴ）の線状部分（ＣＴａ）となる。本実施例ではスリット（ＳＬＴ）の両端が閉じた構造になっているが、スリット（ＳＬＴ）の一端側が開放された構造であってもよい。この場合の対向電極（ＣＴ）は、図示していないが、一端側が互いに連結され、他端側が開放された複数の線状部分（櫛歯電極）（ＣＴａ）を有する櫛歯電極構造となる。画素電極（ＰＩＸ）は、面状で形成されている。
図２に示すように、対向電極（ＣＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）側において画素電極（ＰＩＸ）よりも上層に形成されている。対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）は、層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳、具体的には対向電極（ＣＴ）のスリット（ＳＬＴ）及び線状部分（ＣＴａ）と面状の画素電極（ＰＩＸ）とが層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳されており、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）とによって発生する電界により、液晶層（ＬＣ）の液晶を駆動して表示を行う。即ち、本実施例のサブピクセル２は、面状の画素電極（ＰＩＸ）上に絶縁膜を介して複数の線状部分（ＣＴａ）を有する対向電極（ＣＴ）が配置された構造になっている。
【００１７】
走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。対向電極（ＣＴ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成されている。
画素電極（ＰＩＸ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３で構成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。映像線（ＤＬ）は、例えばアルミニウム等の金属膜１２と、この金属膜１２を覆う、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３とで構成されている。
映像線（ＤＬ）の金属膜１２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）と同層の膜で構成されている。映像線（ＤＬ）の金属膜１２とドレイン電極（ＳＤ２）とは一体に連結し、これら映像線（ＤＬ）及びドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）とは電気的にかつ構造的に分離されている。
映像線（ＤＬ）の透明導電膜１３は、画素電極（ＰＩＸ）と同層の膜（透明導電膜１３）で構成、換言すれば画素電極（ＰＩＸ）と同一工程で形成され、画素電極（ＰＩＸ）とは電気的にかつ構造的に分離されている。
【００１８】
ここで、本実施例の映像線（ＤＬ）は、前述したように、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。このような映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るようにすることで形成できる。以下、本実施例の映像線（ＤＬ）の形成方法について、図４を用いて説明する。
同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭの現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）及び映像線（ＤＬ）を形成した状態を示す図である。
【００１９】
まず、第１基板（ＳＵＢ１）の主面（液晶層側の面）上に走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を形成し、その後、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うようにして第１基板（ＳＵＢ１）の主面上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を形成する（図４（ａ）参照）。
次に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上に例えばａ−Ｓｉからなる半導体層１１を形成し、そのこの半導体層１１を所定のパターンにパターンニングする。
次に、半導体層１１上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に、映像線（ＤＬ）や、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）等を形成するための金属膜１２を形成し、その後、金属膜１２をパターンニングして、図４（ａ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を形成する。この工程において、金属膜１２からなるソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）も形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３を形成する。この工程において、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着することがある。
次に、洗浄工程を施す。この工程において、図４（ｃ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着した異物ｄｐは容易に脱落し除去されるが、異物が脱落した箇所において映像線（ＤＬ）の金属膜１２が剥き出しの状態となる。
【００２０】
次に、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する。この工程において、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成する（図４（ｄ）参照）。
ここで、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭは、一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して形成されるが、この現像工程では、浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。従来は、図５（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭ１を形成していないため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり、図５（ｅ）に示すように映像線ＤＬが溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
これに対し、本実施例では、図４（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成しているため、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が発生したとしても、現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。
【００２１】
次に、ホトレジスト・マスクＲＭから露出している透明導電膜１３をエッチング、即ちホトレジスト・マスクＲＭのパターンに基づいて透明導電膜１３をパターンニングして、図４（ｅ）に示すように、透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成すると共に、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を覆う透明導電膜１３を形成する。この工程により、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とからなる映像線（ＤＬ）が形成される。
【００２２】
本実施例の映像線（ＤＬ）は、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。この映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンのホトレジスト・マスクＲＭとすることにより形成することができる。
このようにすることで、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部が発生したとしても現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。これにより、液晶表示装置の製造歩留まり向上及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。
更に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、導電性をもつ材料であるため、別起因で映像線（ＤＬ）の金属膜１２が断線したとしても冗長構造として働くため、断線に対するマージンが飛躍的に向上する。結果として、液晶表示装置の製造上の歩留及び製品信頼性を著しく向上することが可能になる。
【００２３】
なお、前述の実施例では、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで映像線（ＤＬ）を構成し、この映像線（ＤＬ）の金属膜１２と一体の金属膜１２でドレイン電極（ＳＤ２）を構成している。映像線（ＤＬ）と同様に、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とでドレイン電極（ＳＤ２）を構成してもよいが、ドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）との間のマージンを考慮すると、本実施例のようにドレイン電極（ＳＤ２）は金属膜１２のみで構成することが望ましい。
また、本実施例では、映像線（ＤＬ）が半導体層１１上を横切っている。このような場合、段差の緩和を考慮すると、映像線（ＤＬ）は、半導体層１１と重畳する部分１４ａ（図１参照）では金属膜１２のみの構成とし、半導体層１１と重畳しない部分１４ｂ（図１参照）では金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３との構成となるように透明導電膜１３を選択的に成形することが望ましい。
なお、前述の実施例では、表示装置として液晶表示装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置等の他の表示装置に適用することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００２４】
１ 液晶表示パネル
２ サブピクセル
１１ 半導体層
１２ 金属膜
１３ 透明導電膜
ＢＭ 遮光膜
ＣＴ 対向電極
ＤＬ 映像線（ドレイン線、ソース線）
ＦＩＲ カラーフィルタ層
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＧＬ 走査線（ゲート線）
ＧＴ ゲート電極
ＬＣ 液晶層
ＯＣ オーバーコート層
ＯＲ１，ＯＲ２ 配向膜
ＰＡＳ 層間絶縁膜
ＰＩＸ 画素電極
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２ 偏光板
ＲＭ，ＲＭ１ ホトレジスト・マスク
ＳＬＴ スリット
ＳＵＢ１ 第１基板（ＴＦＴ基板）
ＳＵＢ２ 第２基板（ＣＦ基板）
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＳＤ１ ソース電極
ＳＤ２ ドレイン電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板を有し、
前記第１基板は、映像線と、
前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、
前記映像線は、金属膜と、
前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、第２透明導電膜で構成され、
前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜と同層の膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極は、複数のスリットを有し、
前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極は、一端が互いに連結され他端が開放された複数本の櫛歯電極を有し、
前記第１の電極は、前記複数本の櫛歯電極と重畳する面状の電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示装置は、第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極は、画素電極であり、
前記第２の電極は、対向電極であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
第１基板を有し、
前記第１基板は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される映像線と、
前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第１基板上に、前記映像線の前記金属膜を形成する工程１と、
前記映像線の前記金属膜を含む前記第１基板上に透明導電膜を形成する工程２と、
ホトリソグラフィ技術により、前記透明導電膜上に、前記映像線の前記金属膜を覆うようにレジスト膜を形成する工程３と、
前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜を形成する工程４とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程３において、前記透明導電膜上に、前記第１の電極パターン状にレジスト膜を形成し、
前記工程４において、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして、前記第１の電極を、前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜と一緒に形成することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板を有し、
前記第１基板は、映像線と、
前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、
前記映像線は、金属膜と、
前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、第２透明導電膜で構成され、
前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜と同層の膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極は、複数のスリットを有し、
前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極は、一端が互いに連結され他端が開放された複数本の櫛歯電極を有し、
前記第１の電極は、前記複数本の櫛歯電極と重畳する面状の電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示装置は、第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極は、画素電極であり、
前記第２の電極は、対向電極であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
第１基板を有し、
前記第１基板は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される映像線と、
前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第１基板上に、前記映像線の前記金属膜を形成する工程１と、
前記映像線の前記金属膜を含む前記第１基板上に透明導電膜を形成する工程２と、
ホトリソグラフィ技術により、前記透明導電膜上に、前記映像線の前記金属膜を覆うようにレジスト膜を形成する工程３と、
前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜を形成する工程４とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程３において、前記透明導電膜上に、前記第１の電極パターン状にレジスト膜を形成し、
前記工程４において、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして、前記第１の電極を、前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜と一緒に形成することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１３３５５４（Ｐ２０１１−１３３５５４Ａ）
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９０８１４（Ｐ２００９−２９０８１４）
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（５０６０８７８１９）パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 (443)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（５０６０８７８１９）パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 (443)
【Ｆターム（参考）】
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