【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズが発生せず高画質を実現する。
【解決手段】基板上部にゲート電極とゲート配線を形成する段階と、第１絶縁膜を形成する段階と、アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト物質層を形成する段階と、窒化シリコン膜ＳｉＮ_xでなるバッファ層を形成する段階と、ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、アイランド上部に透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極の下部のアクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、基板の上部に第２絶縁膜を形成する段階と、第２絶縁膜とドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、高精度で平坦化を行うこと
によって好適なラビング処理を行えるようにし、高品質な画像を表示可能な電気光学装置
を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、構造物（９ａ）を形成する
構造物形成工程と、構成物上に絶縁膜（１５）を形成する絶縁膜形成工程と、構造物に重
なる領域の少なくとも一部において絶縁膜の表面に凹部（１８）を形成する凹部形成工程
と、凹部形成工程の後に、絶縁膜の表面に平坦化処理を行う平坦化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ＴＦＴで発生する光リーク電流を低減させ
る。
【解決手段】電気光学装置は、表示領域（１０ａ）に設けられた複数の画素電極（９ａ）
と、画素電極に画像信号を供給するデータ線（６ａ）と、画素電極に電気的に接続された
画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソー
スドレイン領域（１ｄ）、並びに画素電極側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースド
レイン領域間に位置するチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層
のチャネル領域にゲート絶縁膜（２ａ，２ｂ）を介して対向配置されたゲート電極（３ｂ
）とを備える。半導体層は、チャネル領域の膜厚が、画素電極側ソースドレイン領域及び
データ線側ソースドレイン領域の膜厚より薄くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶が封入される一対の基板間での短絡の虞を低減させ得る構造の液晶パネルと、そのようなパネルの構築に好適な液晶パネル用アレイ基板を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される液晶パネル用アレイ基板において、薄膜トランジスタ３０は、少なくともゲート電極３２とソース電極３６とドレイン電極３７とを備えた積層構造に形成されている。そして、基板本体（ガラス基板）１２ａは、少なくとも薄膜トランジスタ形成部分の一部において、該薄膜トランジスタ形成部分の周囲よりも凹んだ凹部９６，９７を備えており、ソース電極およびドレイン電極は、凹部内に少なくともその一部が埋設されるようにして形成されている。 （もっと読む）

【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域にタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は第１の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタの第２の端子は第２の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタのゲートは第２のトランジスタの第１の端子又は第２の端子に電気的に接続されることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第１乃至第２のトランジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気光学特性を有する電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法は、基板上に画素回路と、画素回路を駆動制御する駆動回路とを形成するステップＳ１〜ステップＳ５と、画素回路および駆動回路を構成する構造物上に第１層間絶縁膜を形成するステップＳ６と、第１層間絶縁膜の高さが他の部分に比べて高い部分の第１層間絶縁膜の表面に少なくとも１つの凹部を形成するステップＳ７と、凹部が形成された第１層間絶縁膜に平坦化処理を施すステップＳ８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】 ボトムゲート構造のTFTを有する表示装置の生産性の低下を抑えるとともに、表示特性の劣化を抑える。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタが形成された基板を有する表示パネルを備え、前記薄膜トランジスタは、前記基板の上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜の順に積層され、かつ、前記半導体膜の上にはソース電極の一部または全部およびドレイン電極の一部または全部がコンタクト膜を介して積層されており、前記コンタクト膜は、前記半導体膜と前記ソース電極との間に介在する部分および前記半導体膜と前記ドレイン電極との間に介在する部分を除いた部分が酸化されている表示装置であって、それぞれの前記コンタクト膜は、前記半導体膜と接している面の反対側が凹凸を有する曲面であり、かつ、最小膜厚が3nm以下、最大膜厚が4nm以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】サブ画素がストライプ配列された表示領域の配列方向の両端で擬色が視認される
のをできるだけ抑制することができるようにした電気光学表示装置を提供すること。
【解決手段】同色のサブ画素が一方向に直線状に配置されたサブ画素列が、他色のサブ画
素列と共にストライプ配列されてなる表示領域を有する電気光学表示装置において、表示
領域のサブ画素列の配列方向の両端に位置するそれぞれ少なくとも１列のサブ画素列の各
サブ画素の開口率を、表示領域の中央部の同色のサブ画素の開口率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタとを積層して、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を含み、第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を含み、第１のチャネル形成領域は、第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含んで構成され、絶縁層は、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置において、下部電極が画素電極の構成は、残留電荷の影響による焼き付きが生じやすいという問題点があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００の画素３０は、走査配線２と、信号配線５と、ＴＦＴのドレイン電極５１に接続された下部電極６と、この上層に保護膜７を介して配置された上部電極８とを備え、上部電極８が形成されない光透過しない領域において、下部電極６と同一電位の導電パターン５５上の保護膜７に第２コンタクトホール１２が設けられ、保護膜７が除去されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置においては、駆動回路を内蔵したＴＦＴアレイ基板１００に、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、結晶性半導体部分を含んでチャネル領域４ｃが形成される半導体層４と、チャネル領域４ｃを保護するチャネル保護膜５と、半導体層４に接続されたソース電極６及びドレイン電極７を備えたＴＦＴ、並びに、ゲート電極２と同層に形成された配線層２ａとソース電極６と同層に形成された配線層６ａを駆動回路内部においてコンタクトホール１３を介し直接接触させて接続させる配線変換部１２を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）