【課題】本発明は、安定した特性を示す金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極１と、ゲート電極１上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたドレイン電極３Ｂ，４Ｂと、ゲート絶縁膜２上にドレイン電極３Ｂ，４Ｂと隣接して設けられ、金属酸化物半導体で構成されたチャネル層５とを備え、ドレイン電極３Ｂ，４Ｂは、ゲート電極１への電圧印加によりチャネル層５に形成される反転層１０１と接触すべくゲート絶縁膜２上に設けられ、チャネル層５を構成する金属酸化物半導体よりも酸化物生成自由エネルギーが若干小さい金属酸化物半導体で構成された第１ドレイン電極３と、第１ドレイン電極３上に設けられ、金属で構成された第２ドレイン電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの光リーク電流が低減され、かつ、従来よりも少ないフォトリソフォグラフィ工程で製造することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、絶縁性基板１上に、基板１側から、ゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、互いに離間形成されたドレイン電極９及びソース電極１１と、チャネル層を含む少なくとも１層の半導体膜２１とが順次形成された薄膜トランジスタ１０１と、画素電極１０とが複数対アレイ状に形成されたものである。ドレイン電極９及びソース電極１１は、基板１側から透光性導電膜ＥＭ２と非透光性導電膜ＥＭ３とが順次積層された積層構造を有し、かつ、ドレイン電極９の透光性導電膜ＥＭ２及び／又は非透光性導電膜ＥＭ３が延設され、この延設部分により画素電極１０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】表示領域に平坦化膜が形成された配向が均一で良好な構造で、蓄積容量を小面積で大きく確保し、高開口率化できるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。
【解決手段】ソース電極１０６上の一部に、平坦化膜１０８が存在しない凹部領域１１４がある。凹部領域１１４において、透明導電膜からなる共通電極１１０が、ソース電極１０６を覆って第２蓄積容量１４２を形成している。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）

【課題】下層にＴＦＴのソース電極と接続した画素電極が配置され、絶縁膜を挟んで、上層にスリットを有するコモン電極が配置されたＩＰＳ方式液晶表示装置において、画素電極とコモン電極の導通による画素欠陥の数を低減する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に分割された画素電極１０６が形成されている。通常は分割された画素電極１０６はソース電極１０５によって接続されている。画素電極１０６の上に層間絶縁膜１０７が形成され、層間絶縁膜１０７の上にスリットを有するコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８と分割された画素電極１０６の一つが導電性異物５００によって導通した場合、その分割された画素電極１０６をソース電極１０５と分離することによって、他の分割された画素電極１０６が動作することが出来るので、１画素が完全欠陥となることを免れる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２と、金属層Ｍおよび半導体層ＡＳＩの積層部分からなる映像信号線ＤＬと、金属層Ｍおよび半導体層ＡＳＩの積層部分からなるドレイン電極ＳＤ１とが形成され、前記第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の面から重なり部５０の端部を通じて画素電極ＭＩＴの面につながる部分であるつなぎ部６０を露出させる開口部ＴＨが形成され、開口部ＴＨによって露出されたつなぎ部６０に共通電極ＣＴに形成される導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、前記第１の基板上に、映像信号線が接続される第１の電極と前記画素電極と接続される第２の電極とを含む薄膜トランジスタを形成する工程と、前記第２の電極よりも上層に第１のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン窒化膜よりも上層に有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜よりも上層に容量電極を形成する工程と、前記有機絶縁膜を形成した後に前記容量電極より上層かつ前記画素電極よりも下層に前記第１のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で第２のシリコン窒化膜を成膜する工程と、前記第２の電極上に、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜とを貫通し前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】正孔電子対と、ソース電極（ドレイン電極）付近に発生する強電界とがともに抑制されることにより、リーク電流が抑制される薄膜トランジスタ、及びそれを備える表示装置又は液晶表示装置の提供。
【解決手段】光源から光が照射されるゲート電極膜と、前記ゲート電極膜の、前記光源側との反対側に、絶縁膜を介して形成される半導体膜と、前記半導体膜に電気的に接続して形成される第１及び第２の電極膜と、前記ゲート電極膜と同一層に形成されるとともに、前記ゲート電極膜と電気的に遮断される第１の遮光膜と、を備える薄膜トランジスタであって、前記第１の遮光膜は、前記半導体膜の一部と前記光の照射方向から見て重なり合うとともに、前記第１の電極膜の少なくとも一部と、前記光の照射方向から見て重なり合う、ことを特徴とする。 （もっと読む）