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Fターム[2H092JA45]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | 素子と画素電極との接続 (3,242)

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【課題】スイッチング素子と電極とを導電接続するための開口部において、電極が破断す
ることを防止する。
【解決手段】第1透光性基板7a上に設けられドレイン電極36を備えたTFT素子21
と、ドレイン電極36から延在した接続用導電膜36bと、基板7a上に設けられてTF
T素子21及び接続用導電膜36bを覆う凹凸樹脂膜23と、接続用導電膜36b上の凹
凸樹脂膜23に開口されたコンタクトホール27と、凹凸樹脂膜23上に設けられコンタ
クトホール27を介して接続用導電膜36bに接続された画素電極25と、基板7aと凹
凸樹脂膜23の間であってコンタクトホール27に平面的に重なる位置に設けられた突部
材28とを有する液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】半透過反射型の電気光学装置において、反射表示領域と透過表示領域との間でセルギャップを異ならせる構造を形成する際の工程を簡単にし、さらにセルギャップを異ならせる構造を形成したときに色づきが発生することを防止する。
【解決手段】一対の基板7a,8aに液晶が挟持されてなり、透過表示領域Tと反射表示領域Rを有するサブ画素Dを複数備える液晶表示装置であって、基板7aのサブ画素Dの透過表示領域T及び反射表示領域Rに設けられてなる第1着色膜22と、第1着色膜22上の反射表示領域Rに設けられてなり、第1着色膜22の色と異なる色の第2着色膜23と、第2着色膜23上に設けられてなる光反射膜24とを備えた液晶表示装置である。この液晶表示装置において、液晶は、第2着色膜23を反映して、反射表示領域Rにおける厚さt0が透過表示領域Tにおける厚さt1よりも薄くなっている。 (もっと読む)


【課題】視野角特性による色変化の少ない色再現性に優れた液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置100は、一対の基板10,20間に負の誘電異方性を有する液晶からなる液晶層50を挟持してなる垂直配向型の液晶装置であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板20と液晶層50との間には段差層34が設けられており、該段差層34によって透過表示領域内には相対的に液晶層厚の厚い第1領域E1と相対的に液晶層厚の薄い第2領域E2とが形成されており、前記一対の基板10,20の液晶層側には、前記液晶51を駆動するための電極9,21がそれぞれ設けられており、その少なくとも一方の基板10側の電極9には、複数の島状部91,92と、隣接する前記島状部を互いに電気的に接続する連結部9cとが設けられており、前記電極9の連結部9cと前記段差層34の境界領域とは平面的に重なるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】 TFTの層間絶縁膜の下層にあって膜厚が薄いポリシリコン膜からなるソース領域やドレイン領域に到達するコンタクトホールを開口する際に、ポリシリコン膜を突き抜けてしまうとコンタクトホール底部にポリシリコン膜が残存しないため、接続抵抗が増大してしまう。また、保持容量の下部電極がポリシリコン膜からなる場合、該膜を低抵抗化するために高ドーズのドーピングプロセスが必要であるため、生産性を著しく低下させていた。
【解決手段】 基板1上で島状に形成されたポリシリコン膜3におけるソース領域3aおよびドレイン領域3bの少なくとも一部を覆う金属膜4を形成してから、ゲート絶縁膜5、ゲート電極6、層間絶縁膜7を形成し、金属膜4の上部にコンタクトホール8を開口する。さらに、金属膜4を形成する際に、保持容量の位置まで延在させることにより、金属膜4を保持容量の下部電極となす。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に10E4Ω以下にすることができるTFTアレイの製造方法および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置用TFTの製造方法は、TFTを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該TFT領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含んでなるものである。 (もっと読む)


【課題】駆動回路チップの個数を減らして表示装置の製造費用を節減し、表示装置の画質を向上させる。
【解決手段】行列形態に配列されており、画素電極191a,191b,191cと当該画素電極に連結されているスイッチング素子Qa,Qb,Qcを各々含む複数の画素と、スイッチング素子に連結されており、行方向に延長されていて一の画素電極行に対応する第1及び第2ゲート線G1−1,G1−2と、スイッチング素子に連結されており、列方向に延長されていて3個の画素列に対応する第1及び第2データ線D1−1,D1−2と、を有し、3個の画素列を第1乃至第3画素列とする場合、画素電極のうちの第1及び第2画素列の画素電極はスイッチング素子を通じて第1データ線と連結されており、第3画素列の画素電極はスイッチング素子を通じて第2データ線と連結されている薄膜トランジスタ表示板を備える。 (もっと読む)


【課題】 消費電力を低減することができ、また高歩留まりに製造することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶装置は、互いに交差して延びる複数の走査線3a(第1配線)及び複数のデータ線6a(第2配線)と、前記走査線3aとデータ線6aとの各交差点に対応して配列された複数の島状電極とを備えており、前記複数の島状電極のうち一部の島状電極である画素電極9が、画像表示を行う有効表示領域110aに属して表示画素111を構成する一方、他の複数の前記島状電極119が、前記有効表示領域110aの周辺に位置するダミー領域(周辺領域)110bに属してダミー素子112を構成しており、前記ダミー領域110bに属する前記島状電極119が、前記走査線3a及びデータ線6aと絶縁されている。 (もっと読む)


【課題】 液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成するためのバンクが形成されている膜パターン形成用基板やそれを用いた基板の製造コストを抑える。
【解決手段】 本発明の膜パターン形成用基板は、少なくとも一つの膜部材がバンクを成している。例えば、a−Si膜13とn+型a−Si膜15とがバンクを成している。そこへ液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成する。したがってバンク形成専用のプロセスや部材が不要になる。 (もっと読む)


【課題】液晶ディスプレイパネルにおける画素欠陥を抑制することが可能な技術を提供する。
【解決手段】対向電極と液晶を挟んで対向配置された画素電極2には、複数の貫通孔20が互いに離れて形成されている。これにより、画素電極2に異物が付着した場合には、画素電極2を部分的に除去して貫通孔20間を連通させることによって、画素電極2において異物が付着している部分を当該画素電極2から切り離すことができる。従って、導電性の異物が画素電極2に付着した場合であっても、画素電極2の除去部分を低減しつつ、画素電極2と対向電極との電気的接続を回避できる。よって、画素電極2を除去する際に電極片が生じた場合であっても、当該電極片の発生量を低減でき、当該電極片が周囲に付着することを抑制できる。その結果、新たな画素欠陥の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】複雑な駆動回路が不要であり、応答特性が優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル100は、TFT基板110と、対向基板130と、それらの間に封入された液晶からなる液晶層140とにより構成されている。1つの画素は、セルギャップが4μmに設定された領域Iと、透明絶縁膜135が形成されてセルギャップが2μmに設定された領域IIとに分割されている。領域Iでは電圧を印加すると液晶分子の配向が安定する直前に輝度が高くなる現象(オーバーシュート)が発生し、領域IIではオーバーシュートが発生しない。画素全体の応答特性では、これらの領域の応答特性を合成したものとなる。画素全体における輝度の最大値が、安定時の輝度の110%以下となるように、領域I,IIの面積比やセルギャップ等のパラメータを設定する。 (もっと読む)


【課題】 有機材料を半導体層に用いた半導体装置であって、当該半導体装置が適用される用途に拘らず、特にフレキシビリティが要求されるような用途においても好適に用いることができ、クラックや剥離等の不具合の生じ難い半導体装置を安価に提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置用基板は、基板上に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する複数の走査線と、前記複数の交差に応じて形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタに応じて形成される複数の第1の封止層と、を有し、前記各トランジスタはそれぞれ有機半導体層からなるチャネル領域を有し、 前記各第1の封止層は前記各チャネル領域のいずれかひとつを覆うように形成され、前記各第1の封止層は無機材料からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】二重セルギャップの形成に有利で、反射電極及び透明電極を同時に蒸着する従来の液晶表示装置の製造方法による問題点を改善した、新たな構造のトランジスタアレイ基板の構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、半透過型液晶表示装置で、既存の7〜8枚のマスク工程より単純な5枚のマスク工程によって、画素部の透過領域に位置し、ゲート電極と同一層に形成された透明電極を含む透過領域、及び凹凸が形成されている感光膜上に反射電極が形成された反射領域を形成することを特徴とする、半透過型トランジスタアレイ基板、その製造方法、及びこのトランジスタアレイ基板を利用した液晶表示装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流の少ない画素薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素薄膜トランジスタと、前記画素薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記画素薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、前記画素薄膜トランジスタは、半導体膜、ゲイト電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体膜はエッジを有し、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方との間に、前記半導体膜のエッジが存在せず、前記ソース電極またはドレイン電極の一方は、分岐し弧状に延長する部分を有し、前記ソース電極またはドレイン電極の他方の一部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方の、分岐し弧状に延長する部分に囲まれていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素TFT、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素TFTと端子部を有し、前記画素TFTは、Crを含有する第1の層と、AlおよびNdを含有する第2の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パッド部が狭小化した場合においても、下層の配線との電気的接続を確保しつつ、検査用触手を用いた検査を行うことができるパッド部を備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】パッド部3は、配線31と、配線31に達するコンタクトホールC1が形成された絶縁膜32と、コンタクトホールC1内および絶縁膜32上に形成された導電膜33とを有する。コンタクトホールC1は、パッド部3の領域内で複数に分割して形成されており、コンタクトホールC1の非形成領域における導電膜33により、検査用触手が接触する接触部Arを確保している。 (もっと読む)


【課題】本発明は表示素子に適用される液晶表示装置およびその方法に関し、特に工程を単純化し得る液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第1および第2基板と;前記第1基板上のゲートラインと;前記第1基板上のゲート絶縁膜と;前記ゲートラインと交叉して画素領域を限定するデータラインと;前記画素領域内の画素ホールと;前記画素領域内の前記画素ホールの前記ゲート絶縁膜上に透明導電層で形成された画素電極;およびゲート電極、ソース電極、ドレーン電極および半導体層を含む薄膜トランジスターを含み;前記半導体層は前記データライン、ソース電極およびドレーン電極を含むソースとドレーン金属パターンと重なり;前記ドレーン電極は前記半導体層から前記画素電極の上部側へ突出して前記画素電極と接続され;前記半導体層は前記半導体層が前記導電層に重なるところから除去されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特性が向上した薄膜トランジスタの製造方法、これを有する表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ100は、基板105上にゲート電極110、ゲート絶縁膜115、半導体パターン122及び半導体パターン上に相互離隔する第1及び第2導電性接合パターン127a,127b、第1バリヤーパターン131,141、ソース,ドレインパターン133,143、及び第1,第2キャッピングパターン135,145が形成されたソース,ドレイン電極130,140を含む。第1及び第2導電性接合パターン127a,127bが垂直なプロファイルを有するように形成する。 (もっと読む)


【課題】転移電圧を減少させて液晶分子の転移核形成を容易にし,電力消耗を減らして表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単位画素領域A毎に形成された薄膜トランジスタTrと,基板100上に薄膜トランジスタTrを覆って形成された絶縁膜135と,絶縁膜135上に,薄膜トランジスタTrのドレイン電極130bと接続されて,少なくとも薄膜トランジスタTrのゲート電極110上部の一部を覆うように形成された画素電極140と,画素電極140上に形成された液晶層155と,を具備し,画素電極140に段差ができて傾斜構造を有することにより,対面基板とのギャップが低減して転移電圧が減少し,液晶の配向角度が増加して転移核形成が容易になる。 (もっと読む)


【課題】 寄生容量の大きさの違いによる輝度不均一を防止できる液晶ディスプレイ装置の提供。
【解決手段】 第1基板、第2基板、及び第1基板と第2基板の間に介装された液晶層を包含する。第2基板はコモン電極線と交錯する第1導電線を包含し、交錯エリア外の第1導電線は第2基板と画素電極の間に位置し、並びに画素電極の第2基板における投影により被覆され、スイッチ素子が第1導電線と第2導電線にそれぞれ接続され、このほか、誘電層が画素電極と第2基板の間に介装され、並びに第1導電線、コモン電極線と第2導電線を被覆する。 (もっと読む)


【課題】 液晶分子の配向状態が安定して表示不良が軽減され、且つ広視野角で高コントラストの液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 液晶表示素子は、TFT基板と、CF基板と、これらの基板間に封入された負の誘電異方性を有する液晶と、TFT基板側に設けられた画素電極105と、この画素電極の周囲に形成された補助電極107とを備える。画素電極105には、画素中心部から画素周辺部に向かって形成され、1つの画素を複数のサブ画素領域に区分するスリット105aが形成されている。補助電極107bは、画素電極105のスリット105aに対応する位置に形成され、この補助電極と重畳するように透明段差膜116が形成される。各サブ画素領域の液晶は、画素電極105と補助電極107との間に印加される横電界と透明段差膜116の端部の形状とにより、それぞれのサブ画素領域の周辺からこれらのサブ画素領域の中心に向かって配向する。 (もっと読む)


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