【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に延出した第１ゲート配線及び第２ゲート配線と第２方向に延出した第１ソース配線及び第２ソース配線とで囲まれスイッチング素子とコンタクトするコンタクト位置よりも第１ゲート配線側に位置し第１方向に延出した第１主画素電極及びコンタクト位置よりも第２ゲート配線側に位置し第１方向に延出した第２主画素電極を備えコンタクト位置から第１主画素電極までの第２方向に沿った距離とコンタクト位置から第２主画素電極までの第２方向に沿った距離とが同一である画素電極を備えた第１基板と、コンタクト位置、第１ゲート配線、及び、第２ゲート配線のそれぞれの上方を通り第１方向に延出した主共通電極を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低比誘電率かつ高ＯＤ値を達成することが可能な樹脂製遮光部を有し、画素部の面積が大きく、かつ、液晶表示装置に用いた場合に、コンタクトホール内における画素電極の断線を好適に防止することが可能なスイッチング素子基板およびこれを用いた液晶表示装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたスイッチング素子と、上記基材上に設けられた画素部と、上記スイッチング素子上に形成され、上記スイッチング素子に用いられる電極上にコンタクトホールを有する樹脂製遮光部と、上記コンタクトホールの側面および端部を覆うように形成され、絶縁性を有する断線防止層とを有し、上記コンタクトホールの縦断面形状が、垂直形状または逆テーパー形状であり、上記断線防止層が、上記断線防止層の形成部分の縦断面形状が順テーパー形状となるように形成されていることを特徴とするスイッチング素子基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】画素電極の間隙からの光が駆動基板内部に到達しないようにすることにより、確実に光リークを低減する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、駆動基板５上に形成されている複数の画素電極１１の下層に配置された層間絶縁膜１５における、隣接する画素電極１１の隙間の下方の位置に、その隙間よりも広い幅の遮光埋め込み層２８が形成されている。遮光埋め込み層２８は、隣接する画素電極１１の隙間から入射しようとする光Ｂを遮光し、層間絶縁膜１５への入射を阻止するため、駆動基板５に形成されている画素回路へ光が入射することはなく、よって光リーク不良を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】金属層と金属酸化物層からなる画素電極とが接する構造を採用した場合でも、金属層と画素電極との接続抵抗の低減、および画素電極のシート抵抗の低減の双方を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａに用いた第１金属酸化物層９１および第２金属酸化物層９２のうち、下層側の第１金属酸化物層９１は酸素含有量が少ないＩＴＯ膜からなるため、ドレイン電極６ｂとの接続抵抗が低い。第２金属酸化物層９２は酸素含有量が多いＩＴＯ膜からなるため、シート抵抗が低い。かかる画素電極９ａは、ＩＴＯ膜を成膜する際、第１スパッタ工程ＳＴ１と第２スパッタ工程ＳＴ２との間でターゲットを変えず、第２スパッタ工程ＳＴ２での酸素ガス流量比を大に設定する。 （もっと読む）

【課題】最上層に共通電極が形成された横電界方式の液晶パネルの製造工程において、露光の回数を低減する。
【解決手段】ゲート配線４０は、画素電極７０と同じ材料で形成され且つ画素電極７０と同じ層に位置する下ゲート配線４０ａと、当該下ゲート配線４０ｂに積層され、透明導電材料よりも導電率の高い材料で形成された上ゲート配線４０ｂと、を含む２層構造を有している。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の輝度を無用に低下させることなく、十分な容量を備えるストレージキャパシタを実現する。
【解決手段】 液晶表示装置は、マルチドメイン垂直配向方式の液晶表示装置であって、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在している液晶層と、第１基板と第２基板の少なくとも一方に形成されている調整構造を備えている。各画素領域には、
画素電極と、第１キャパシタ電極と、第２キャパシタ電極と、第２キャパシタ電極と画素電極とを電気的に接続している相互接続部が設けられている。キャパシタ電極は、第１方向に伸びているメインボディと、メインボディの一部から第１方向と異なる方向に伸展している伸展部とを備えている。キャパシタ電極の伸展部は、調整構造と前記画素電極の縁部によって囲繞されているとともに調整構造と画素電極の縁部のなす角度が９０度未満である囲繞領域内に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射画素電極６５の上層に設けられた反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。反射画素電極６５の表面は金属膜によって形成されており、透過画素電極９１、透過共通電極９２、及び反射共通電極６６は同じ透明導電膜によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＦＦＳモードの液晶表示装置において、半透過マスクを用いることなくフォトリソグラフィー工程数を削減することができ、さらに断線を防止することができる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１上に形成されたソース配線４４と、ゲート絶縁膜１１上に形成され、ドレイン電極５の下のほぼ全面と、ソース電極４の下のほぼ全面と、ソース配線４４の下のほぼ全面と、ゲート電極の対面とに配設された半導体層２と、一部がドレイン電極５の上に直接重なり形成された画素電極６と、ソース電極４及びソース配線４４の上に、画素電極６と同じ層によって直接重なり形成された透明導電パターン６ａと、画素電極６及び透明導電パターン６ａを覆う層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させる対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】電極による可視光の反射率を向上させること。
【解決手段】半導体基板１０の上方に設けられ、液晶層３２を透過した光を反射する電極２４と、前記電極上に形成された酸化シリコン膜２６と、前記酸化シリコン膜上に形成された窒化シリコン膜２８と、を具備し、前記酸化シリコン膜の膜厚をｄ１、前記窒化シリコン膜の膜厚をｄ２としたとき、ｄ１が７０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、かつｄ２が６０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、導電層（６、７、１１、７１）と、導電層の端面の少なくとも一部を導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜（８０）とを備える。反射防止膜は、基板上で導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びにこの先端部に繋がる本体部を有し、先端部の膜厚が本体部の膜厚より薄くなるように、且つその表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の色温度の使用判別を容易にする。
【解決手段】 第１の色のカラーフィルタを有する第１画素と、第２の色のカラーフィルタを有する第２画素と、第３の色のカラーフィルタを有する第３画素を有し、前記各画素は前記カラーフィルタと対向する画素電極を有し、前記各画素電極は複数のスリットを有する表示装置であって、
前記第１画素の画素電極の外形面積は、前記第２画素の画素電極の外形面積よりも小さい。 （もっと読む）