【課題】塗布印刷法の適応のみによって形状精度良好に目的パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に樹脂パターン９を印刷形成する。樹脂パターン９上からフッ素系材料を供給することにより、樹脂パターン９の開口９ａ底部をフッ素系材料で覆った撥水性パターン１１を形成する。樹脂パターン９を除去することにより、撥水性パターン１１に開口窓１１ａを形成する。撥水性パターン１１の開口窓１１ａ内に半導体材料（パターン形成材料）を供給することにより、目的パターンとして半導体層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高画質の半透過型及び反射型の液晶表示装置を製造効率よく提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、液晶層１７を挟んで配置された第１基板１５及び第２基板１６を備え、画素の中に、入射光を表示面に向けて反射させることによって表示を行う反射領域１３を含む液晶表示装置であって、前記第１基板１５は前記画素の中に、凸部、凹部、又は開口４７を有する絶縁層３１と、前記絶縁層３１よりも前記液晶層１７の側に形成された、液晶の配向を制御する電圧を印加するための第１電極２１及び第２電極２９と、前記絶縁層３１よりも前記液晶層１７の側に形成され、入射光を表示面５５に向けて反射させる反射層４３と、を備え、前記反射層４３が、前記絶縁層３１の前記凸部、凹部、又は開口４７に応じて形成された凸部、凹部、又は段差４９を有している。 （もっと読む）

【課題】従来の液晶表示装置は、最低でも４枚以上のフォトマスクを使用してＴＦＴを作製していたため、製造コストが大きかった。
【解決手段】第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。ここで、島状の単層および島状の積層の側面に、サイドウォールを形成する。さらに、第２の多階調フォトマスクを用いた露光により第２のレジストパターンを形成し、第２の導電層および第２の半導体層をエッチングし、薄膜トランジスタ、画素電極、および接続端子を形成する。その後、第１の導電層と第２の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第３のレジストパターンを形成し、第３の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】例えば、反射型液晶装置において、液晶の焼き付き、及びフリッカ等の表示不良を低減する。
【解決手段】画素電極９ａ及び対向電極２１が相互に同じ材料（ＩＴＯ）を用いて構成されているため、画素電極９ａ及び対向電極２１の夫々と液晶との間に生じる接触電位が相互に等しくなり、液晶の焼き付き、及びフリッカ等の表示不良を低減することが可能である。加えて、接触電位の相違に起因して画素電極９ａが腐食してしまうことも低減できる。また、画素電極９ａの劣化に起因して生じる液晶の応答速度の低下、及び信頼性の低下も抑制できる。また、保持容量７０の容量値を大きく設定することも可能であるため、より一層表示性能を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用基板において十分な遮光性を有する多層配線構造を提供する。
【解決手段】画素電極と、これを駆動するためにゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、各電極の層及び各電極を接続する配線の層で構成される多層配線とを形成した表示装置用基板であって、多層配線は、第１配線層６と、その上に配された第２配線層１５と、両配線層６，１５の間に配され且つ両配線層から層間絶縁膜７，９で絶縁された金属遮光層８とを含む。第１配線層６と第２配線層１５は、層間絶縁膜７，９を貫通して形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続している。コンタクトホールは、その側壁に露出した金属遮光層８の端面を電気的に絶縁被覆するためにサイドウォール１３ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを静電気放電（ＥＳＤ）から保護するために少なくとも１つの行導体に接続されたＥＳＤ保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路２０は、行及び列導体間１５，１９に接続された横方向ダイオード２１またはゲート短絡横方向ＴＦＴ１３のどちらかを有しており、好ましくは、行及び列導体１４間に逆並列に接続された少なくとも一対のダイオードまたはＴＦＴを有する。特に、その半導体領域は、前記ダイオードまたはＴＦＴのアクティブ領域の両端に配置された２つの部分を有しており、アクティブ領域の一端における第１の部分が行導体１５に接続され、アクティブ領域の他端における第２の部分が、第１の部分の少なくとも２倍の大きさ、好ましくは10倍の大きさであるようにする。 （もっと読む）

【課題】 １つの画素が２つのスイッチング素子および２つの画素電極を有する液晶表示装置において、駆動回路の発熱量を低く抑え、かつ、画質の劣化を防ぐ。
【解決手段】 第１のスイッチング素子および前記第１のスイッチング素子に接続された第１の画素電極と、第２のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子に接続された第２の画素電極とを有する画素の集合により表示領域が設定されている液晶表示装置であって、１つの画素における前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とは、それぞれ、異なる映像信号線に接続されており、１フレーム期間中の、１つの画素の前記第１の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係と、当該１つの画素の前記第２の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係とは、一方が正極性の関係であり、他方が負極性の関係である液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成された島状の半導体層３と、ソース領域３１及びドレイン領域３２上に形成された導電パターン４と、ゲート絶縁膜５を介してチャネル領域３３の対面に配置されるゲート電極６と、層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に形成されたソース配線４４と、保護膜８と、コンタクトホール９を介してドレイン領域３２上の導電パターン４に接続する画素電極１０と、画素電極１０と同じ層によって形成され、コンタクトホール９を介してソース配線４４とソース領域３１上の導電パターン４とに接続する接続パターン１１と、を備え、導電パターン４の端部が、半導体層３のパターン端部から内側に、第１の距離ｔ２以上ずれて配置されているものである。 （もっと読む）

【課題】金属基板による寄生静電容量の発生を防止できる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ストレージ電圧を供給する複数のストレージラインを備えた画素アレイ及びストレージラインに接続される供給ラインが形成された金属基板と、ストレージ電圧を生成し、供給ラインに接続された電圧源と、を備える表示素子を提供する。ここで、金属基板は、電圧源の出力端子、供給ラインまたはストレージラインのいずれかと接続されるようにする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の画素におけるデータ線からの電磁的な干渉を低減しつつ積層構造を簡略化させる。
【解決手段】電気光学装置用基板は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なる第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域ａ’に重なる第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第１ゲート電極３ａ及び第２ゲート電極３ｂに電気的に接続されると共にＸ方向に沿って延在する走査線と、第２ゲート電極３ｂよりも下層側に配置され、データ線側ソースドレイン領域１ｄに電気的に接続されると共にＸ方向に交差するＹ方向に沿って延在するデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リペアパターンを利用したリペア工程で不良画素の下部に位置した画素と同一な動作をさせ表示品質が向上した横電界型の液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板は、第１及び第２画素領域を含む基板上に形成された第１及び第２ゲート配線と、第１ゲート配線と平行に離隔して形成された共通配線と、第１及び第２ゲート配線と交差して第１及び第２画素領域を定義するデータ配線と、第１及び第２ゲート配線及びデータ配線に連結され、それぞれ第１及び第２画素領域に位置する第１及び第２薄膜トランジスタと、第１薄膜トランジスタから第２画素領域に延長されたリペアパターンと、第２画素領域に位置して第２薄膜トランジスタに連結され、リペアパターンと重なる第１画素パターンとを備えている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とＡｌ合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とＡｌ合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Ａｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜０．５原子％含有し、Ｇｄおよび／またはＬａを合計で０．０５〜０．４５原子％含有する表示デバイス用Ａｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ画像構造及びその製造方法を提供する。３回のレジストマスキングで薄膜トランジスタを形成し、アレイ形成工程のコスト及び設備の使用時間を削減し、生産率を向上する。
【解決手段】基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、ゲートライン及びゲート電極上に形成された第１のゲート絶縁層、活性層及びドップト層と、ドップト層に形成されたデータライン、第１のソース・ドレイン電極及び第２のソース・ドレイン電極とを含む。第１のソース・ドレイン電極と第２のソース・ドレイン電極は離間し、データラインは第１のソース・ドレイン電極に接続する。ゲートラインに、その上のドップト層及び活性層を分断する分断溝が形成され、第２の絶縁層はその分断溝とゲートライン及びゲート電極以外のガラス基板を覆うように配置され、画素電極は第２のソース・ドレイン電極と一体となるように第２の絶縁層上に形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性印刷回路基板と薄膜トランジスタ基板の連結部の金属の露出面積を最少化して腐蝕に対する余裕（ｍａｒｇｉｎ）を向上させ製品の安定な信頼性を確保することのできる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、ゲート線端部を含むゲート線と、前記ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体層と、前記半導体層上に形成されるデータ線及びドレイン電極と、前記データ線及び前記ドレイン電極上に形成され、前記ゲート線端部を露出させる複数の第１接触孔を有する保護膜と、前記ドレイン電極と接続される画素電極と、前記複数の第１接触孔を通じて前記ゲート線端部と接続される接触補助部材とを有し、前記ゲート線端部の各々は少なくとも２つ以上の前記第１接触孔を通じて前記接触補助部材各々と接続される。 （もっと読む）

【課題】表示ムラを抑制しつつ生産性を向上し低コスト化したディスプレイ基板およびディスプレイ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施例のディスプレイ基板１０によれば、上側絶縁層３０が画素配線１８上に積層され、その上側絶縁層３０上に画素電極２０が形成される。また、下側絶縁層２８がゲート線１２およびデータ線１４上に積層され、その下側絶縁層２８上に画素配線１８が形成される。したがって、ゲート線１２、データ線１４、および画素電極２０の配置に拘わらず、下側絶縁層２８と上側絶縁層３０との間において画素配線１８を自由に配線できる。よって、多数の画素配線１８を配設できるので、１つのチップ１６で制御できる画素電極２０の数が増加する。その結果、チップ１６の使用数が低減し、生産性が向上し低コスト化することができる。 （もっと読む）

【課題】高精細化されておりながら画素容量が大きくてクロストークやフリッカが少なく
、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】平行に設けられた複数の走査線１２及びコモン配線１３と、走査線１２と直
交する方向に設けられた複数の信号線１７と、走査線１２及び信号線１７の交差部近傍に
設けられたＴＦＴと、複数の走査線１２及び信号線１７で区画された領域に形成された共
通電極１４と、共通電極１４上に設けられた絶縁膜を介して形成された画素電極２１と、
画素電極２１に設けられた複数のスリット２０と、を有するＦＦＳモードの液晶表示パネ
ルにおいて、前記絶縁膜は複層構造を有し、ＴＦＴのドレイン電極Ｄの画素容量形成領域
Ｄ１が複層構造の絶縁膜間を共通電極１４の周縁に沿って形成され、画素電極２１はドレ
イン電極Ｄとコンタクトホール１９を経て電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置を提供
する。
【解決手段】互いに対向し液晶層７を挟持する第１基板４及び第２基板５と、第１基板４
上に設けられたスイッチング素子２１と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２
１のドレイン電極端子３５と同じ層に設けられ、該ドレイン電極端子３５と接続された画
素電極２２と、スイッチング素子２１及び画素電極２２を覆って第１基板４上に設けられ
た絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた共通電極２４とを有する液晶装置である。画
素電極２２と共通電極２４との間に横斜め電界Ｅが形成され、この横斜め電界Ｅによって
液晶分子が基板水平面内で配向制御される。共通電極２４はベタ状態の電極であり、開口
率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は高開口率構造の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に位置して相互に離隔するように位置する第１、第２ゲート配線と；前記第１、第２ゲート配線間で前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する共通配線と；前記共通配線を基準に前記第１、第２ゲート配線と交差して第１、第２画素領域を定義するデータ配線と；前記第１ゲート配線及びデータ配線の交差地点及び前記第２ゲート配線及びデータ配線の交差地点に各々形成された第１、第２薄膜トランジスタと；前記第１画素領域で前記第１薄膜トランジスタに連結される第１画素電極と；前記第２画素領域で前記第２薄膜トランジスタに連結される第２画素電極を含み、前記第１、第２画素電極は前記共通配線を基準に対称状であって、前記第１、第２画素電極各々の前記共通配線と隣接した端側部は前記共通配線と重なる液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 （もっと読む）