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Fターム[2H092JB11]の内容

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【課題】液晶表示装置においてディスクリネーションを抑制することである。
【解決手段】同一基板上に上部電極層と下部電極層とが形成された液晶表示装置において、上部電極層である画素電極のスリット61のエッジ部分においてディスクリネーションが生じる領域(D)71は、スリット61の長辺がラビング方向R−Rを基準にして、スリット61の長辺がなす角度αの方向を正方向として、ラビング方向R−Rに対するエッジ部分の接線方向のなす角度βが0°と−90°との間の領域である。この領域(D)71において、横方向電界を生じさせないためには、スリット61の形状はそのままにして、下部電極層である画素電極において、領域(D)71に対応する部分を除去する。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、TFT基板に、走査
線11aとデータ線6aとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線11aとデータ線6aとの交差領域80に、TFT30の半導体層1が設けられてお
り、対向基板に、TFT30を遮光する、半導体層1と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のBM25が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶分子の配向を制御するスリット38aを有する画素電極38を使用した液晶表示装置において、画素電極38のデータバスライン16a側の縁部のスリット38aとデータバスライン16aとのなす角度を、画素電極38の他の部分のスリット38aとデータバスライン16aとのなす角度よりも小さくする。 (もっと読む)


【課題】ダミー電極の配設密度が不均一であるために発生する表示不良を防止した液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】周辺シール材を介して貼り合わされた第1透明基板と第2透明基板を有し、第1透明基板は表示領域にドットマトリクス表示用のコモン電極10及び表示領域と周辺シール材間の非表示領域にコモン電極10に連なる引き廻し配線11を形成し、第2透明基板には表示領域にセグメント電極20及び非表示領域にセグメント電極20に連なる引き廻し配線21が形成する。両基板の非表示領域内で引き廻し配線11,21が形成されない部分にはそれぞれ電極10,20とほぼ同厚のダミー電極を所定の配置をもって互いに接することなく多数形成し、更に第2透明基板のダミー電極30は非表示領域内で細密かつ均一な配設密度となるようにパターン配置する。 (もっと読む)


【課題】各画素の液晶分子を電圧の印加により安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】一対の基板1,2の内面のうちの一方の基板1の内面に、複数の画素電極3と、複数のTFTと、複数の走査線及び信号線と、複数の画素電極3のそれぞれの中央部に対応させて設けられた複数の凸部13とを設け、他方の基板2の内面に対向電極20を設け、一対の基板1,2の内面それぞれに垂直配向膜25,26を設け、一対の基板1,2間の間隙に、負の誘電異方性を有する液晶層27を封入した。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第1の層を形成し、第1の層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に透光性を有する層を形成し、透光性を有する層側から光吸収層に選択的にレーザビームを照射する。光吸収層がレーザビームのエネルギーを吸収することで、光吸収層内における気体の放出、光吸収層の昇華または蒸発等により、光吸収層の一部および光吸収層に接する透光性を有する層の一部を除去する。残存する透光性を有する層または光吸収層をマスクとして用いて、第1の層をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第1の層を所望の場所で所望の形状に加工することができる。 (もっと読む)


【課題】 高速応答可能な強誘電性液晶の電圧無印加状態における表示ムラを低減して信頼性に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置される複数の画素電極6と、この画素電極6をそれぞれ駆動するスイッチング素子10が形成されるシリコン回路基板2と、このシリコン回路基板2に対向する透明導電膜からなる対向電極16が形成されるガラス基板3とを有し、シリコン回路基板2とガラス基板3の間に強誘電性液晶17を封入し、画素電極6と強誘電性液晶17との間に、電荷を蓄積するメモリ素子20を具備し、このメモリ素子20によって強誘電性液晶17に所定の電圧が印加される構成とした。 (もっと読む)


【課題】放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置50は、液晶パネル60と、液晶パネル60に接続された外部回路80と、を備えている。液晶パネル60は、対向する回路基板と対向基板とが対向基板の周縁に沿って設けられたシール310によって貼り合わされて構成されている。回路基板は、周辺領域に設けられた配線122と、配線122を覆う絶縁部と、配線122に接続されシール310よりも外側へ張り出した導電性の張り出し部126と、を含んで構成されている。配線122および張り出し部126は液晶パネル60を駆動する回路とは独立して設けられている。張り出し部126は配線122を介して外部回路80の接地電位に接続されている。 (もっと読む)


【課題】垂直配向分割モードの液晶表示素子において、実効的開口率を低下させることなく、広視野角を実現する。
【解決手段】画素電極1が形成されている駆動基板2と、それに対向する対向電極3が形成されている対向基板4と、駆動基板2と対向基板4の間に挟まれた液晶からなる液晶表示素子であって、画素電極1にスリット7又は切れ込み8が形成され、スリット7又は切れ込み8により区分された画素電極1の各領域に対応して、対向基板4に突起物6等の核が設けられる。 (もっと読む)


【課題】放電による動作不具合を防止可能な液晶パネルを提供することである。
【解決手段】液晶パネル60は、対向する回路基板100と対向基板200とが対向基板200の周縁に沿って設けられたシール310によって貼り合わされて構成されている。対向基板200は、シール310に対向しシール310よりも内側および外側に延在した導電性の対向導電層218を含んで構成されている。対向導電層218はシール310に対向する位置にスリット220を有している。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、光センサをパネル基板に組み込む際に、光センサから導出され
る出力が周辺回路の影響を受けないようにしてセンサ感度をよくした液晶表示装置を提供
すること。
【解決手段】TFT基板2と共通電極12及びカラーフィルタ並びにブラックマトリクス
11を有するCF基板10との間に液晶層が形成された液晶表示パネルと、TFT光セン
サを有する光検知部LSとを備え、TFT基板2上に、光検知部LS、この光検知部LS
へ電源を供給する電源線L及び光検知部LSからの出力を導出する出力線Lを設け、C
F基板10は、アクティブマトリクス基板2に配設した出力線Lの真上部分に共通電極
12及びブラックマトリクス11を除去した除去領域Sが形成されている。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、TFTアレイ基板10上に、複数のデータ線6a及び複数の走査線3aの交差に対応して設けられた画素電極9aと、Y方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域1a´、データ線側ソースドレイン領域1d、画素電極側ソースドレイン領域1e、データ線側LDD領域1b及び画素電極側LDD領域1cを有する半導体層1aを含むTFT30とを備える。更に、半導体層1aよりも上層側に配置され、画素電極側LDD領域1cに沿った長手状の溝810が掘られた層間絶縁膜41と、層間絶縁膜41上に設けられ、半導体層1aに部分的に重なると共に溝810内に形成された溝内部分70tを有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量70とを備える。 (もっと読む)


【課題】開口率を向上させると共に補助容量を大きくした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1の基板10Aに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜12B、ゲート電極2、層間絶縁膜12C、映像線Dとソース電極4とをこの順で積層する。層間絶縁膜12Cは高誘電体微粒子またはゾルゲルを少なくとも含む比誘電率4.0以上の塗布型透明絶縁膜で形成される。ゲート絶縁膜12Bに第1のスルーホールSH3を有し、第1のスルーホールSH3内の層間絶縁膜12Cに第2のスルーホールSH4を形成し、ソース電極4を第2のスルーホールSH4を介してアクティブ素子に電気的に接続し、ゲート電極2と映像線Dとソース電極4および層間絶縁膜12Cで保持容量を構成する。 (もっと読む)


【課題】配向が均一で黒表示での光漏れがなく、開口率が大きく白表示での輝度が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素表示領域には、櫛歯状の画素電極105及び共通電極106が、交互に形成される。共通電極106は、絶縁層上に透明電極で形成され、画素電極105は、絶縁層下に金属で形成されている。制御電極124は、画素電極105上層側に透明電極で形成され、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して、画素電極105と接続している。共通電極106と制御電極124の間では、放射状の電界が発生する。液晶ダイレクタ108は、この放射状の電界によって、制御電極を中心に、対称な方向に回転制御される。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、積層構造の複雑化や開口率の低下を招かずに、電気光学物質の配向不良に起因した表示上の不具合の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、第1基板(10)及び第2基板(20)間に電気光学物質(50)が挟持されてなり、第1基板上における画素領域(10a)に、X方向に延びる第1間隙領域(D1)と、X方向に交差するY方向に延びる第2間隙領域(D2)と、を隔てて相互に配置されることで、マトリクス状に配列された複数の画素電極(9a)とを備える。更に、第2基板上に、画素電極と対向配置された対向電極(21)と、複数の画素電極よりも層間絶縁膜(43)を介して下層側に配置され、第1及び第2間隙領域内の少なくとも一部に設けられると共に所定電位が供給される導電膜(6ax)とを備える。 (もっと読む)


【課題】見切り領域の層間膜の表面に透明電極を形成する際に静電気保護回路の最終工程を行わせることができる液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル10は、アレイ基板11の表示領域14の周囲に反射板37a及び連続的に形成された透明電極38aを備えた装飾用反射部(見切り領域)34が設けられ、見切り領域34に対応する位置の透明基板上13には静電気保護回路45が配置され、静電気保護回路45の静電コンタクト24は画素電極26及び透明電極38aと同じ材料からなる透明導電性材料38'によって形成されているとともに、この静電コンタクト24上の前記層間膜23には開口が設けられ、静電気保護回路45に対向する位置の対向基板12には遮光膜46が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な画像を表示可能な反射表示機能を有した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素を備えた液晶表示装置であって、
各画素において基板主面から突出した複数の凸部CPが規則的に配列してなる反射パターンRPを有し、凸部CPのそれぞれは基板主面の面内に長軸を有するような形状であり、第1画素PX1における第1反射パターンRP1は、この第1画素に隣接する第2画素PX2における第2反射パターンRP2とは異なることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】共通電圧Vcom分布を一定にし、TFTのWの増加及び表示むらの発生を抑え、表示品質の向上を図ることができる。
【解決手段】ゲート線1とデータ線2とが互いに交差して画素領域が定義される液晶表示装置であって、画素領域のゲート線1とデータ線2との交差部近傍に設けられ、ゲート電極とデータ線2に接続されたドレイン電極7と、画素電極に接続されたソース電極6とを有するTFTと、画素領域に設けられ、ソース電極6に接続された負荷容量8と、ソース電極6と負荷容量8とを接続している接続部6a及びデータ線2に対して並行に配置され、負荷容量8から延設された信号線延長部分40とを備え、接続部6aからそれに最寄りのデータ線2までの距離Cと、信号線延長部分40からそれに最寄りのデータ線2までの距離Dとが一致している。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスを煩雑化させることなく、画素の狭ピッチ化や高開口率化を実現することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極11とトランジスタの半導体層12とは、データ線6と同層の第1中継電極層16と、固定電極層17と同層の第2中継電極層18とを介して電気的に接続され、固定電極層17は、遮光性を備え、第1の方向で隣り合うデータ線の間で分断され、この分断部分に第2中継電極層18が形成されている。固定電極層17において第1の方向に延設された部分の第2の方向の線幅は、第2の方向のうち第2中継電極層18にコンタクトホールを介して接続された画素電極11が配置されている画素側において、第2中継電極層18における第2の方向の線幅よりも狭い。蓄積容量の一方の電極13と前記固定電極層17とは、前記データ線6と同層の容量中継電極層を介して電気的に接続されている電気光学装置。 (もっと読む)


【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜54は、TFTアレイ基板10上において、画像表示領域10aの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜53が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路101及び引き回し配線90は、遮光膜54に覆われている。引回配線90は、外部回接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、及び上下導通端子106等とを電気的に接続している。遮光膜54は、額縁遮光膜53によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜53及び額縁遮光膜54によってTFTアレイ基板1側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 (もっと読む)


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