【課題】デルタ配列において、画素電極とソースバスラインとの間の寄生容量を低減可能な表示装置を実現する。
【解決手段】蛇行し凹部領域を備える複数のソースバスラインと、該複数のソースバスラインを覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、上記凹部領域に少なくとも一部分が配置される複数の画素電極を含む表示装置において、上記複数の画素電極の内の一つの画素電極２１に注目したとき、画素電極２１と、該画素電極２１にデータ信号を印加する第一のソースバスラインとの間に形成される容量をＣｓｄ１とし、画素電極２１と、上記第一のソースバスラインと隣り合うソースバスラインであって画素電極２１の上記第一のソースバスライン配置側とは反対側に配置される第二のソースバスラインとの間に形成される容量をＣｓｄ２としたときに、Ｃｓｄ２がＣｓｄ１より小さい。 （もっと読む）

【課題】補助容量ラインの低抵抗化と遮光性向上とを両立すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、液晶画素を駆動する液晶駆動素子Ｔｒと、液晶駆動素子Ｔｒを介して送られる画像信号を保持する補助容量素子Ｃｓと、共通電位と複数の補助容量素子Ｃｓとを接続する補助容量ラインＣｓＬと、補助容量ラインＣｓＬと電気的に導通し補助容量ラインＣｓＬの抵抗値を下げる第１の層である低抵抗層２１と、第１の層上に補助容量ラインＣｓＬを覆う状態に形成された第１の層より低い反射率の第２の層である遮光層２２とから構成される二層遮光膜２とを備えているものである。 （もっと読む）

【課題】データ線と画素電極の間の空間によってデータ線周囲に光漏れが発生することを防止し、画質不良を改善した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されて第１の方向に伸びている多数のゲート線と、多数のゲート線と電気絶縁状態で交差して画素を限定し、第２の方向に伸びている多数のデータ線と、ゲート線とデータ線との交差部に画素毎に形成されている薄膜トランジスタと、データ線と平行に配列され、全ての画素について互いに電気的に接続され、外部と電気的にフローティングされているフローティングパターンと、画素毎に形成されて薄膜トランジスタと接続され、フローティングパターンの少なくとも一部分と重畳する画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に第１の接合領域及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）を含むトランジスタを形成する工程と、半導体層よりも上層側に、層間絶縁膜（４１）を積層する工程と、この層間絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、蓄積容量（７０）と半導体層の画素電極線側ソースドレイン領域とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔すると共に、第２の接合領域に沿った長手状の溝（８１０）を掘る工程とを含む。更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】画素毎の開口領域に形成され、該開口領域を互いに隔てる非開口領域に延在する第２部分９ａｂを有する画素電極９ａと、非開口領域に形成され、画素電極９ａと接続された下部容量電極７１と、Ｘ方向に沿って延びる非開口領域Ｄ１にＸ方向に沿って形成され、下部容量電極７１より上層側に配置された容量線３００と、容量線３００より上層側であって画素電極９ａより下層側に配置され、下部容量電極７１とコンタクトホール８４を介して接続されると共に第２部分９ａｂとコンタクトホール８５を介して接続された中継層９３とを備える。更に、コンタクトホール８４及び８５は、非開口領域Ｄ１において、互いに重ならないようにＹ方向にずれて配置され、容量線３００は、コンタクトホール８４を避けるように切り欠かれてなる凹部３１０を有する。 （もっと読む）

【課題】側面視認性を改善しつつ透過率を高めることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ｎ番目ゲートライン１２２と少なくとも一部分がオーバーラップされ、第１ソース電極１６５と離隔されている第１ドレイン電極１６６及び第２ドレイン電極１６７と、第１ドレイン電極１６６と電気的に連結される第１サブ画素電極１８１と、第２ドレイン電極と電気的に連結される第２サブ画素電極１８２と、ｎ＋１番目ゲートライン１２２と少なくとも一部分がオーバーラップされ、第２サブ画素電極１８２と電気的に連結されている第２ソース電極１６８と、ｎ＋１番目ゲートライン１２２と少なくとも一部分がオーバーラップされると共に、第２ソース電極１６８と離隔されて形成され、第１サブ画素電極１８１の充電電圧を上昇させて第２サブ画素電極１８２の充電電圧を下降させる第３ドレイン電極１６９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】面積階調の設計自由度を大幅に改善し、開口率を向上した表示装置を提供する。
【解決手段】１画素を面積の異なる複数のサブ画素で構成し、面積階調で画像を表示する表示装置であって、前記複数のサブ画素の各サブ画素を構成する画素電極と、前記画素電極に映像信号を供給するデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に形成されたシールド電極と、前記データ線と前記シールド電極との間に形成された第１の絶縁膜と、前記画素電極と前記シールド電極との間に形成された第２の絶縁膜とを有し、少なくとも１つの画素電極は、前記データ線によって区画される一方の領域から、前記データ線を跨いで、前記データ線によって区画される他方の領域にまで及ぶ形状を有するとともに、前記画素電極が前記データ線を跨ぐ領域では、前記画素電極と前記データ線との間に、前記シールド電極と、前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜とが、前記画素電極及び前記データ線に重畳して配置されている。 （もっと読む）

【課題】開口率が高く且つ段差も不要な反射透過併用型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、透明な画素電極１２が形成された駆動基板と、対向電極が形成された対向基板と、駆動基板と対向基板との間に配され基板に対して垂直に配向する液晶とからなる。駆動基板は、画素電極１２の下方に配された画素容量６と、画素電極１２及び画素容量６に信号電圧を書き込む画素トランジスタとが形成されている。画素電極１２は液晶を分割的に垂直配向する為のスリット３１が画素容量６の上に形成されている。画素容量６は、光を反射する電極６２を有して反射領域を形成する。液晶は、反射領域にある部分の厚みが、反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、装置の高密度化・小型化を実現しつつ、データ線に沿った表示ムラ等のない高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに交差するデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）及び画素スイッチング素子（３０）と、画素電極に電気的に接続されており、下側電極（７１）、誘電体膜（７５）及び上側電極（３００ａ）が下層側から順に積層されると共に下側電極及び上側電極の少なくとも一方が低抵抗膜からなる蓄積容量（７０）とを備える。更に、この蓄積容量と同一の積層構造を有すると共に、データ線に電気的に接続された付加容量（Ｃａ（ｉ）―ｋ）を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、データドライブ集積回路の数を減らし、データラインの負荷を低減するようにする液晶表示装置と、その駆動方法に関する。
【解決手段】液晶表示装置は、データ電圧が供給される第１データライン；画素列を介して前記第１データラインから離隔され、上段と下段で前記第１データラインと接続され、前記データ電圧が供給される第２データライン；前記第１及び第２データラインに交差し、第１スキャンパルスが供給される第１ゲートライン；前記第１及び第２データラインに交差し、第２スキャンパルスが供給される第２ゲートライン；前記第１スキャンパルスに応じて、前記第１データラインからの前記データ電圧を奇数画素列の画素電極に供給する第１スイッチ素子；前記第２スキャンパルスに応じて、前記第２データラインからの前記データ電圧を偶数画素列の画素電極に供給する第２スイッチ素子を備える。 （もっと読む）

【課題】表と裏の両面において表示を行うことができる液晶装置を薄く形成する。
【解決手段】互いに対向する基板４と基板５と、基板４と基板５との間に挟持された液晶
層７と、基板５に選択的に設けられるとともに、基板４側から入射した外部光Ｌ０を反射
させる光反射膜２４と、基板５の光反射膜２４が設けられていない領域に対応して、基板
４の液晶層７側とは反対側に設けられるとともに、基板５へ向けて光Ｌ１を発光する発光
層１３とを備える液晶装置である。 （もっと読む）

【課題】 マルチドメイン型VANモードを用いた液晶表示素子において、焼き付きを生じることなく階調視角特性を改善し、広い視野角と良好な表示品位を実現する。
【解決手段】 基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層を具備し、画素電極２７Ａ、２７Ｂ上部及び共通電極１１の上部に、各々電気的に容量を形成するために対向して設けられた第１の誘電体層２０および第２の誘電体層２１からなる。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】映像信号線と、画素電極と、第１の電極が前記映像信号線に接続され第２の電極が薄膜トランジスタと、第１のシリコン窒化膜と、有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜よりも上層に形成された容量電極と、前記容量電極よりも上層で前記画素電極よりも下層に形成された第２のシリコン窒化膜とを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記第１のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で成膜された膜であり、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は、両者を一括でドライエッチして形成したコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールを介して前記第２の電極と前記画素電極とが接続されており、前記容量電極には、前記画素電極とは異なる電位が印加されており、前記画素電極と前記第２のシリコン窒化膜と前記容量電極とによって保持容量を構成している。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流の発生によって、画像の保持特性が低下することと、反転駆動時においてフリッカや残像が発生することとを防止し、画像品質を向上する。
【解決手段】画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 （もっと読む）

【課題】マルチドメイン液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明は一種のマルチドメイン液晶表示装置である、複数の第１と第２画像素子と、複数の第１と第２補助電極を有し、第１と第２画像素子は反転駆動タイミング制御において、同一フレームは反対の極性を有する。複数の第１補助電極を第１画像素子に連結し、複数の第２補助電極を第２画像素子に連結する。そのうち、各第１と第２画像素子はそれぞれ第２と第１補助電極の一つ以上の局部的に囲まれて、フリンジ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】透過表示と反射表示における優れた表示品位が液晶層の段差無しに得られる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】反射電極１３２が配置されていない部分では、反射電極１３２の端部１３２ａと対向電極１７３との間の電界により液晶分子１９０が配列する。反射電極１３２が配置されている部分や透過表示部２０に比べ、反射電極１３２が配置されていない部分では、液晶分子１９０の傾きが異なるので、反射表示部１０での表示を行うための光に与えられる位相差と、透過表示部２０での表示を行うための光に与えられる位相差とを等しくできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は寄生キャパシタンスの偏差による垂直クロストークを防止できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は第１及び第２階調領域に分割された各サブ画素領域のうち前記第１階調領域に形成された第１画素電極と、前記第１画素電極で取り囲まれた前記第２階調領域に第１画素電極と分離して形成された第２画素電極を具備する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、Ｘ方向に沿って延在する走査線３ａと、走査線３ａにゲートが接続されたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０よりも上層側に配置されており、下側電極７１、誘電体膜７５及び上側電極３００ａが下層側から順に積層されてなる蓄積容量７０とを備える。更に、蓄積容量７０よりも上層側に配置されており、蓄積容量７０とＴＦＴ３０のドレインとに接続された画素電極９ａと、ＴＦＴ３０よりも下層側に配置されており、ＴＦＴ３０のソースに接続され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に対向する領域を少なくとも部分的に含むようにＹ方向に沿って延在すると共に導電性遮光膜を含んでなるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】画面の接触の有無及び接触位置を正確に感知し、消費電力を減らすことのできる液晶表示装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】複数の感知データ線と、圧力によって静電容量が変化し前記感知データ線に接続される複数の可変キャパシタと、前記感知データ線に接続される複数の基準キャパシタとを有する液晶表示板組立体と、前記液晶表示板組立体とは別に形成され、前記感知データ線の各々に接続され、前記感知データ線に流れる感知データ信号に基づいて出力信号を生成する複数の感知信号出力部とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素部を構成するＣｓ配線とソース配線との間の寄生容量を小さくし、クロストークに強い特性を得るとともに、開口率を上げてＬＣＤの輝度を増大させる。
【解決手段】ソース配線上に、このソース配線を覆うようにＣｓ配線を配置し、Ｃｓ配線上に、一部が重畳するように画素電極を配置形成し、ソース配線と画素電極との距離を小さくすることで、開口率を向上させる。ソース配線、Ｃｓ配線、画素電極が順次積層された構造とすることによって、ソース配線と画素電極との間に生じる寄生容量を低減するとともに、蓄積容量を確保する。さらに、Ｃｓ配線を、ゲート配線上に配置することなく、ゲート配線方向に配置し、ソース配線上に配置されたＣｓ配線とで、メッシュ状のＣｓ配線を形成して、Ｃｓ配線の低抵抗化を図り、冗長性を向上させる。 （もっと読む）