【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線、ゲート線と交差するデータ線、ゲート線及びデータ線と分離されている蓄積電極、それぞれのゲート線及びデータ線に接続され、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ、ドレイン電極に接続されている画素電極、薄膜トランジスタを覆い、画素電極下部に配置されている第１絶縁膜、下部絶縁膜上部に形成され、蓄積電極に対応する部分で下部絶縁膜を露出させる開口部を有する第２絶縁膜を備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の開口率を減少させずに、充分な保持容量を得ることができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、第１導電性不純物でドーピングされている複数のソース領域及びドレイン領域、第２導電性不純物でドーピングされている高濃度ドーピング領域、不純物がドーピングされていない維持領域並びにチャネル領域を有する半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、維持領域と重畳する維持電極を有する維持電極線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域またはドレイン領域に接続されているデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域またはドレイン領域及び高濃度ドーピング領域に接続されているドレイン電極と、ドレイン電極に接続されている画素電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された走査配線１１と、走査配線１１に交差する信号配線１３と、走査配線１１に印加される信号に応答して動作する薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１３と電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。信号配線１２は、薄膜トランジスタ１４を覆う層間絶縁膜１２上にソース電極１４Ｓおよびドレイン電極１４Ｄとは異なる導電層から形成され、且つ、層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール１２’を介してソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極における少なくとも前記画素電極に対向する表面が凹凸状に構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、一対の基板と、該一対の基板に狭持される電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続された二端子型非線形素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２と、前記電気光学物質を駆動する駆動ＩＣと、前記基板の表示領域外に配置され前記駆動用ＩＣと前記対向電極とを接続する配線１１８とを有し、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記対向電極は前記電気光学物質よりも前記画素電極側に設けられた配線１１８に導電接続され、前記容量電極が前記配線と導電接続されている。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極は、前記複数の画素電極に対向する領域に跨って一体に形成され、当該容量電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続するコンタクトホールと、を絶縁する開口１１２ａを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 補助容量形成用の導電層パターンを備えた光透過型の平面表示装置において、充分な補助容量（Ｃｓ）の確保と、画素開口率の向上とを実現できるものを提供する。
【解決手段】画素電極６１が厚型樹脂膜５上に形成される。補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。第２透明導電パターン１９が、補助容量線１２に直接積層されて導通されている。ＴＦＴ７のソース電極３３には、コンタクトホールが設けられず、第１透明導電パターン３９の端部が直接積層される。第２透明導電パターン１９が補助容量線１２と重なる個所には、画素電極６１と第１透明導電パターン３９とを導通させるコンタクトホール４１，５１が設けられるとともに、ゲート絶縁膜１５上に、半導体層を含む島状パターン３５が設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク工程数を減らし、ストレージキャパシタンス確保、段差による光漏れの不良防止可能な液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、交差配列され、単位画素領域を定義するゲート配線と重畳構造で形成される第１第２データ配線と、前記ゲート配線と第１第２データ配線の交差領域に配置され、露出されたチャンネル層上に保護膜が形成された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線と平行に配置されている共通配線と、前記共通配線と一体に形成され、前記単位画素領域内にストレージキャパシタンスを形成するための第１ストレージ電極と、前記第１ストレージ電極とオーバーラップされるように配置される第２ストレージ電極と、前記第１ストレージ電極から分岐され、単位画素領域に配置される共通電極らと、前記第２ストレージ電極から分岐され、前記共通電極らと交互に配置されている画素電極らと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】装置の第１の金属レベル上に形成されたソースアドレスラインおよびＴＦＴドレイン電極を備えるアクティブマトリックスディスプレイ画素の装置アーキテクチャである。画素電極は第２の隔離された金属レベル上に形成されており、ＴＦＴゲート電極およびゲートアドレスラインは第１のレベルおよび第２のレベルの両方から少なくとも１つの誘電体層によって分離されている第３の金属レベル上に形成されている。第２のレベルの上にある画素電極は第１のレベルの上にあるドレイン電極とヴィアホール接続を介して電気的に接続されており、画素コンデンサは第２のレベル上にある画素電極の一部を第３のレベル上にある画素の隣接するラインのゲートアドレスラインの一部と重ね合わせることによって形成されている。装置は好ましくは印刷を用いる方法を使って形成される。
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【課題】工程を単純化しながら開口率を増加させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクを用いてゲートライン、ゲート電極及び共通ラインを含む第１のマスクパターン群を形成する段階と、第２のマスクを用いて前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンと、その上に重畳されたデータライン及びソース電極とドレイン電極を含むソース/ドレインパターンを含む第２のマスクパターン群を形成する段階と、第３のマスクを用いて前記保護膜を貫通する画素ホールを形成し、該画素ホール内に前記保護膜と境界をなして位置し、前記ドレイン電極と接続され、前記共通電極と水平電界を形成する画素電極を含むことを特徴とする第３のマスクパターンを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】広視野角を有する液晶表示装置において、補助容量を形成しても、画素の開口率を低下させないようにする。
【解決手段】スリット７ｆを有する複数の画素電極７がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、対向基板と、両基板に挟持された垂直配向型の液晶層と、アクティブマトリクス基板に形成され、画素電極７の電位を保持するための補助容量と、各画素電極７毎に規定された画素と、その画素を構成すると共に、スリット７ｆに沿って分割された複数のドメインと、その各ドメイン毎に対向基板の液晶層側に突出して形成されたリベット１３ａとを備えた液晶表示装置であって、電極４ｃからなる補助容量は、スリット７ｆに重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素のＴＦＴに隣接する領域の液晶分子の配向の乱れを少なくし、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。
【解決手段】複数の画素電極３とＴＦＴ４とゲート配線１１及びデータ配線１２を設けた一方の基板１の内面に、複数の画素電極３の周囲の少なくともＴＦＴ４に隣接する部分にそれぞれ対応させて、他方の基板の内面に設けられた対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、視認性を安定的に確保することができ、染みを防止することができる、薄膜トランジスタ表示板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板、絶縁基板上に形成されているゲート線、ゲート線と分離されている容量性補助電極、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線、各々のゲート線及びデータ線と連結されていて、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ、容量性補助電極と重畳して容量性補助電極の上部に位置する容量性結合電極、ドレイン電極及び容量性結合電極を連結して、データ線を中心に両側に対称的に配置されている連結部、そしてドレイン電極と連結されている第１画素電極及び容量性補助電極と連結されている第２画素電極を有する画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０に蓄積容量７０を構成する際、レジストマスク４０１の開口４０１ａから半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物を導入するとともに、このレジスマスク４０１の開口４０１ａから誘電体膜２ｃの表面をエッチングする。このため、製造工程を増やすことなく、蓄積容量７０の誘電体膜２ｃの膜厚をＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２ａの膜厚よりも薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向方式の液晶表示装置において、画素電極の容量を実質的に大きして表示品質の向上を図る。
【解決手段】負の誘電率異方性を有する液晶が封入されてなる液晶表示装置において、下側基板の素子基板上には、データ線、ＴＦＤ素子及び補助電極が形成され、それらの上にはオーバーレイヤーが形成され、その上のサブ画素領域内には、略三串団子状の平面形状をなす画素電極が形成されている。本発明の補助電極は、平面視した場合に画素電極が設けられていない領域に複数の補助電極部と第１及び第２接続部とを有している。複数の補助電極部は、オーバーレイヤーを介して液晶層と対向し、第１及び第２接続部は、画素電極と重なっている。また、複数の補助電極部には、画素電極と同電位の電位が印加され、画素電極の容量に、複数の補助電極部の容量を付加する。このため、画素電極の容量を実質的に増加させて、表示品質が低下するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】
開口率が高いアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】
本発明に係るアクティブマトリクス基板１は、容量形成用のトレンチ６４を有する容量形成部ａ表面に形成された基板６０と、基板６０の容量形成部ａ以外の部分の上に設けられ、ゲート絶縁層４１を有するＴＦＴ４０と、基板６０の容量形成部ａの上に設けられ、誘電層５１を有する補助容量素子５０と、を有し、誘電層５１とゲート絶縁層４１とは、同一膜で形成されており、誘電層５１の層厚はゲート絶縁層５１の層厚よりも薄いものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと補助容量により各画素を駆動制御する表示装置において、電圧保持率を十分に維持しながら開口率を最大にすることができる表示装置を提供すること。
【解決手段】駆動回路基板１１８と、対向基板１１９と、これらの両基板の間に封止された液晶層１１２とを備え、駆動回路基板１１８には各画素に対応した駆動制御用の有機ＴＦＴ１１７と補助容量部１２０とを有しており、有機ＴＦＴ１１７のソース電極１０８、ドレイン電極１０９、ゲート電極１０４及び補助容量部１２０の補助容量電極１０３、特に補助容量電極１０３が透明導電材料で形成されることにより、開口率を最大にできる。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＣＯＭ電圧の変動を抑制して、画質を向上させる。
【解決手段】マトリクス状に配置された画素電極に信号線を介して供給される画像信号と共通電極に供給される基準電圧とに基づいて画素を駆動する表示部１０ａと、前記共通電極に基準電圧を供給する基準電圧配線ＬＦ１，ＬＦ２と、所定の固定電位を与える電源配線ＬＶ１，ＬＶ２と、前記基準電圧配線と前記電源配線との間にコンデンサを構成する容量形成領域１１３，１１４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】１つの画素に対応して２本の補助容量ライン２６ａ，２６ｂを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン２６を利用して補助容量３２ａ，３２ｂを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン２６を利用していない画素にも自画素の補助容量３２を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素に設けられる補助容量の構成に関する。
【解決手段】 透明導電性被膜よりなる画素電極24の周辺部を覆うように、ブラックマトリクスを兼ねた金属のコモン電極22を配置する。ここでコモン電極22は、画素の周辺部を覆うブラックマトリクスと機能し、かつ、一定の電位に保持される。したがって、画素電極24とコモン電極22とが重なった領域が補助容量25として機能する。この補助容量は、絶縁膜23を介して構成される。そこで、この補助容量25をより大きなものとするために、コモン電極22を平坦化された表面を有する絶縁層21上に形成する。かくすることにより、絶縁層23を1μm程度にまで薄くしても、コモン電極と画素電極の間のピンホール、リーク等を防止することができ、より大きな補助容量が得られる。 （もっと読む）