【課題】ＬＣＣＯＭ電圧の変動を抑制して、画質を向上させる。
【解決手段】マトリクス状に配置された画素電極に信号線を介して供給される画像信号と共通電極に供給される基準電圧とに基づいて画素を駆動する表示部１０ａと、前記共通電極に基準電圧を供給する基準電圧配線ＬＦ１，ＬＦ２と、所定の固定電位を与える電源配線ＬＶ１，ＬＶ２と、前記基準電圧配線と前記電源配線との間にコンデンサを構成する容量形成領域１１３，１１４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、データライン等による反射光の干渉を抑止し、ＬＣＤパネルに虹状のむらが生じるのを防止する。
【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、距離的に周期性を有して配置されている構成要素、例えば、データライン１０、ゲートライン２０、補助容量ライン３０、能動層６１については、これらの表面に入射する外光による反射による反射光の干渉が生じ、虹状の表示むらが発生する。これらの表面に、複数の凹部及び凸部が形成し、互いに隣接する凸部の間隔及び互いに隣接する凹部の間隔に距離的な周期性がないようにすることで、反射光の干渉をなくす。距離的に周期性を有して配置されている構成要素の全てにそのような複数の凹部及び凸部を形成することが好ましいが、少なくとも１つの構成要素にそのような複数の凹部及び凸部を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】輝度、コントラストを効果的に変更する。
【解決手段】保持容量ラインＳＣ−ＡまたはＳＣ−Ｂを、画素ＴＦＴ１０をオンして、データライン上のデータ信号を保持容量１４に書き込んだ後、第１のレベルから第２のレベルに変化させる。これによって、液晶素子１２に印加する電圧をシフトし、表示を行う。そして、電圧発生回路２４によって、ＳＣドライバ２２に供給する電圧を変更し、ＳＣドライバ２２が、保持容量ラインＳＣ−ＡまたはＳＣ−Ｂの第１のレベルと第２のレベルの電位差を変更する。これによって、輝度、コントラストが調整される。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、高品位な表示を可能とする。
【解決手段】 基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極と、半導体層の上層側及び下層側の少なくとも一方に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の半導体層側とは反対側に積層された、チャネル領域を遮光するための遮光膜とを備えている。層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。遮光膜は、少なくとも凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性異物の付着に起因する上下リーク発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすると共に、高い表示品位を維持し、歩留りを向上することができ、また、Ｄ−Ｃｓリークや、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の不良モードに対しても対応可能な表示装置用基板を提供する。
【解決手段】表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、上記アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、上記対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有し、上記電極スリットの電気的接続部は、少なくとも１つが遮光領域外に設けられたものである表示装置用基板。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子の視野角の拡大と着色現象の防止とを図ると共に、応答速度及び開口率の向上を図る。
【解決手段】画素３は、一対の基板の間で基板に実質的に平行な方向に電界を発生させる画素電極３１及び対向電極３２と、画素電極３１及び対向電極３２により区分される２つの領域Ｓ１，Ｓ２とを備えている。２つの領域Ｓ１，Ｓ２で発生する電界の方向は、隣接する領域Ｓ１，Ｓ２同士で互いに逆方向となるように構成されている。そして、液晶層は、基板の法線方向から見たときの屈折率異方性を示す遅相軸が、電界が発生していないときに、電界が発生する方向に対して垂直である一方、電界が発生するときに、基板の法線方向を軸として回転し且つ回転方向が隣接する領域Ｓ１，Ｓ２において互いに逆方向となるように構成されている。
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【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を低減する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間にベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青の各色フィルタ層を備える液晶表示セル１１において、対向電極は青色フィルタ層に対応する部分Ｅｃｏｍ（Ｂ）の膜厚ｔＢが正面反射率の分光スペクトルにおける最小値が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍ内になるように、かつ、 １００ｎｍ＜ｔＢ≦１４０ｎｍに設定される。 （もっと読む）

回路欠陥解析及びプロセス問題識別を実行するための方法は、テスト信号を回路に印加するステップと、テスト信号に応答して生成された応答信号を得るステップと、応答信号を参照情報と比較するステップと、比較するステップの結果に基づいて回路内の欠陥を分類するステップと、欠陥分類に基づいて、欠陥を引き起こした製造プロセスにおける問題を識別するステップとを有している。参照情報は、製造プロセス中に発生する可能性がある予め定義されたタイプの欠陥に対応する１つ又は複数の信号プロフィルを含むことができる。欠陥の分類は、応答信号が、信号プロフィルのうちの１つ又は複数内に入るかどうか判定することによって実行されることが好ましい。応答信号が２つ以上の信号プロフィル内に入る場合には、各プロフィルについて確率を決定することができる。次いで、欠陥は、その信号プロフィルがより高い確率を有する欠陥タイプに対応するものとして分類することができる。処理システムは、同様の方法を使用して、欠陥の分類及びプロセス問題識別を実行する。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）