透明基板上のシリコンバックプレーン、シリコンバックプレーン上にあり、かつ、同バックプレーンにより制御されている画素透明電極のアレイ、透明対向基板、バックプレーン上の配向膜と対向基板の間の液晶材料、および、シリコンバックプレーン上に製作された偏光素子を備えた小型透明ディスプレイ。偏光素子は、ディスプレイのコントラストを改善するために、透明基板およびシリコンバックプレーンを通過する光の偏光解消を補償する。
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【課題】アモルファスシリコンＴＦＴを用いた画素領域に、多結晶シリコンＴＦＴを用いたドライバ領域とを一枚の基板に形成することができる液晶パネル用基板及び液晶パネル並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板１０上の画素領域１２に、アモルファスシリコンＴＦＴ３０を形成し、端子となる部分を露出させて第１の電極露出部２２とする。第２の基板１００を用いて、駆動回路１４，１６の能動素子である多結晶シリコンＴＦＴと、それに接続された第２の電極配線群を含む被転写層１４０を形成し、端子となる部分を露出させて第２の電極露出部１４１とする。この第１，第２の電極露出部２２，１４１が導通する位置関係にて、第１の基板１０上に被転写層１４０を接合した後、被転写層１４０より第２の基板１００を除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の一つは、新規な薄膜デバイスの転写技術を用いてアクティブマトリクス基板を形成する際に、問題となる製造上の不都合を排して、アクティブマトリクス基板の現実の製造を可能とすることである。
【解決手段】 転写元の基板上に薄膜トランジスタならびに画素電極を形成するに際し、薄膜トランジスタを形成する前に、画素電極（７０００）を形成しておく。これにより、デバイスを転写体（７７００）に転写した後、転写元基板を離脱させると、画素電極（７０００）の表面が自動的に露出することになる。この部分（７０００）が液晶（４６０）への電圧印加を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 接合基板上に非単結晶・単結晶シリコン半導体を混在させることを可能とし、接合工程を±１μｍ以内の高精度で行って、接合した半導体回路部材から細い多数の配線に接続することができ、高精度で高機能のディスプレイ半導体を効率的にかつ省スペースで製造し得る半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体回路基板を提供する。
【解決手段】 １以上の半導体回路部材１を第１補助基板３０上に位置決めして一時固定する工程（図１（ａ）（ｂ））と、第１補助基板３０上に一時固定された半導体回路部材１を第２補助基板５０にトランスファ固定する工程と（図１（ｃ）（ｄ））、第２補助基板５０にトランスファ固定された半導体回路部材１を接合基板の設定位置に一括で接合する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示装置用のＴＦＴ基板２１におけるＴＦＴの動作周波数を飛躍的に高める。
【解決手段】ＴＦＴ基板２１は、シリコン酸化膜１と、シリコン酸化膜１の前面側表面に設けられた複数のＴＦＴとを備え、透過表示を行う液晶表示装置に用いられる。シリコン酸化膜１の背面側表面が露出することにより形成された透過領域を備え、ＴＦＴは、単結晶シリコン層２ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造に使用されるマスクの数を減少させる液 晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板上にソース領域とドレイン領域及びチャンネル領域を有したアクティブ層を形成し、その上に第１絶縁膜を形成する段階と、第１絶縁膜上に第１導電膜と第２導電膜を形成、パターニングしてゲート電極とゲートライン及び画素電極を形成する段階と、この上に第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜のソース／ドレイン部にコンタクトホールを形成して、前記画素電極の上部の第２絶縁膜を除去する段階と、その上に第３導電膜を形成パターニングして前記コンタクトホールを通じてソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を形成し、前記画素電極の上部の第２導電膜を露出させる段階と、前記第１基板と第２基板間に液晶層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴの半導体膜が結晶化する際の起点となるべき微細孔１４を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴが結晶化する際の起点となるべき微細孔を設けない。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶表示装置の入出力保護に好適なＴＦＴ構造および回路配置を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態によれば、Ｓi薄膜（７１）により形成されたソース領域（７３）、チャネル領域（７４）、およびドレイン領域（７５）を有し、チャネル領域上部にゲート絶縁膜（７６）およびゲート電極（７７）を有するＴＦＴ（７０）であって、チャネル領域の中央部およびソース側端部は実質的に単結晶の半導体により形成され、チャネル領域のドレイン側端部（８２）は多結晶またはアモルファス半導体により形成されているＴＦＴが提供される。かかるＴＦＴを保護回路部（１３６）に使用することにより、保護回路部におけるサージ電圧の吸収を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の活性半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の活性半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、結晶化の際に該活性半導体膜を局所的に加熱する局所加熱機構を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該局所加熱機構を設けない。 （もっと読む）

【課題】駆動能力の向上と、光リークの防止とを両立することが容易であり、画像品質を向上する。
【解決手段】表示部１２の画素をスイッチング制御する画素トランジスタ１６のチャネル領域を、多結晶の半導体により形成し、単結晶の半導体の場合よりも光感度を低くして、光リークを抑制する。そして、表示部１２を駆動する駆動部１３の駆動トランジスタ１８のチャネル領域を単結晶の半導体により形成し、多結晶の半導体の場合よりキャリア移動度を高くして、駆動能力を向上する。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶表示素子の画素間隔を１０μｍ以下としたときに開口率が９０％以上となるような高性能表示パネルを得ることが出来る反射型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】、基板上に形成された複数のスイッチングトランジスタ１９と、複数のスイッチングトランジスタ１９上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６中に生成した通過孔を介して前記スイッチングトランジスタ１９と接続された複数の画素電極とから構成された素子基板１８が配列され、素子基板１８に対向配置された共通電極１４と、共通電極１４と素子基板１８との間に充填された液晶層１５と、からなる反射型液晶表示素子において、複数の画素電極１２間を所定幅以下にし、かつ複数の画素電極１２と絶縁層１６との間に反射膜１７が形成されるものである。 （もっと読む）

【課題】画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタのキャリアの移動速度の増大と、１画素用駆動回路内の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈのばらつきの抑制とを図る画素駆動回路を含む電子回路装置、画素表示装置及び前記電子回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に設けられた非単結晶半導体膜と、この非単結晶半導体膜に設けられた複数個の結晶化半導体領域（５４）と、この各結晶化半導体領域内に少なくともチャネル領域（Ｃｈ１，ＣＨ２，Ｃｈ３，Ｃｈ４）が設けられた複数個の薄膜トランジスタとを具備し、少なくとも１個の薄膜トランジスタのソース領域および／又はドレイン領域（Ｓ１，Ｓ２，Ｄ３，Ｄ４）の一部は結晶化半導体領域（５４）からはみ出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

本発明は、単結晶シリコン半導体を回路駆動部及び画素アレイの製造に用いる可撓性を有する高解像度液晶表示装置などの可撓性電気光学装置及びその製造方法に関する。本発明による可撓性電気光学装置は、可撓性単結晶層の上に電子素子が形成される素子層を備える可撓性下部基板部と、前記下部基板部に組み付けられた可撓性上部基板部と、前記下部基板部と前記上部基板部との間に配設された電気光学的物質層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）