【課題】液晶表示装置がオン状態からオフ状態に変わるときの、液晶分子の応答速度を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板と対向基板の間に液晶材料と、前記基板上に複数の画素と、前記基板上に設けられ、前記液晶材料と接し、かつ、可動部を有する微小構造体とを有する液晶表示装置及びその作製方法に関する。前記微小構造体は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び上部電極の間に空間部分とを有していてもよい。前記微小構造体は、前記基板上に前記下部電極を形成し、前記下部電極上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に上部電極を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記空間部分を形成することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子数が少なく小面積であり、かつ高精度の書き込み、ならびに書き込み電圧の保持が可能な、信頼性の高い、デジタル駆動方式の液晶表示装置に適した画素回路を実現する。
【解決手段】画素回路は、画素電極ＬＥと、第１導電型の画素トランジスタＮＴ１と、画素トランジスタの第２ノードと画素電極との間に設けられるフリップフロップＦＦとを含み、フリップフロップＦＦは、インバータＩＮＶ１と、第２導電型の帰還トランジスタＰＴ１とを有する。帰還トランジスタＰＴ１の導電型は、画素トランジスタＮＴ１の導電型とは逆の導電型に設定される。 （もっと読む）

【課題】熱処理において、基板の反りを抑制し、基板の局部的な温度変化によって生じる品質不良を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】処理室と、処理室内に設けられた支持台と、支持台上に設けられ、被処理基板を支持する複数の支持体と、被処理基板を加熱する加熱手段とを設け、支持台に支持体を脱着可能な固定部を複数設け、複数の支持体を複数の固定部に選択的に取り付けることにより、複数の支持体の位置を可変可能とする。 （もっと読む）

【課題】配線基板とパッドとを異方性導電材で接続した場合でも、基板の外周縁に沿って形成したガードリングを介してパッド同士が短絡することを確実に防止することのできる電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】各種電気光学装置に用いる第１基板１０のパッド形成領域１２に異方性導電材９５によりフレキシブル配線基板９０を接続する。ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。このため、フレキシブル配線基板９０を第１基板１０に接続する際、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板のセンサ領域に形成されるセンサの検出感度を向上させ、また、センサの飽和特性を改善することができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素が形成された画素領域と含む光センサ部が形成されたセンサ領域とを有する基盤と、基板の一方面側から基板を照明する照明部と、センサ領域に配置されたものであり、少なくともＰ型半導体領域（３６Ａ）とＮ型半導体領域（３６Ｋ）を有し、表示部の他方面側から入射する光を受光する薄膜フォトダイオードと、基板の一方面側に絶縁膜を介して薄膜フォトダイオードと対向して形成され、照明部から発せられた光が一方面側から薄膜フォトダイオードに直接入射するのを抑制し、所定の電位に固定される金属膜（３８）とを有し、薄膜フォトダイオードにおいて、Ｐ型半導体領域の幅ＷｐとＮ型半導体領域の幅Ｗｎが異なるレイアウトで形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有し、凹部の底面と半導体膜の底部の第１方向に延在する中心線（ＣＰ）との距離をＬｃと、凹部の底面間の距離をｔｃと、ｎを基材の屈折率とした場合、ｎｔｃ²＜４８８Ｌｃを満たす。本構成によれば、上記凹部（１２）により、基板側からの光の入射が制限され、光リーク電流を低減できる。さらに、凹部の深さの関数であるＬｃ等を上記式を満たすよう設定することで、光リーク電流を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】表示部に副画素を制御するＴＦＴが一定の間隔でマトリクス状に形成されている場合、大型のＳＯＩ基板を作製する際に形成される隣接するＳＯＩ層間の継ぎ目を避けて全てのＴＦＴを配置することは困難である。そのため、表示不良や生産性の低下が起こりやすい。
【解決手段】副画素を制御するＴＦＴを走査線と信号線の交差部を囲むように複数個まとめて配置することで、ＴＦＴが位置する領域間の間隔を拡張する。ＴＦＴが表示部内に一定の間隔で配置される従来の配置に比べ、ＴＦＴが位置する領域間の間隔が拡張されるため、ＴＦＴがＳＯＩ層間の継ぎ目にかかることを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有する。かかる構成によれば、凹部（１２）およびその内部の充填材料により、基板側からの光の入射が制限され、半導体膜（特に、チャネル）において発生する光リーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】画素に光センサを有する表示部を用いて、画像の表示機能と、文字情報の入力機能とを備える表示画面を有する入力装置を提供する。
【解決手段】位置情報を検出するため、表示部の各画素に光センサを設ける。また、表示部の画素回路のトランジスタ、および光センサは単結晶半導体層で形成する。単結晶半導体層を用いることで、素子ごとの特性のばらつきがなくなり、高精度の位置検出が実現される。また、表示部は、ガラス基板等の透光性の基板に、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を設けた基板で作製される。 （もっと読む）

【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル２００の一方の面の側から、その表示領域ＰＡへ照明光を出射するバックライト３００の動作を、外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて制御する。ここでは、表示領域ＰＡに配置された外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて、バックライト３００の動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法によ
る窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネ
ルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、
液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各
反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電
極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（
１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入
射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル２００の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層４７が、液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子３２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図りつつ、開口率をより向上させることができるアクティブマトリクス装置、スイッチング素子の製造方法、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、固定電極３、可動電極５および駆動電極２は、基板５０の板面に沿った方向で互いに異なる位置に配置され、可動電極５は、基板５０の板面に沿った方向で固定電極３側に変位するように構成されている。 （もっと読む）