【課題】外部から画素電極同士の間隙に入射した漏れ光に対する遮光性を改善する液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】駆動基板５０と透明基板６０とは液晶ＬＣを介して互いに対向配置されている。駆動基板５０には、半導体基板１の表面に互いに離間して設けられたドレインＤ１及びソースＳ１とこれらの間の領域に順次積層されたゲート絶縁膜４及びゲートＧ１とを有するスイッチング素子Ｔｒ１が形成されている。スイッチング素子Ｔｒ１を覆う絶縁膜７上にはドレインＤ１及びソースＳ１に接続された第１及び第２配線パターン部１０ａ，１０ｂを有する配線層１１が形成されている。配線層１１の上方には第２配線パターン部１０ｂに接続された画素電極１６が形成されている。また、上記絶縁膜７はスイッチング素子Ｔｒ１を覆い配線層１１とは絶縁された遮光層９を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせにおいて、窒素を含有する絶縁膜を接合層として用いる場合であっても、接合強度を向上させ、ＳＯＩ基板の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板側に酸化膜を設け、ベース基板側に窒素含有層を設け、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する。また、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する前に、酸化膜と窒素含有層の少なくとも一方に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理は、バイアス電圧が印加された状態で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減する反射表示領域を有する液晶表示素子および表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示素子の構成として、第１基板と第２基板との間に狭持された液晶層を備え、共通電極と複数のスリットを有する画素電極を前記第１基板側に有し、前記第１基板と前記画素電極との間には、表面側に凸パターンが設けられた反射膜と層間絶縁膜とが少なくとも配置されており、前記画素電極は前記凸パターンを倣った形状であり、前記画素電極の前記スリットを介した電極部の端部が、前記凸パターン上には配置されないように設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を向上させた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の一部からなる単結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板を熱酸化して得られた第１の酸化シリコン膜上に有し、第１の酸化シリコン膜が、シリコン基板上に設けられた第２の酸化シリコン膜に貼り合わされたシリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の熱酸化工程後に、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を大幅に向上することができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる島状シリコン層を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜とにより取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の膜質を制御する。また、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の堆積過程を制御して、ＴＦＴに代表される半導体素子の特性向上を図る。また、薄膜トランジスタのオン電流を向上させ、オフ電流を低減する。
【解決手段】非晶質構造の中に複数の結晶領域を含む半導体層において、該結晶領域が生成する起点となる結晶核の生成位置と生成密度を制御することで、該半導体層の膜質を制御する。また、半導体層の結晶領域が生成する起点となる結晶核を生成した後、ドナーとなる不純物元素を半導体層に添加して、半導体層の結晶性を高めると共に、半導体層の抵抗率を低減する。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】 画像表示システムとその製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、チャネル部分に発生したホットキャリアを吸収する領域がなく、キンク特性が発生するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行い、面方位が（１１１）に揃えられた第２シリコン層２０７を形成する。そして不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４からホットキャリアを引き抜くことで、キンクの発生が抑えられ、且つ電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

薄膜トランジスタが、絶縁基板上の半導体アイランド内に形成される。このトランジスタは、第１の伝導型のソース（１５０２）およびドレイン（１５０４）と、逆の第２の伝導型のチャネル（１５０８）とを備えている。チャネルは、１つまたは複数の絶縁ゲート（１５１０）と重なっており、分離ダイオードを備えている。各分離ダイオードは、低濃度にドープされた第１の領域（１５０６）と、高濃度にドープされ、第２の伝導型である第２の領域（１５１２）とを備えている。ダイオードは、絶縁ゲート（１５１０）とは重なっていない。第１の領域（１５０６）および第２の領域（１５１２）は、隣接するソースまたはドレインの長さよりも短い距離だけ、チャネル（１５０８）から延びている。低濃度にドープされた領域（１５０６）は、ソースまたはドレインから延びており、高濃度にドープされた領域（１５１２）は、低濃度にドープされた領域から延びているため、第１の領域（１５０６）および第２の領域（１５１２）は、トランジスタの主要伝導経路に直角の方向においては、隣接するソースまたはドレインとｐｎ接合を形成するが、主要伝導経路に平行な方向においては形成しない。
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【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＣＯＳを大きな光照射部を有する光変調装置に用いると、光照射部内に画素電極接続部が線状の影として現れてしまい、光の反射が不均一になるという不具合があった。また画素電極接続部の周囲からの光漏れにより画素電極を駆動する駆動素子が誤動作してしまうことがあった。
【解決手段】光照射部を有し、短辺同士が対向するように、２列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜を熱酸化膜からなる第１の酸化シリコン上に有し、第１の酸化シリコンを第２の酸化シリコン上に有し、第２の酸化シリコンを表面上に有する単結晶シリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の側面に熱酸化により第３の酸化シリコン膜を形成し、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する素子として、単結晶半導体膜を用いる場合であっても、表示部の大型化及び高精細化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】ベース基板の表面に複数の単結晶半導体基板をそれぞれ貼り合わせ、複数の単結晶半導体基板の一部をそれぞれ剥離することにより、ベース基板上に、単結晶半導体膜から構成される単結晶半導体膜設置領域を複数形成し、単結晶半導体膜設置領域に単結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いるトランジスタを形成し、単結晶半導体膜設置領域と、単結晶半導体膜非設置領域にそれぞれ画素電極を設ける工程を含み、単結晶半導体膜非設置領域に設けられた画素電極に電気的に接続するトランジスタを単結晶半導体膜設置領域に形成された単結晶半導体膜を用いて設ける。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に厚さのばらつきの小さい結晶性半導体層を形成することを課題とする。
【解決手段】複数の半導体基板に表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が大きい領域には表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が小さい領域には表面から脆化層までの深さが小さい半導体基板を配置し、ベース基板と前記半導体基板を接合し、脆化層を起点としてベース基板と半導体基板を分離することで第１の半導体層を形成し、第１の半導体層をＣＭＰにより研磨して第２の半導体層を形成する。ＣＭＰに代えてエッチング処理を用いても良く、この場合にはエッチングレートが大きい領域に、表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。
【解決手段】まずＳｍａｒｔ−ＣｕｔやＥＬＴＲＡＮといった代表的な貼り合わせＳＯＩ技術を用いて単結晶シリコン薄膜１０６を形成する。次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 （もっと読む）

【課題】多様な回路を搭載可能で、表示速度に優れ、かつ製造コストが安価な透過型ＬＣＯＳ用の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。この凹部により、単結晶基板でありながら透光性を備えた半導体装置を構成することができる。また、素子を構成する半導体基板の膜厚に制限がないため、載置できる回路にも制約がなく、光変調物質の駆動電圧も高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比の高い液晶表示素子を得る。
【解決手段】少なくとも、Ａ面サファイア基板の両面を鏡面仕上げする工程と、前記サファイア基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記Ａ面サファイア基板の表面に単結晶シリコン基板を貼付する工程と、前記Ａ面サファイア基板の裏面を粗面化する工程と、前記単結晶シリコンにＬＳＩ加工をする工程と、前記Ａ面サファイア基板のＣ結晶軸と該Ａ面サファイア基板側に貼付される偏光板の透過偏光軸または吸収偏光軸のいずれかの偏光軸及び前記Ａ面サファイア基板に形成される配向膜の配向軸を合わせる工程を具備する透過型液晶表示素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置における受光素子の受光効率を向上させて、表示画像の輝度を適切に設定する。
【解決手段】電気光学装置（１００）は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）にマトリクス状に配列された複数の画素部（９）と、画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、相互に平面的に重ならないＰ型半導体領域（２１０ｐ）、イントリンシック領域（２１０ｉ）及びＮ型半導体領域（２１０ｎ）を含む受光素子（２１０）と、該受光素子の光が入射する側に積層された導電部（２２０）と、該導電部を覆うように積層されると共に、イントリンシック領域の少なくとも一部に対応する開口部（４３ａ）を有する絶縁膜部（４３）とを備える。基板上で平面的に見て、前記開口部内に位置する領域は、前記導電部が配置されていない部分を有する。 （もっと読む）