【課題】電気特性が良好であり、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に半導体基板を接合、分離することで大面積基板上に半導体領域を形成して製造される半導体装置において、半導体基板の使用効率の向上、および接合境界における不良素子の発生の抑制を課題とする。
【解決手段】半導体基板を正六角形またはこれに準じる形に形成し、大面積基板に半導体基板を接合、分離する。さらに、接合された半導体の境界が、フォトリソグラフィ等によるパターニングの際に、エッチングによって除去される領域に位置するようなレイアウトとする。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤーのオープンにより生じるトランジスタの不良やリークにより生じる不良を低減させることのできる半導体装置を実現する。
【解決手段】基板１０上の半導体素子の形成領域において、Ｓｉナノワイヤー１３の配置不良があった箇所には、配置不良となっているＳｉナノワイヤー１２を基板１０上からアーム２０を用いて除去し、新たなＳｉナノワイヤー１３をアーム２０を用いて再配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、トランジスタの移動度を向上するために半導体層に歪を与える際、引っ張り歪を与えるのが好ましいトランジスタと、圧縮歪を与えるのが好ましいトランジスタとを同一基板上で効率良く形成するための構成および作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に単結晶半導体基板より分離し、絶縁表面を有する基板に接合層を介して接合された単結晶半導体層を含む複数種のトランジスタを形成する。一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜素子の製造方法において、直接描画技術を用いて、樹脂基板を損傷させることなく良質な無機膜を備えた薄膜素子を製造することができるようにするとともに、材料選択性を広くする。
【解決手段】薄膜素子１は、基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０を備えた基板１０上に非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａをパターン状に形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａを短波長光Ｌを用いてアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。工程（Ｂ）と工程（Ｄ）との間には、少なくとも熱バッファ層５０を備えた基板１０上の被アニール膜３０ａが形成されない非パターン部分１０ｒに、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて、短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）を有する。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素電極との間で発生し得る横方向の電界によるディスクリネーションの発生を抑制することで、高画質・高コントラスト・高輝度を有する反射型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】反射型液晶表示素子は、反射型の画素電極１１１を複数有する反射電極基板１１０と、画素電極１１１に対向するように設けられた透明電極を有する透明基板と、反射電極基板と透明基板との間に挟持された垂直配向液晶とを備える。画素電極１１１の表面１１３とその側面１１５とのなす稜線のうち、垂直配向液晶のプレチルト方向Ｘに位置する画素電極１１１の稜線１１７に斜面１１６を有する。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板上に単結晶シリコン層を大面積に設けることによって、大型のＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】分離層が設けられた複数の矩形の単結晶半導体基板をダミー基板の上に位置合わせして低温凝固剤で固定した後に、複数の単結晶半導体基板を支持基板に接着させ、低温凝固剤の接着効果を有しない温度に上げてダミー基板と単結晶半導体基板を分離し、加熱処理を行って分離層を境界として単結晶半導体基板の一部を分離させて、支持基板である大型ガラス基板上に単結晶シリコン層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製において、貼り合わせる面に段差がある場合には、貼り合わせた際に、その段差により反対側の基板が撓み、接触面積が小さくなってしまい、所望の形状のＳＯＩ層が得られない場合がある。ＳＯＩ基板の貼り合わせる面に段差がある場合でも所望の形状のＳＯＩ基板を得ることを目的とする。
【解決手段】貼り合わせる面の段差の間に、所定の間隔でダミーパターン３０２を形成することにより、貼り合わせる基板の撓みが少なくなり、基板同士の密着性が確保され、所望のＳＯＩ層が得られるものである。 （もっと読む）

【課題】複数の表示パネルを有する表示モジュールにおいて、ＩＣチップなどの部品点数を減らして、表示モジュール及びそれを搭載する電子機器の小型化、薄型化を図ることを課題とする。ＩＣチップなどの部品点数を減らして、安価な表示モジュール及びそれを搭載する電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】電子機器又は表示モジュールは２つの表示パネルを有し、一方の表示パネルに（すなわち、一方の表示パネルの表示領域の周辺部）、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器に必要な回路を形成する。そして、当該表示パネルに組み込まれた回路によって、当該表示パネル、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器を駆動する。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を設けた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、第１の絶縁層を介して、単結晶半導体基板を絶縁性基板の第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、単結晶半導体基板を、イオンドーピング層において分離させることにより、絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層及びガラス基板の形状の変形及び膜剥がれなどの不良を防ぎ、高信頼性及び高性能な半導体素子、及び集積回路を歩留まり良く作製することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板に低温の加熱処理により接合した単結晶半導体層を形成する工程において、単結晶半導体層を接合するガラス基板を接合剥離工程の前に、接合剥離工程における加熱処理の加熱温度よりも高い温度で加熱しておく。単結晶半導体層は、ガラス基板との接合工程において、ガラス基板の歪み点近傍、具体的には歪み点±５０℃の範囲における温度で加熱する。従って、ガラス基板は、歪み点近傍、具体的には歪み点±５０℃の範囲における温度より高い温度で加熱処理を行っておく。 （もっと読む）

【課題】接合の際に高温の熱処理を行うことなく、密着性のよいＳＯＩ基板を作製する方法を提案する。また、ＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその作製方法を提案する。
【解決手段】内部に脆化層が形成され、かつ表面に第１の絶縁膜が形成された単結晶シリコン基板でなる第１の基板を用意し、第２の基板表面に第２の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜または第２の絶縁膜の少なくとも一方の表面をプラズマ雰囲気もしくはイオン雰囲気にさらして第１の絶縁膜または第２の絶縁膜の表面を活性化し、第１の基板と第２の基板とを、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を介して貼り合わせ、第１の基板の脆化層の界面において、単結晶シリコン膜を分断して、第２の基板上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を介して薄膜の単結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】光反射層の間から侵入した光が半導体層に入射することを確実に防止することのできる反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００の素子基板１０では、支持基板１０ｄとして透光性基板が用いられ、島状の光反射層としての画素電極９ａと重なる領域に半導体層１ａが島状に形成されている。走査線３ａおよびデータ線６ａはいずれも、隣り合う画素電極９ａの間９ｂと重なる部分が、ＩＴＯなどの透光性導電材料からなる中継配線部分３ｆ、６ｆになっている。それ故、隣り合う画素電極９ａの間から侵入した光は、反射などをほとんど起こさずに素子基板１０を透過し、半導体層１ａには入射しない。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の大面積化を図り、当該ＳＯＩ基板を用いた表示装置の製造の生産性を向上させることができる製造技術を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の単結晶半導体層を接合させ、当該単結晶半導体層を用いてトランジスタを含む回路を形成して表示装置を製造する。単結晶半導体層は、単結晶半導体基板から剥離されたものを適用し、１つの単結晶半導体層の大きさは、一つの表示パネルに相当する大きさ（パネルサイズ）とする。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）